맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

백색발광다이오드용 형광체 박막 및 이를 이용하여 제조한 백색발광다이오드

  • 기술번호 : KST2015152706
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 백색발광다이오드용 형광체 박막 및 이를 이용하여 제조한 백색 발광다이오드에 관한 것으로, 하기 [화학식 1]로 표시되는 조성으로 이루어지며, 100 ∼ 2000nm 두께를 갖는 형광체 박막을 물리적 증착법 또는 화학적 증착법으로 형성함으로써, 조명용으로 사용될 수 있는 높은 연색성과 발광 효율을 가지는 백색발광다이오드를 제작할 수 있도록 하는 방법에 관한 것이다.[화학식 1](M11-xM2x)2-yReySiO4 (0≤x≤1, 0.01≤y≤1.5)여기서, M1 및 M2는 Ca, Mg, Sr 및 Ba 중 선택된 금속이고, Re는 Eu, Ce, Pr, Sm 및 Mn 중 선택된 어느 하나의 원소이다.
Int. CL C09K 11/79 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01)
CPC C09K 11/59(2013.01) C09K 11/59(2013.01) C09K 11/59(2013.01) C09K 11/59(2013.01)
출원번호/일자 1020100044907 (2010.05.13)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1227403-0000 (2013.01.23)
공개번호/일자 10-2011-0125401 (2011.11.21) 문서열기
공고번호/일자 (20130129) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.05.13)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 장보윤 대한민국 대전광역시 유성구
2 김준수 대한민국 대전광역시 유성구
3 박주석 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2010-0308108-05
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.08.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.09.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0075584-03
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.04.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0204597-17
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0448718-54
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0538252-13
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0625002-35
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.09.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0718120-73
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.09.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0718121-18
11 등록결정서
Decision to grant		 2013.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0039399-81
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
하기 [화학식 1]로 표시되는 조성 및 100 ~ 2000nm의 두께로 형성되어,녹색광 및 적색광을 동시에 발광하는 것을 특징으로 하는 백색발광다이오드용 형광체 박막
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
하기 [화학식 2]로 표시되는 조성 및 100 ~ 2000nm의 두께로 형성되어,녹색 및 적색광을 동시에 발광하는 것을 특징으로 하는 백색발광다이오드용 형광체 박막
12 12
삭제
13 13
청색광을 방출하는 반도체층 상부에, 제 8 항 또는 제11항의 백색발광다이오드용 형광체 박막을 형성하되, 상기 백색발광다이오드용 형광체 박막을 물리적 증착법 또는 화학적 증착법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 백색발광다이오드용 형광체 박막 제조 방법
14 14
제 13 항에 있어서,상기 물리적 증착법은 스퍼터링(Sputtering), 전자빔증착법(E-beam evaporation), 열증착법(Thermal evaporation), 레이저분자빔증착법(L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy) 및 펄스레이저증착법(PLD, Pulsed Laser Deposition) 중 선택된 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 백색발광다이오드용 형광체 박막 제조 방법
15 15
제 13 항에 있어서,상기 화학적 증착법은 유기금속증착법을 이용하거나, 알콕사이드 용액 또는 금속 유기용액을 이용하여 액상 증착 후 환원분위기에서 열처리하는 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 백색발광다이오드용 형광체 박막 제조 방법
16 16
제 13 항 에 기재된 방법으로 제조된 백색발광다이오드용 형광체 박막; 및상기 백색발광다이오드용 형광체 박막 상부에 형성되는 포탄형, 표면 실장형 및 상부 렌즈형 중 어느 하나의 몰딩층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 백색 발광다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.