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다공성 탄소체의 제조에 있어서, 탄소원 단량체와 개시제를 실리카 구 사이의 공간에 투입하는 단계와, 실리카 구 사이의 공간에 투입된 탄소원 단량체를 불활성기체 하에서 중합시키는 단계와, 중합반응 후 열처리를 실시하여 실리카 구 사이에서 중합된 탄소원 고분자를 탄화시켜 실리카 구를 포함하는 탄소체를 얻는 단계와, 열처리 후 탄소체 내부의 실리카 구를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다공성 탄소체의 제조방법
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제1항에 있어서, 탄소원은 다이비닐벤젠(DVB) 또는 페놀 임을 특징으로 하는 다공성 탄소체의 제조방법
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제1항에 있어서, 개시제는 아조비스이소부틸로니트린(AIBN), 또는 포름알데히드를 탄소원 중량 대비 2∼6% 첨가하는 것을 특징으로 하는 다공성 탄소체의 제조방법
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제1항에 있어서, 불활성기체는 헬륨, 질소, 아르곤, 크립톤 중에서 선택된 어느 하나 임을 특징으로 하는 다공성 탄소체의 제조방법
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제1항에 있어서, 탄소원 단량체는 50∼90℃에서 5시간 이상 중합하는 것을 특징으로 하는 다공성 탄소체의 제조방법
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제1항에 있어서, 열처리는 700∼1000℃에서 1∼10시간 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 다공성 탄소체의 제조방법
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제1항에 있어서, 탄소체 내부의 실리카는 탄소체를 불산(HF) 용액 또는 수산화나트륨(NaOH) 용액에 침지한 후 증류수로 세척하여 제거함을 특징으로 하는 다공성 탄소체의 제조방법
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제1항에 있어서, 탄소원과 개시제를 실리카 사이의 공간에 투입하기 전에 실리카 구를 200∼800℃에서 1∼4시간 동안 열처리함을 특징으로 하는 다공성 탄소체의 제조방법
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제1항에 있어서, 실리카 구는 실리카 공급원을 용매에 가수분해한 후 암모니아(NH3) 존재하에서 축합반응시키는 단계와, 원심분리기를 이용하여 축합반응에 의해 생성된 실리카 구의 암모니아를 제거하고 적층하는 단계를 포함하는 공정으로부터 얻을 수 있음을 특징으로 하는 다공성 탄소체의 제조방법
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제9항에 있어서, 실리카 공급원은 테트라에틸오르토실리케이트(TEOS) 테트라메틸오르토실리케이트(TMOS), 페닐메틸트리메톡시실란(PTMS) 또는 물유리임을 특징으로 하는 다공성 탄소체의 제조방법
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제9항에 있어서, 용매는 물, 에틸알콜 또는 물과 에틸알콜이 0
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특허청구범위 제1항의 방법에 의해 제조한 다공성 탄소체
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특허청구범위 제1항의 방법에 의해 제조한 다공성 탄소체
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