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ＣＩＧＳ 박막의 용액상 제조방법 및 이에 의해 제조된 ＣＩＧＳ 박막

  • 기술번호 : KST2015152752
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 CIGS 박막의 용액상 제조방법에 관한 것으로서, (S1) 구리 전구체를 점성의 다가 알코올계 용매에 용해시켜 형성된 용액 A를 기판에 도포하는 단계; (S2) 상기 용액 A가 코팅된 기판을 200℃～250℃의 온도에서 1분 이상 건조하는 단계; (S3) 상기 용매에 인듐 전구체, 갈륨 전구체 및 셀레늄 전구체 각각을 용해시켜 형성된 용액의 혼합물인 혼합 용액 B를 상기 용액 A가 코팅된 기판에 도포하는 단계; (S4) 상기 (S3) 단계에서 얻은 기판을 200℃～250℃의 온도에서 1분 이상 건조하는 단계; 및 (S5) 기판 표면을 세척하고 건조하는 단계를 포함하고, (S1)～(S5) 단계를 1주기로 하여 1회 이상 반복한 후 생성된 박막을 어닐링 처리하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 방법은 간단한 공정 방식으로서 박막 성장 속도가 매우 빨라 소용되는 비용 및 시간을 절감할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0445 (2014.01)
CPC H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01)
출원번호/일자 1020100097439 (2010.10.06)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1116705-0000 (2012.02.08)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120313) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.10.06)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고창현 대한민국 대전광역시 서구
2 김종남 대한민국 대전광역시 유성구
3 박종호 대한민국 대전광역시 유성구
4 박성열 대한민국 대전광역시 유성구
5 황정연 대한민국 대전광역시 유성구
6 윤재호 대한민국 대전광역시 중구
7 윤경훈 대한민국 대전광역시 유성구
8 안세진 대한민국 대전광역시 유성구
9 곽지혜 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.10.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0646182-02
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.12.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0798326-55
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.09.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.10.20 수리 (Accepted) 9-1-2011-0084982-72
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0752619-42
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.12.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-1055647-93
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-1055646-47
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
9 등록결정서
Decision to grant		 2012.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0058321-97
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
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번호 청구항
1 1
CIGS 박막의 용액상 제조방법으로서,(S1) 구리 전구체를 점성의 다가 알코올계 용매에 용해시켜 형성된 용액 A를 기판에 도포하는 단계;(S2) 상기 용액 A가 코팅된 기판을 200℃～250℃의 온도에서 1분 이상 건조하는 단계;(S3) 상기 용매에 인듐 전구체, 갈륨 전구체 및 셀레늄 전구체 각각을 용해시켜 형성된 용액의 혼합물인 혼합 용액 B를 상기 용액 A가 코팅된 기판에 도포하는 단계;(S4) 상기 (S3) 단계에서 얻은 기판을 200℃～250℃의 온도에서 1분 이상 건조하는 단계; 및(S5) 기판 표면을 세척하고 건조하는 단계를 포함하고, (S1)～(S5) 단계를 1주기로 하여 1회 이상 반복한 후 생성된 박막을 어닐링 처리하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 용액상 제조방법
2 2
CIGS 박막의 용액상 제조방법으로서,(S1) 인듐 전구체, 갈륨 전구체 및 셀레늄 전구체 각각을 점성의 다가 알코올계 용매에 용해시켜 형성된 용액의 혼합물인 혼합 용액 B를 기판에 도포하는 단계;(S2) 상기 용액 B가 코팅된 기판을 200℃～250℃의 온도에서 1분 이상 건조하는 단계;(S3) 구리 전구체를 상기 용매에 용해시켜 형성된 용액 A를 상기 용액 B가 코팅된 기판에 도포하는 단계;(S4) 상기 (S3) 단계에서 얻은 기판을 200℃～250℃의 온도에서 1분 이상 건조하는 단계; 및(S5) 기판 표면을 세척하고 건조하는 단계를 포함하고, (S1)～(S5) 단계를 1주기로 하여 1회 이상 반복한 후 생성된 박막을 어닐링 처리하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 용액상 제조방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (S2) 단계와 (S3) 단계 사이에, 기판 표면을 세척 및 건조하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 용액상 제조방법
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 점성의 다가 알코올계 용매는 에틸렌글리콜 또는 프로필렌글리콜인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 용액상 제조방법
5 5
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (S1) 및 (S3) 단계에서 용액을 도포하는 방식은, 스핀 코팅법을 사용하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 용액상 제조방법
6 6
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 점성의 다가 알코올계 용매가 프로필렌글리콜이고,상기 (S2) 및 (S4) 단계는 220℃ 이상 230℃ 미만의 온도에서 1 내지 5분 동안 건조하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 용액상 제조방법
7 7
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 점성의 다가 알코올계 용매가 에틸렌글리콜이고,상기 (S2) 및 (S4) 단계는 200℃～220℃의 온도에서 1 내지 5분 동안 건조하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 용액상 제조방법
8 8
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 용액 A는 0
9 9
제1항 또는 제2항에 있어서, 생성된 CIGS 박막을 어닐링 처리하는 방식은, 비활성 기체 분위기 하에서 350～450℃에서 2시간 유지하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 용액상 제조방법
10 10
제1항 또는 제2항에 있어서, 생성된 CIGS 박막을 어닐링 처리하는 방식은, 질소 분위기 하에서 400℃에서 2시간 유지하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 용액상 제조방법
11 11
제1항 또는 제2항에 있어서, 생성된 CIGS 박막을 어닐링 처리하는 방식은, 500-550℃에서 급속 열적 어닐링(RTA)을 사용하여 3분 내지 5분간 처리하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 용액상 제조방법
12 12
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 구리 전구체는 Cu(NO3)3이고, 상기 인듐 전구체는 In(NO3)3이고, 상기 갈륨 전구체는 Ga(NO3)3인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 용액상 제조방법
13 13
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 셀레늄 전구체는 셀레늄 원소의 알칼리금속염인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 용액상 제조방법
14 14
제13항에 있어서,상기 셀레늄 전구체는 Na2Se인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 용액상 제조방법
15 15
구리 전구체를 점성의 다가 알코올계 용매에 용해시켜 형성된 용액 A를 기판에 도포하고 200℃～250℃의 온도에서 1분 내지 10분 동안 건조하는 과정과, 상기 용매에 인듐 전구체, 갈륨 전구체 및 셀레늄 전구체 각각을 용해시켜 형성된 용액의 혼합물인 혼합 용액 B를 기판에 도포하고 200℃～250℃의 온도에서 1분 내지 10분 동안 건조하는 과정을 교대로 수행한 후 기판 표면을 세척하고 건조하는 과정을 1회 이상 반복한 후 어닐링 처리하여 제조된 CIGS 박막
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패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국에너지기술연구원 원천기술개발사업/미래기반기술개발사업/신기술융합형 성장동력 사업 화학적 방식에 의한 고효율 저가 CIGS 박막 태양전지 소재 개발