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고밀도를 갖는 태양전지용 ＣＩＳ계 화합물 박막의 제조방법 및 상기 ＣＩＳ계 화합물 박막을 이용한 박막 태양전지의 제조방법
- 기술번호 : KST2015152769
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 비진공 코팅법으로 CIS 화합물 나노분말, CIGS 화합물 나노분말 또는 CZTS 화합물 나노분말을 코팅한 후, CIS 화합물 나노분말들 사이의 공극에 구리, 인듐, 갈륨, 아연, 주석 등의 충진원소를 개재시켜 열처리함으로써 고밀도를 갖는 CIS계 화합물 박막 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 고밀도를 갖는 CIS계 화합물 박막을 박막 태양전지의 광흡수층으로 사용하여 고효율의 박막 태양전지를 제조할 수 있다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 31/0445 (2014.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020100069923 (2010.07.20) |
| 출원인 | 한국에너지기술연구원 |
| 등록번호/일자 | 10-1129194-0000 (2012.03.15) |
| 공개번호/일자 | 10-2012-0015367 (2012.02.21) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20120326) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2010.07.20) |
| 심사청구항수 | 20 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국에너지기술연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 안세진 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 2 | 윤재호 | 대한민국 | 대전광역시 중구 |
| 3 | 곽지혜 | 대한민국 | 대전광역시 서구 |
| 4 | 조아라 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 5 | 윤경훈 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 6 | 신기식 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 7 | 안승규 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 8 | 송기봉 | 대한민국 | 대전광역시 서구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인다울 | 대한민국 | 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국에너지기술연구원 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2010.07.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0467179-65 |
| 2 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.09.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0558359-70 |
| 3 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.10.24 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0832272-11 |
| 4 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.10.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0832274-02 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.01.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5001923-88 |
| 6 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.03.06 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0133139-76 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.01.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5003356-15 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0013224-83 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.01.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5010650-13 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.01.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5004978-55 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5166801-48 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5166803-39 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.09.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5197654-62 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 CIS계 화합물 나노입자를 제조하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 제조한 CIS계 화합물 나노입자 및 바인더를 용매에 용해시켜 CIS계 화합물 슬러리를 제조하는 단계(단계 2);충진원소함유 염 및 바인더를 용매에 용해시켜 충진원소함유 슬러리를 제조하는 단계로서, 상기 충진원소함유 염이 구리염, 인듐염, 갈륨염, 아연염 및 주석염으로 이루어진 군으로부터 선택된 2종 이상의 혼합염인 단계(단계 3);상기 단계 2의 CIS계 화합물 슬러리와 상기 단계 3의 충진원소함유 슬러리를 혼합하여 혼합 슬러리를 제조하는 단계(단계 4); 및상기 단계 4의 혼합 슬러리를 코팅하여 CIS계 화합물 박막을 형성한 후 열처리 공정을 수행하는 단계(단계 5); 를 포함하는 고밀도를 갖는 CIS계 화합물 박막의 제조방법 |
| 2 |
2 CIS계 화합물 나노입자를 제조하는 단계(단계 A);상기 단계 A에서 제조한 CIS계 화합물 나노입자 및 바인더를 용매에 용해시켜 CIS계 화합물 슬러리를 제조하는 단계(단계 B);상기 단계 B에서 제조된 CIS계 화합물 슬러리를 코팅하여 CIS계 화합물 박막을 형성하는 단계(단계 C);충진원소함유 염 및 바인더를 용매에 용해시켜 충진원소함유 슬러리를 제조하는 단계로서, 상기 충진원소함유 염이 구리염, 인듐염, 갈륨염, 아연염 및 주석염으로 이루어진 군으로부터 선택된 2종 이상의 혼합염인 단계(단계 D); 및상기 단계 C에서 형성된 CIS계 화합물 박막 상에 상기 단계 D에서 제조한 충진원소함유 슬러리를 코팅한 후 열처리 공정을 수행하는 단계(단계 E);를 포함하는 고밀도를 갖는 CIS계 화합물 박막의 제조방법 |
| 3 |
3 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 CIS계 화합물 나노입자는 CIS 화합물 나노입자, CIGS 화합물 나노입자 또는 CZTS 화합물 나노입자인 것을 특징으로 하는, 고밀도를 갖는 CIS계 화합물 박막의 제조방법 |
| 4 |
4 삭제 |
| 5 |
5 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 충진원소함유 슬러리는 셀레늄 화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 고밀도를 갖는 CIS계 화합물 박막의 제조방법 |
| 6 |
6 청구항 5에 있어서,상기 셀레늄 화합물은 SeO2, SeCl4 및 셀레노우레아로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는, 고밀도를 갖는 CIS계 화합물 박막의 제조방법 |
| 7 |
7 청구항 1 또는 2에 있어서,상기 구리염은 CuCl, Cu-아세테이트,Cu(NO3)2 , CuI 및 CuSO4로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는, 고밀도를 갖는 CIS계 화합물 박막의 제조방법 |
| 8 |
8 청구항 1 또는 2에 있어서,상기 인듐염은 In(NO3)3, InCl3, In2(SO4)3 및 In-아세테이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는, 고밀도를 갖는 CIS계 화합물 박막의 제조방법 |
| 9 |
9 청구항 1 또는 2에 있어서,상기 갈륨염은 GaCl3, GaI3, Ga(NO3)3 및 Ga-아세테이트로 이루어진 군으로부터 선택되며, 상기 아연염은 ZnCl2, Zn(NO3)2 및 ZnI2으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 상기 주석염은 SnCl4인 것을 특징으로 하는, 고밀도를 갖는 CIS계 화합물 박막의 제조방법 |
| 10 |
10 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 용매는 에탄올, 메탄올, 펜탄올, 프로판올 및 부탄올을 포함하는 알코올계 용매인 것을 특징으로 하는, 고밀도를 갖는 CIS계 화합물 박막의 제조방법 |
| 11 |
11 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 바인더는 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 에틸셀룰로오스 및 폴리비닐피롤리돈으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는, 고밀도를 갖는 CIS계 화합물 박막의 제조방법 |
| 12 |
12 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 CIS계 화합물 박막은 스프레이법, 초음파 스프레이법, 스핀코팅법, 닥터블레이드법, 스크린 인쇄법 및 잉크젯 프린팅법으로 이루어진 군에서 선택된 비진공 코팅법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는, 고밀도를 갖는 CIS계 화합물 박막의 제조방법 |
| 13 |
13 청구항 1에 있어서,상기 단계 5에서 혼합 슬러리를 코팅하여 CIS계 화합물 박막을 형성한 후 건조 공정을 더 수행하고 열처리하는 것을 특징으로 하는, 고밀도를 갖는 CIS계 화합물 박막의 제조방법 |
| 14 |
14 청구항 2에 있어서,상기 단계 C에서 혼합 슬러리를 코팅하여 CIS계 화합물 박막을 형성한 후 건조 공정을 더 수행하며, 상기 단계 E에서 CIS계 화합물 박막 상에 충진원소함유 슬러리를 코팅한 후 건조 공정을 더 수행하는 것을 특징으로 하는, 고밀도를 갖는 CIS계 화합물 박막의 제조방법 |
| 15 |
15 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 열처리 공정은 400～550 ℃에서 Se 증기를 공급하면서 열처리하는 셀렌화 열처리 공정인 것을 특징으로 하는, 고밀도를 갖는 CIS계 화합물 박막의 제조방법 |
| 16 |
16 태양전지의 광흡수층으로 사용되는 CIS계 화합물 박막으로서,상기 CIS계 화합물 박막 내의 공극에 개재된 충진원소를 포함하며, 상기 충진원소는 구리, 인듐, 갈륨, 아연 및 주석으로 이루어진 군으로부터 선택된 2종 이상인 것을 특징으로 하는 고밀도를 갖는 CIS계 화합물 박막 |
| 17 |
17 청구항 16에 있어서,상기 CIS계 화합물 박막은 CIS 화합물 박막, CIGS 화합물 박막 또는 CZTS 화합물 박막인 것을 특징으로 하는 고밀도를 갖는 CIS계 화합물 박막 |
| 18 |
18 청구항 16에 있어서,상기 CIS계 화합물 박막은 400～550 ℃에서 Se 증기를 공급하면서 열처리되는 것을 특징으로 하는 고밀도를 갖는 CIS계 화합물 박막 |
| 19 |
19 CIS계 화합물 박막 내의 공극에 개재된 충진원소를 포함하며, 상기 충진원소는 구리, 인듐, 갈륨, 아연 및 주석으로 이루어진 군으로부터 선택된 2종 이상인 것을 특징으로 하는 고밀도를 갖는 CIS계 화합물 박막을 광흡수층으로서 포함하는, 박막 태양전지 |
| 20 |
20 CIS계 화합물 박막을 광흡수층으로서 포함하는 박막 태양전지의 제조방법으로서,상기 CIS계 화합물 박막은 CIS계 화합물 나노입자를 제조하는 단계;상기 제조된 CIS계 화합물 나노입자 및 바인더를 용매에 용해시켜 CIS계 화합물 슬러리를 제조하는 단계;충진원소함유 염 및 바인더를 용매에 용해시켜 충진원소함유 슬러리를 제조하는 단계로서, 상기 충진원소함유 염이 구리염, 인듐염, 갈륨염, 아연염 및 주석염으로 이루어진 군으로부터 선택된 2종 이상의 혼합염인 단계;상기 CIS계 화합물 슬러리와 상기 충진원소함유 슬러리를 혼합하여 혼합 슬러리를 제조하는 단계; 및상기 혼합 슬러리를 코팅하여 CIS계 화합물 박막을 형성한 후 열처리 공정을 수행하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는, 박막 태양전지의 제조방법 |
| 21 |
21 CIS계 화합물 박막을 광흡수층으로서 포함하는 박막 태양전지의 제조방법으로서,상기 CIS계 화합물 박막은 CIS계 화합물 나노입자를 제조하는 단계;상기 제조된 CIS계 화합물 나노입자 및 바인더를 용매에 용해시켜 CIS계 화합물 슬러리를 제조하는 단계;상기 제조된 CIS계 화합물 슬러리를 코팅하여 CIS계 화합물 박막을 형성하는 단계;충진원소함유 염 및 바인더를 용매에 용해시켜 충진원소함유 슬러리를 제조하는 단계로서, 상기 충진원소함유 염이 구리염, 인듐염, 갈륨염, 아연염 및 주석염으로 이루어진 군으로부터 선택된 2종 이상의 혼합염인 단계; 및상기 CIS계 화합물 박막 상에 상기 충진원소함유 슬러리를 코팅한 후 열처리 공정을 수행하는 단계를 수행하여 형성되는 것을 특징으로 하는, 박막 태양전지의 제조방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US08569102 | US | 미국 | FAMILY |
| 2 | US20130045565 | US | 미국 | FAMILY |
| 3 | WO2012011723 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
| 4 | WO2012011723 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US2013045565 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | US8569102 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 3 | WO2012011723 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
| 4 | WO2012011723 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | ①교육과학기술부 / ②지식경제부 | ①②한국에너지기술연구원 | ①신기술융합형성장동력사업 / ②협동연구사업 | ①화학적 방식에 의한 고효율 저가 CIGS 박막 태양전지 소재 개발 / ②용액화학기반형 저가/고효율 CIGS 박막 태양전지 기술개발 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1129194-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20100720 출원 번호 : 1020100069923 공고 연월일 : 20120326 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20120306 청구범위의 항수 : 20 유별 : H01L 31/042 발명의 명칭 : 고밀도를 갖는 태양전지용 ＣＩＳ계 화합물 박막의 제조방법 및 상기 ＣＩＳ계 화합물 박막을 이용한 박막 태양전지의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 412,500 원 | 2012년 03월 16일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 336,000 원 | 2015년 03월 13일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 336,000 원 | 2016년 03월 04일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 336,000 원 | 2017년 01월 02일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 602,000 원 | 2018년 02월 09일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 430,000 원 | 2018년 12월 11일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 430,000 원 | 2019년 12월 10일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2010.07.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0467179-65 |
| 2 | 의견제출통지서 | 2011.09.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0558359-70 |
| 3 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.10.24 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0832272-11 |
| 4 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.10.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0832274-02 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.01.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5001923-88 |
| 6 | 등록결정서 | 2012.03.06 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0133139-76 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.01.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5003356-15 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0013224-83 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.01.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5010650-13 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.01.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5004978-55 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5166801-48 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5166803-39 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.09.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5197654-62 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345175541 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2010-50309 |
| 연구과제명 | 화학적 방식에 의한 고효율 저가 CIGS 박막 태양전지 소재 개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한국에너지기술연구원 |
| 성과제출연도 | 2012 |
| 연구기간 | 200907~201406 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
| 과제고유번호 | 1415095168 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 산업-일반-협동8 |
| 연구과제명 | 용액공정/인쇄기법을 이용한 초저가 나노 박막태양전지 기술개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 지식경제부 |
| 연구주관기관명 | 한국화학연구원 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200812~201402 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
| 과제고유번호 | 1345139259 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2010-50309 |
| 연구과제명 | 화학적 방식에 의한 고효율 저가 CIGS 박막 태양전지 소재 개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한국에너지기술연구원 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200907~201406 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
| 과제고유번호 | 1415095168 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 산업-일반-협동8 |
| 연구과제명 | 용액공정/인쇄기법을 이용한 초저가 나노 박막태양전지 기술개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 지식경제부 |
| 연구주관기관명 | 한국화학연구원 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200812~201402 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
| 과제고유번호 | 1415109913 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10037233 |
| 연구과제명 | 고효율 박막태양전지용 결정질 칼코지나이드 개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 한국에너지기술연구원 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 201006~201405 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
특허성과
| [1020130108451] | CI(G)S 박막 제조 방법 | 새창보기 |
|---|---|---|
| [1020120150680] | 코어(Se)-쉘(Ag2Se) 나노입자를 이용한 A(C)IGS계 박막의 제조방법, 이에 의해 제조된 A(C)IGS계 박막 및 이를 포함하는 탠덤 태양전지 | 새창보기 |
| [1020120124609] | 태양전지용 그리드 전극, 그리드 전극 형성 방법 및 형성 장치 | 새창보기 |
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