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탄화규소질세라믹전열관소결체의제조방법

  • 기술번호 : KST2015152234
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL C04B 35/573 (2006.01.01) C04B 35/65 (2006.01.01) B28B 1/26 (2006.01.01) C04B 35/632 (2006.01.01)
CPC C04B 35/573(2013.01) C04B 35/573(2013.01) C04B 35/573(2013.01) C04B 35/573(2013.01) C04B 35/573(2013.01) C04B 35/573(2013.01)
출원번호/일자 1019910009325 (1991.06.04)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-0073325-0000 (1994.05.04)
공개번호/일자 10-1993-0000429 (1993.01.15) 문서열기
공고번호/일자 1019940000728 (19940128) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1991.06.04)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양준환 대한민국 대전직할시서구
2 한인섭 대한민국 대전직할시중구
3 홍기석 대한민국 대전직할시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김경식 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로 ***, *층 (서초동, 모인터빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국에너지기술연구소 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1991.06.04 수리 (Accepted) 1-1-1991-0053627-05
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1991.06.04 수리 (Accepted) 1-1-1991-0053628-40
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.06.04 수리 (Accepted) 1-1-1991-0053629-96
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1993.08.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0021156-01
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1993.09.20 수리 (Accepted) 1-1-1991-0053630-32
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1993.10.18 수리 (Accepted) 1-1-1991-0053631-88
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1993.11.17 수리 (Accepted) 1-1-1991-0053633-79
8 의견서
Written Opinion		 1993.11.17 수리 (Accepted) 1-1-1991-0053632-23
9 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1994.01.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0021157-46
10 등록사정서
Decision to grant		 1994.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0021158-92
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.11 수리 (Accepted) 4-1-1999-0032983-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.12 수리 (Accepted) 4-1-1999-0045776-91
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.17 수리 (Accepted) 4-1-1999-0048039-85
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.29 수리 (Accepted) 4-1-1999-0076759-30
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.05.25 수리 (Accepted) 4-1-2000-0069673-86
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2001-0004982-67
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2002-0076226-24
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.12.22 수리 (Accepted) 4-1-2004-5107350-13
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

-10μm의 α-SiC 분말과 -10μm의 탄소분말을 혼합하여 물을 첨가한 후 스립을 제조하여 주이성형에 의한 전열관 성형체(1)를 제조하고 이를 열처리한 후 진공중에서 금속실리콘(2)이 담긴 도가니(3)에서 용융시켜 반응소결시킴으로써 제조함을 특징으로 하는 탄화규소질 전열관 소결체의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, α-SiC/C의 비율을 90-60/10-40으로 하고 고형량을 70wt%로 하여 스립 제조함을 특징으로 하는 탄화규소질 전열관 소결체의 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 스립의 분산제로써 암모니움 폴리메타크릴레이트 또는 암모니움 폴리카보네이트를 사용하는 것을 특징으로 하는 탄화규소질 전열관 소결체의 제조방법

4 4

제1항에 있어서, 실온에서 400℃까지는 공기, 400℃에서 600℃까지는 불활성가스 분위기에서 열처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 탄화규소질 전열관 소결체의 제조방법

5 5

제1항에 있어서, 1550℃ 이상의 온도, 10-1Torr 이하의 진공분위기에서 탄화규소질 전열관 소결체를 제조하는 것을 특징으로 하는 전열관 소결체의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.