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이성분계 나노입자를 포함하는 슬러리의 숙성 단계가 도입된 ＣＩ(Ｇ)Ｓ계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 ＣＩ(Ｇ)Ｓ계 박막

  • 기술번호 : KST2015152785
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 이성분계 나노입자를 포함하는 슬러리의 숙성 단계가 도입된 ＣＩ(Ｇ)Ｓ계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 ＣＩ(Ｇ)Ｓ계 박막이 제공된다. 본 발명의 CI(G)S계 박막의 제조방법은, CI(G)S계의 이성분계 나노입자를 제조하는 단계; 상기 이성분계 나노입자, CI(G)S계 원소를 포함하는 용액 전구체, 용매 및 킬레이트제를 혼합하여 하이브리드형 슬러리를 제조하는 단계; 상기 하이브리드형 슬러리를 5일 내지 10일 동안 숙성하는 단계; 숙성된 하이브리드형 슬러리를 코팅하여 CI(G)S계 박막을 형성하는 단계; 및 상기 형성된 CI(G)S 박막에 열처리하는 단계를 포함한다. 이에 의하여, CI(G)S계 태양전지 박막 제조 시 우수한 재현성 확보가 가능하고, 따라서 생산된 박막의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0749 (2012.01)
CPC H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01)
출원번호/일자 1020120080991 (2012.07.25)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1369167-0000 (2014.02.25)
공개번호/일자 10-2014-0021805 (2014.02.21) 문서열기
공고번호/일자 (20140314) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.25)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조아라 대한민국 대전광역시 유성구
2 윤경훈 대한민국 대전광역시 유성구
3 안세진 대한민국 대전광역시 유성구
4 윤재호 대한민국 대전광역시 중구
5 어영주 대한민국 대전광역시 유성구
6 안승규 대한민국 대전광역시 유성구
7 조준식 대한민국 대전광역시 유성구
8 유진수 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0593453-17
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0727057-86
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-1162586-52
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.12.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1162587-08
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
6 등록결정서
Decision to grant		 2014.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0129325-92
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
CI(G)S계의 이성분계 나노입자를 제조하는 단계(단계 a);상기 이성분계 나노입자, CI(G)S계 원소를 포함하는 용액 전구체, 용매 및 킬레이트제를 혼합하여 하이브리드형 슬러리를 제조하는 단계(단계 b);상기 하이브리드형 슬러리를 5일 내지 10일 동안 숙성하는 단계(단계 c);숙성된 하이브리드형 슬러리를 비진공 코팅하여 CI(G)S계 박막을 형성하는 단계(단계 d); 및상기 형성된 CI(G)S 박막에 셀렌화 열처리하는 단계(단계 e)를 포함하는 CI(G)S계 박막의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 이성분계 나노입자는,Cu-Se, In-Se, Ga-Se, Cu-S, In-S 및 Ga-S로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 CI(G)S계 박막의 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서,상기 단계 a는,저온 콜로이달 방법, 용매열 합성법, 마이크로웨이법 및 초음파 합성법로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 방법에 의하는 것을 특징으로 하는 CI(G)S계 박막의 제조방법
4 4
청구항 1에 있어서,상기 용액 전구체는,상기 이성분계 나노입자에 포함되지 않은 CI(G)S계 단일원소를 적어도 하나 포함하는 것을 특징으로 하는 CI(G)S계 박막의 제조방법
5 5
청구항 1에 있어서,상기 용매는,알코올계 용매인 것을 특징으로 하는 CI(G)S계 박막의 제조방법
6 6
청구항 5에 있어서,상기 알코올계 용매는,에탄올, 메탄올, 펜탄올, 프로판올 및 부탄올로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 CI(G)S계 박막 제조방법
7 7
청구항 1에 있어서,상기 킬레이트제는,모노에탄올아민(MEA), 디에탄올아민(DEA), 트리에탄올아민(TEA), 에틸렌디아민, 에틸렌디아민아세트산(EDTA), 니트릴로트리아세트산(NTA), 하이드록시에틸렌디아민트리아세트산(HEDTA), 글리콜-비스(2-아미노에틸에테르)-N,N,N',N'-테트라아세트산(GEDTA), 트리에틸렌테트라아민헥사아세트산(TTHA), 하이드록시에틸이미노디아세트산(HIDA) 및 디하이드록시에틸글리신(DHEG)으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 CI(G)S계 박막 제조방법
8 8
청구항 1에 있어서,상기 단계 b는,상기 슬러리 성분이 혼합 및 분산되도록 초음파 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CI(G)S계 박막 제조방법
9 9
청구항 1에 있어서,상기 단계 c는, 숙성 동안 초음파 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CI(G)S계 박막 제조방법
10 10
청구항 1에 있어서,상기 단계 d의 비진공 코팅은,스프레이법, 초음파 스프레이법, 스핀코팅법, 닥터블레이드법, 스크린 인쇄법 및 잉크젯 프린팅법 중 어느 하나로 수행하는 것을 특징으로 하는 CI(G)S계 박막 제조방법
11 11
청구항 1에 있어서,상기 단계 d는,코팅 후 건조하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CI(G)S계 박막 제조방법
12 12
청구항 11에 있어서,상기 단계 d는,상기 코팅 및 건조 단계를 순차적으로 반복하여 복수 회 수행하는 것을 특징으로 하는 CI(G)S계 박막 제조방법
13 13
청구항 1에 있어서,상기 단계 e는,500∼530℃의 기판 온도에서 60∼90분간 수행하는 것을 특징으로 하는 CI(G)S계 박막 제조방법
14 14
태양전지의 광흡수층으로 이용되는 CI(G)S계 박막으로서,상기 CI(G)S계 박막은, CI(G)S계의 이성분계 나노입자 및 CI(G)S계 단일원소를 적어도 하나 포함하는 용액 전구체를 포함하는 하이브리드형 슬러리를 5일 내지 10일 동안 숙성시킨 후 코팅된 박막인 CI(G)S계 박막이고,상기 이성분계 나노입자는 Cu-Se, In-Se, Ga-Se, Cu-S, In-S 및 Ga-S로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하며,상기 CI(G)S계 단일원소는 상기 이성분계 나노입자에 포함되지 않은 CI(G)S계 단일원소를 적어도 하나 포함하는 것을 특징으로 하는 CI(G)S계 박막
15 15
CI(G)S계 박막을 광흡수층으로 이용하는 태양전지로서,상기 CI(G)S계 박막은 CI(G)S계의 이성분계 나노입자 및 CI(G)S계 단일원소를 적어도 하나 포함하는 용액 전구체를 포함하는 하이브리드형 슬러리를 5일 내지 10일 동안 숙성시킨 후 코팅된 박막이고,상기 이성분계 나노입자는 Cu-Se, In-Se, Ga-Se, Cu-S, In-S 및 Ga-S로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하며,상기 CI(G)S계 단일원소는 상기 이성분계 나노입자에 포함되지 않은 CI(G)S계 단일원소를 적어도 하나 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국에너지기술연구원 신기술융합형 성장동력사업 화학적 방식에 의한 고효율 저가 CIGS 박막 태양전지 소재개발
2 지식경제부 한국에너지기술연구원 협동연구사업 용액화학기반형 저가/고효율 CIGS 박막 태양전지 기술개발