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급속열처리 공정을 사용한 ＣＩＳ계 화합물 박막의 제조방법 및 상기 ＣＩＳ계 화합물 박막을 이용한 박막 태양전지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015152770
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비진공 코팅법으로 CIS계 화합물 박막을 형성한 후, 셀렌화 열처리 공정에서 급속열처리 공정을 이용하여 CIS계 화합물 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따라 CIS계 화합물 박막을 제조하는 경우 셀렌화 열처리 공정의 열처리량을 줄일 수 있으며 안정성이 우수한 셀렌화 열처리 공정을 수행하여, 제조단가가 낮으며 고밀도를 갖는 CIS계 화합물 박막을 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 31/0445 (2014.01)
CPC H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01)
출원번호/일자 1020100069933 (2010.07.20)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1137434-0000 (2012.04.10)
공개번호/일자 10-2012-0009668 (2012.02.02) 문서열기
공고번호/일자 (20120420) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.07.20)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안세진 대한민국 대전광역시 유성구
2 윤재호 대한민국 대전광역시 중구
3 곽지혜 대한민국 대전광역시 서구
4 조아라 대한민국 서울특별시 관악구
5 윤경훈 대한민국 대전광역시 유성구
6 신기식 대한민국 대전광역시 유성구
7 안승규 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0467238-61
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0561268-95
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.11.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0948672-02
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0948674-93
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
6 등록결정서
Decision to grant		 2012.04.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0202577-57
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
비진공 코팅법을 이용한 CIS계 화합물 박막의 제조방법으로,기판 상에 형성된 CIS계 화합물 박막에 대해 급속열처리 공정을 사용하여 셀렌화 열처리 공정을 수행하고, 상기 급속열처리 공정을 사용한 셀렌화 열처리 공정은 셀레늄 화합물 및 바인더를 알코올 용매에 용해시켜 셀레늄 전구체 용액을 제조하여 이를 상기 CIS계 화합물 박막 상에 코팅하여 증착시킨 후 600～700℃에서 1～5분 동안 급속열처리하여 수행하는 것을 특징으로 하는, 급속열처리 공정에 의한 CIS계 박막의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 CIS계 화합물 박막은 CIS 화합물 박막, CIGS 화합물 박막 또는 CZTS 화합물 박막인 것을 특징으로 하는, 급속열처리 공정에 의한 CIS계 박막의 제조방법
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
청구항 1에 있어서,상기 셀레늄 화합물은 SeO2, SeCl4 및 셀레노우레아로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는, 급속열처리 공정에 의한 CIS계 박막의 제조방법
6 6
청구항 1에 있어서,상기 바인더는 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 에틸셀룰로오스 및 폴리비닐피롤리돈으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는, 급속열처리 공정에 의한 CIS계 박막의 제조방법
7 7
삭제
8 8
청구항 1에 있어서, 상기 CIS계 화합물 박막 상에 Se는 4～5 ㎛로 증착되는 것을 특징으로 하는, 급속열처리 공정에 의한 CIS계 박막의 제조방법
9 9
청구항 1에 있어서,상기 CIS계 화합물 박막은 스프레이법, 초음파 스프레이법, 스핀코팅법, 닥터블레이드법, 스크린 인쇄법 및 잉크젯 프린팅법으로 이루어진 군에서 선택된 비진공 코팅법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는, 급속열처리 공정에 의한 CIS계 박막의 제조방법
10 10
CIS계 화합물 박막을 광흡수층으로 포함하는 박막 태양전지의 제조방법으로,상기 CIS계 화합물 박막이 비진공 코팅법으로 기판 상에 코팅된 후,셀레늄 화합물 및 바인더를 알코올 용매에 용해시켜 제조한 셀레늄 전구체 용액을 상기 CIS계 화합물 박막 상에 코팅하여 증착시킨 후 600～700℃에서 1～5분 동안 급속열처리하여 셀렌화 열처리 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는, 급속열처리 공정에 의한 CIS계 박막의 제조방법
11 11
청구항 10에 있어서,상기 CIS계 화합물 박막은 CIS 화합물 박막, CIGS 화합물 박막 또는 CZTS 화합물 박막인 것을 특징으로 하는, CIS계 박막 태양전지의 제조방법
12 12
삭제
13 13
삭제
14 14
청구항 10에 있어서,상기 셀레늄 화합물은 SeO2, SeCl4 및 셀레노우레아로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는, CIS계 박막 태양전지의 제조방법
15 15
청구항 10에 있어서,상기 바인더는 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 에틸셀룰로오스 및 폴리비닐피롤리돈으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는, CIS계 박막 태양전지의 제조방법
16 16
삭제
17 17
기판 상에 CIS계 화합물 박막이 비진공 코팅법으로 코팅된 후, 셀레늄 화합물 및 바인더를 알코올 용매에 용해시켜 제조한 셀레늄 전구체 용액을 상기 CIS계 화합물 박막 상에 코팅하여 증착시킨 후 600～700℃에서 1～5분 동안 급속열처리하여 셀렌화 열처리 공정을 수행하여 제조된 CIS계 화합물 박막을 광흡수층으로 포함하는 CIS계 박막 태양전지
18 18
CIS계 화합물 박막을 광흡수층으로서 포함하는 박막 태양전지의 제조방법으로서,상기 CIS계 화합물 박막은 기판 상에 비진공 코팅법으로 형성되고, 상기 CIS계 화합물 박막에 대해 셀레늄 화합물 및 바인더를 알코올 용매에 용해시켜 제조한 셀레늄 전구체 용액을 코팅하여 증착시킨 후 600～700℃에서 1～5분 동안 급속열처리 공정을 사용하여 셀렌화 열처리 공정을 수행하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 ①교육과학기술부 / ②지식경제부 ①②한국에너지기술연구원 ①신기술융합형성장동력사업 / ②협동연구사업 ①화학적 방식에 의한 고효율 저가 CIGS 박막 태양전지 소재 개발 / ②용액화학기반형 저가/고효율 CIGS 박막 태양전지 기술개발