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ＩＣＰ를 이용한 실리콘 나노입자 제조 장치

  • 기술번호 : KST2015152588
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 플라즈마 퍼짐 현상을 최소화하여 실리콘 나노입자의 입도 및 품질을 향상시킬 수 있는 ICP(Inductive Coupled Plasma)를 이용한 실리콘 나노입자 제조 장치에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 실리콘 나노입자 제조 장치는 외벽에 ICP 코일이 권취되어 있고, 내부에 쿼츠 튜브가 삽입된 쿼츠 리액터를 포함하며, 실리콘 나노입자 형성을 위한 실란 가스 등의 1차가스 및 실리콘 나노입자의 표면반응을 위한 수소, 붕소 화합물 가스 등의 2차가스가 아르곤 가스와 함께 상기 쿼츠 튜브의 내측 및 외측으로 분리 공급되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) C08L 101/10 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020090010797 (2009.02.10)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1053836-0000 (2011.07.28)
공개번호/일자 10-2010-0091554 (2010.08.19) 문서열기
공고번호/일자 (20110803) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.10)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장보윤 대한민국 대전광역시 유성구
2 고창현 대한민국 대전광역시 서구
3 이정철 대한민국 대전광역시 유성구
4 김준수 대한민국 대전광역시 유성구
5 박주석 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2009-0082757-57
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0092035-91
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2009-0493428-70
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0035810-94
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0050041-40
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.01.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0050043-31
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0417584-18
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
외벽에 ICP(Inductive Coupled Plasma) 코일이 권취되고, 내부에 튜브가 삽입되는 반응기(Reactor)를 포함하며, 실리콘 나노입자 형성을 위한 1차가스 및 실리콘 나노입자의 표면반응을 위한 2차가스가 상기 튜브의 내측 및 외측으로 분리 공급되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노입자 제조 장치
2 2
제1항에 있어서, 상기 튜브는 하단이 상기 ICP 코일의 상부에 위치하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노입자 제조 장치
3 3
제1항에 있어서, 상기 1차가스는 아르곤(Ar) 및 실란(SiH4)이 혼합된 가스인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노입자 제조 장치
4 4
제1항에 있어서, 상기 2차가스는 실리콘 나노입자의 표면을 처리하기 위한 수소(H2) 가스를 포함하는 가스인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노입자 제조 장치
5 5
제1항에 있어서, 상기 2차가스는 실리콘 나노입자의 표면을 도핑(Doping)하기 위한 보론(B) 또는 인(P) 화합물 가스를 포함하는 가스인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노입자 제조 장치
6 6
내부에 튜브가 삽입되어, 실리콘 나노입자 형성을 위한 1차가스 및 실리콘 나노입자의 표면반응을 위한 2차가스가 상기 튜브의 내측 및 외측으로 분리 공급되는 가스공급부; 상기 가스 공급부의 하부에 위치하며, 외벽에 ICP 코일이 권취되는 리액터부; 상기 리액터부의 하부에 위치하며, 상기 리액터부에서 형성된 실리콘 나노입자가 급냉 및 분산되는 분산부; 및 상기 분산부의 하부에 위치하며, 상기 실리콘 나노입자를 포획하는 포획부를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노입자 제조 장치
7 7
제6항에 있어서, 상기 튜브는 쿼츠 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 실리콘 나노입자 제조 장치
8 8
제6항에 있어서, 상기 튜브는 하단이 상기 ICP 코일의 상부에 위치하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노입자 제조 장치
9 9
제6항에 있어서, 상기 1차가스는 아르곤 및 실란이 혼합된 가스인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노입자 제조 장치
10 10
제6항에 있어서, 상기 2차가스는 실리콘 나노입자의 표면을 처리하기 위한 수소 가스를 포함하는 가스인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노입자 제조 장치
11 11
제6항에 있어서, 상기 2차가스는 실리콘 나노입자의 표면을 도핑하기 위한 보론 또는 인 화합물 가스를 포함하는 가스인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노입자 제조 장치
12 12
제6항에 있어서, 상기 포획부는 메쉬 필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노입자 제조 장치
13 13
제6항에 있어서, 상기 분산부에 아르곤 가스가 별도로 공급되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노입자 제조 장치
14 14
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