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자체 전력으로 후면을 가열하는 저열화 실리콘 박막 태양 전지

  • 기술번호 : KST2015152743
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 박막 태양 전지에 관한 것으로서, 특히 태양 전지에서 생산되는 전기 중 일부로 태양 전지의 후면 온도를 상승시켜 열화를 감소시키고 장기간 동안의 전체 발전량을 개선시킬 수 있는 자체 전력으로 후면을 가열하는 저열화 실리콘 박막 태양 전지에 대한 것이다. 본 발명의 태양 전지는, 제 1 태양 전지; 제 2 태양 전지; 및 상기 제 2 태양 전지와 전기적으로 접속되며, 상기 제 1 태양 전지 및 상기 제 2 태양 전지의 후면에 위치하는 발열층을 포함한다. 또한, 이에 따라 본 발명은 태양 전지의 일부 태양 전지 셀 라인에서 자체 생산되는 전기로 발열층을 가열하여 태양 전지 후면의 온도를 상승시켜 열화를 감소시키고, 열화에 따른 손상 및 오작동을 방지할 수 있는 자체 전력으로 후면을 가열하는 저열화 실리콘 박막 태양 전지를 제공할 수 있다.
Int. CL H01L 31/0445 (2014.01)
CPC H01L 31/052(2013.01) H01L 31/052(2013.01) H01L 31/052(2013.01)
출원번호/일자 1020100074576 (2010.08.02)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1145180-0000 (2012.05.04)
공개번호/일자 10-2012-0012562 (2012.02.10) 문서열기
공고번호/일자 (20120514) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.08.02)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박상현 대한민국 대전광역시 유성구
2 이정철 대한민국 대전광역시 유성구
3 조준식 대한민국 대전광역시 유성구
4 윤경훈 대한민국 대전광역시 유성구
5 윤재호 대한민국 대전광역시 중구
6 안세진 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.08.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0497869-08
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2010-0517890-16
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0629403-35
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.12.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-1042536-29
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-1042537-75
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
7 등록결정서
Decision to grant
2012.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0252918-39
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 태양 전지; 및제 2 태양 전지로 이루어지며,상기 제 1 태양 전지 및 상기 제 2 태양 전지의 후면에 위치하며, 상기 제 1 태양 전지와 전기적으로 접속되어 제1 태양 전지로부터 전원을 공급받아 열을 생성하는 발열층을 포함하는 것을 특징으로 하는, 자체 전력으로 후면을 가열하는 저열화 실리콘 박막 태양 전지
2 2
청구항 1에 있어서,상기 제 1 태양 전지와 상기 제 2 태양 전지가 일체로 형성된 것을 특징으로 하는, 자체 전력으로 후면을 가열하는 저열화 실리콘 박막 태양 전지
3 3
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 발열층이 열선을 포함하는 것을 특징으로 하는, 자체 전력으로 후면을 가열하는 저열화 실리콘 박막 태양 전지
4 4
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 태양 전지의 온도를 측정하는 온도 센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 자체 전력으로 후면을 가열하는 저열화 실리콘 박막 태양 전지
5 5
청구항 4에 있어서,상기 온도 센서에서 측정된 온도에 따라 상기 발열층으로 공급되는 전력을 조절하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는, 자체 전력으로 후면을 가열하는 저열화 실리콘 박막 태양 전지
6 6
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 제 1 태양 전지와 상기 제 2 태양 전지가,유리 기판;상기 유리 기판의 하면에 형성된 투명 전도막;상기 투명 전도막의 하면에 형성된 비정질 실리콘 박막; 및 상기 비정질 실리콘 박막의 하면에 형성된 후면 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는, 자체 전력으로 후면을 가열하는 저열화 실리콘 박막 태양 전지
7 7
청구항 6에 있어서,상기 비정질 실리콘 박막이 a-Si:H를 포함하는 것을 특징으로 하는, 자체 전력으로 후면을 가열하는 저열화 실리콘 박막 태양 전지
8 8
청구항 6에 있어서,상기 비정질 실리콘 박막이 μc-Si:H를 포함하는 것을 특징으로 하는, 자체 전력으로 후면을 가열하는 저열화 실리콘 박막 태양 전지
9 9
청구항 6에 있어서,상기 비정질 실리콘 박막층이 p-i-n층 또는 n-i-p층 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 자체 전력으로 후면을 가열하는 저열화 실리콘 박막 태양 전지
10 10
청구항 6에 있어서,상기 후면 전극이 알루미늄 또는 은으로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 자체 전력으로 후면을 가열하는 저열화 실리콘 박막 태양 전지
11 11
청구항 6에 있어서,상기 투명 전도막이 ITO 또는 FTO로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 자체 전력으로 후면을 가열하는 저열화 실리콘 박막 태양 전지
12 12
청구항 6에 있어서,상기 발열층이 상기 비정질 실리콘 박막과 상기 후면 전극 사이에 형성된 것을 특징으로 하는, 자체 전력으로 후면을 가열하는 저열화 실리콘 박막 태양 전지
13 13
청구항 6에 있어서,상기 발열층이 상기 후면 전극의 하면에 구비된 것을 특징으로 하는, 자체 전력으로 후면을 가열하는 저열화 실리콘 박막 태양 전지
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제기술부 한국에너지기술연구원 신재생에너지기술개발사업 실리콘박막태양전지의 열화메커니즘 규명 및 가속열화모델개발