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대용량 전력저장 방법 중의 하나인 바나듐 레독스-흐름 2차전지에 사용되고 있는 고가 및 충·방전 전지 운전 중에 막 저항이 증가함으로서 전압효율의 저하를 가져오는 과불소계 막을 대체하는, 탄화수소계 고분자를 이용한 격막의 제조방법에 있어서,
엔지니어링 플라스틱 계열인 폴리슬폰과 폴리페닐렌설파이드슬폰이 블록 공중합된 공중합 폴리머를 테트라클로로에탄(TCE, 1, 1, 2, 2-tetrachloroethane)에 용해시킨 후, 헤테로폴리산(heteropoly acid)을 디메틸아세트아미드(DMAc, N-N-dimethylacetamide)에 녹인 용액을 첨가하고, 여기에 이온교환기 도입용제를 첨가하고, 질소가스를 흘려주면서 술폰화 반응시켜 양이온 교환기 및 무기 보충제를 공중합 폴리머에 도입하고, 술폰화 반응된 유-무기 복합 탄화수소 고분자를 메탄올로 세척하고 겔화되어 침적된 술폰화된 유-무기 복합 탄화수소 고분자를 취하여 감압 건조한 후, 건조된 술폰화 유-무기 복합 탄화수소 고분자를 메틸피리리돈(NMP)에 용해시킨 후, 용해된 용액을 글라스 판 위에 캐스팅한 뒤 건조시킴으로서 하기 화학분자식을 갖는 필름 형태의 유-무기 복합 탄화수소 격막 (양이온 교환막)을 제조하는 것을 특징으로 하는 바나듐 레독스-흐름 2차전지용 격막의 제조 방법
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청구항 8에 있어서,
상기 이온교환기 도입용제는 클로로슬포닉산(CSA, chlorosulfonic acid), 황산(sulfuric acid), 설퍼트리옥사이드(SO3) 중에서 선택된 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 바나듐 레독스-흐름 2차전지용 격막의 제조 방법
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청구항 9에 있어서,
상기 이온교환기 도입용제는 1~10ml를 교반하면서 1ml/min의 속도로 첨가하는 것을 특징으로 하는 바나듐 레독스-흐름 2차전지용 격막의 제조 방법
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청구항 8에 있어서,
상기 헤테로폴리산(heteropoly acid)은 텅스토포스포릭 산(TPA, tungstophosphoric acid), 포스포 몰리브덴산, 실리코 몰리브덴산 중에서 선택된 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 바나듐 레독스-흐름 2차전지용 격막의 제조 방법
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청구항 8에 있어서,
상기 헤테로폴리산(heteropoly acid)을 디메틸아세트아미드(DMAc, N-N-dimethylacetamide)에 비율이 1g : 1ml가 되도록 하여 녹인 용액 0
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청구항 8에 있어서,
상기 질소가스는 30~300ml/min의 속도로 흘려주면서 상온(25℃)~160℃에서 30분~3시간 동안 술폰화 반응시키는 것을 특징으로 하는 바나듐 레독스-흐름 2차전지용 격막의 제조 방법
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청구항 8에 있어서,
상기 겔화되어 침적된 술폰화된 유-무기 복합 탄화수소 고분자는 50℃~140℃에서 1~20시간 감압 건조하는 것을 특징으로 하는 바나듐 레독스-흐름 2차전지용 격막의 제조 방법
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청구항 8에 있어서,
상기 건조된 술폰화 유-무기 복합 탄화수소 고분자를 메틸피리리돈(NMP)에 비율이 1g:1
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청구항 8 내지 15 중 어느 한항에 따른 방법으로 제조되어 하기 화학분자식을 갖는 필름 형태의 탄화수소 격막(양이온 교환막)이고, 1몰 황산용액 기준당 막 저항은 1
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