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태양전지용 Ｃｕ－Ｉｎ－Ｚｎ－Ｓｎ－（Ｓｅ，Ｓ）계 박막 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015152663
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지용 Cu-In-Zn-Sn-(Se,S)계 박막 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 In의 사용양을 저감시키면서 변환 효율이 우수한 태양전지용 Cu-In-Zn-Sn-(Se,S)계 박막 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 태양전지, 광흡수층, Cu-In-Zn-Sn-(Se,S)계 박막, In, 비용절감, 변환효율
Int. CL H01L 31/0445 (2014.01) H01L 31/0749 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020090125004 (2009.12.15)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1094326-0000 (2011.12.08)
공개번호/일자 10-2011-0068157 (2011.06.22) 문서열기
공고번호/일자 (20111219) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.15)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤재호 대한민국 대전광역시 유성구
2 윤경훈 대한민국 대전광역시 유성구
3 안세진 대한민국 대전광역시 유성구
4 곽지혜 대한민국 경기도 성남시 분당구
5 신기식 대한민국 대전광역시 유성구
6 김규호 대한민국 대구광역시 수성구
7 김진혁 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2009-0775699-62
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2011-0026415-68
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.04.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0188559-71
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.06.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0424488-51
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.06.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0424485-14
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.12.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0713577-64
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
태양전지에서 광흡수층으로 사용되고, (Zn+Sn)/(In+Zn+Sn)이 O 초과 0
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 태양전지용 Cu-In-Zn-Sn-(Se,S)계 박막은 CuInZnSnS4 박막, CuInZnSnSe2 박막 또는 CuInZnSnS4Se2 박막인 것을 특징으로 하는 태양전지용 Cu-In-Zn-Sn-(Se,S)계 박막
3 3
삭제
4 4
(Zn+Sn)/(In+Zn+Sn)이 O 초과 0
5 5
삭제
6 6
기판 상에 Cu2ZnSnS4 박막을 형성하는 단계(단계 1); 및 상기 단계 1에서 형성된 Cu2ZnSnS4 박막 상에 In 및 Se을 증착시키는 단계(단계 2)를 포함하고, (Zn+Sn)/(In+Zn+Sn)이 0 초과 0
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 단계 2에서 Cu2ZnSnS4 박막 상에 In 및 Se을 증착시키는 단계 2는 동시진공증발법, MOCVD 방법 또는 전착 방법을 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 Cu-In-Zn-Sn-(Se,S)계 박막의 제조방법
8 8
청구항 6에 있어서, 상기 단계 2에서 Cu2ZnSnS4 박막 상에 In 및 Se을 증착시키는 단계는 동시진공증발법을 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 Cu-In-Zn-Sn-(Se,S)계 박막의 제조방법
9 9
청구항 6에 있어서, 상기 단계 2에서 Cu2ZnSnS4 박막 상에 In 및 Se을 증착시키는 과정에서 기판 온도는 400~600℃인 것을 특징으로 하는 태양전지용 Cu-In-Zn-Sn-(Se,S)계 박막의 제조방법
10 10
청구항 6에 있어서, 상기 기판은 몰리브덴이 후면전극으로 형성된 소다라임 유리기판인 것을 특징으로 하는 태양전지용 Cu-In-Zn-Sn-(Se,S)계 박막의 제조방법
11 11
삭제
12 12
기판 상에 CuInSe2 박막을 형성하는 단계(단계 A); 및 상기 CuInSe2 박막 상에 Zn, Sn 및 Se를 증착하여 CuInZnSnSe2 박막을 형성하는 단계(단계 B)를 포함하고, (Zn+Sn)/(In+Zn+Sn)이 O 초과 0
13 13
청구항 12에 있어서, 상기 CuInSe2 박막 상에 Zn, Sn 및 Se를 증착시키는 과정에서 기판 온도는 300~400 ℃인 것을 특징으로 하는 태양전지용 Cu-In-Zn-Sn-(Se,S)계 박막의 제조방법
14 14
청구항 12에 있어서, 상기 CuInSe2 박막 상에 Zn, Sn 및 Se를 증착시키는 단계는 동시진공증발법, MOCVD 방법 또는 전착 방법을 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 Cu-In-Zn-Sn-(Se,S)계 박막의 제조방법
15 15
청구항 12에 있어서, 상기 CuInSe2 박막 상에 Zn, Sn 및 Se를 증착시키는 단계 B는 동시진공증발법을 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 Cu-In-Zn-Sn-(Se,S)계 박막의 제조방법
16 16
청구항 12에 있어서, 상기 기판은 몰리브덴이 후면전극으로 형성된 소다라임 유리기판인 것을 특징으로 하는 태양전지용 Cu-In-Zn-Sn-(Se,S)계 박막의 제조방법
17 17
삭제
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102652368 CN 중국 FAMILY
2 US08747706 US 미국 FAMILY
3 US20120103420 US 미국 FAMILY
4 WO2011074784 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
5 WO2011074784 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102652368 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN102652368 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 US2012103420 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US8747706 US 미국 DOCDBFAMILY
5 WO2011074784 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
6 WO2011074784 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국에너지기술연구원 신재생에너지 기술개발사업 범용 소재를 이용한 Se, S계 저가 화합물 박막 태양전지 원천기술개발