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실리콘 원료가 공급되는 실리콘 원료 투입부;공급된 실리콘 원료를 유도 용융 방식으로 용융하여 실리콘 용탕을 형성하는 실리콘 용융부;상기 실리콘 용탕을 공급받아 저장한 후, 상기 실리콘 용탕을 일정한 두께의 용융물로 토출하는 실리콘 용탕 저장부; 상기 실리콘 용탕 저장부의 하부에 배치되며, 상기 토출되는 실리콘 용융물을 이송하는 하부 이송기판; 및상기 이송되는 실리콘 용융물을 냉각하여 박판을 형성하는 실리콘 박판 형성부;를 포함하고,상기 실리콘 용융부는 상기 실리콘 원료를 저장하며, 하부에 출탕부가 형성되어 있는 도가니와, 상기 도가니 외측벽을 둘러싸는 유도 코일과, 상기 출탕부를 개폐하는 게이트를 구비하고,상기 실리콘 용탕 저장부에서 상기 실리콘 용탕의 표면 온도는 1300 ~ 1400 ℃이고, 상기 하부 이송기판의 온도는 800 ~ 1400 ℃ 이며, 상기 하부 이송기판의 이동속도는 300 ~ 1400 cm/min인 것을 특징으로 하는 연속주조법을 이용한 실리콘 박판 제조 장치
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제1항에 있어서, 상기 도가니는 외측벽과 내측벽을 관통하는 종방향의 복수의 슬릿이 형성되어 있는 원통형 구조를 갖는 흑연 도가니인 것을 특징으로 하는 연속주조법을 이용한 실리콘 박판 제조 장치
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제4항에 있어서, 상기 실리콘 용융부에서 형성되는 실리콘 용탕은 상기 흑연 도가니 내부의 중심방향으로 작용하는 전자기력에 의하여 상기 흑연 도가니의 내측벽에 접촉하지 않으면서 유도 용융되는 것을 특징으로 하는 연속주조법을 이용한 실리콘 박판 제조 장치
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제1항에 있어서, 상기 하부 이송기판이 상기 실리콘 용탕 저장부의 하부면을 정의하는 것을 특징으로 하는 연속주조법을 이용한 실리콘 박판 제조 장치
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제1항에 있어서, 상기 실리콘 용탕 저장부는하부 일측에 실리콘 용탕이 토출되는 토출부가 형성되어 있되, 상기 토출부의 하부면은 상기 하부 이송기판에 의하여 정의되는 것을 특징으로 하는 연속주조법을 이용한 실리콘 박판 제조 장치
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제7항에 있어서, 상기 토출부의 두께는 0
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제1항에 있어서, 상기 하부 이송기판은 실리콘과 열팽창계수가 다른 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 연속주조법을 이용한 실리콘 박판 제조 장치
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제9항에 있어서, 상기 하부 이송기판은 SiC, Si3N4, 그라파이트(Graphite), 고밀도카본, Al2O3 및 몰리브덴(Mo) 중에서 선택되는 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 연속주조법을 이용한 실리콘 박판 제조 장치
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제1항에 있어서, 상기 실리콘 박판 형성부는 불활성 가스 블로윙(blowing) 방식으로 실리콘 용융물을 냉각하는 것을 특징으로 하는 연속주조법을 이용한 실리콘 박판 제조 장치
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제1항에 기재된 장치를 이용하여 실리콘 박판을 제조하는 방법에 있어서, (a) 실리콘 용탕 저장부의 하부 일측에 토출부를 형성하는 하부 이송기판을 예비 가열하는 단계;(b) 실리콘 용융부 내부로 실리콘 원료를 장입하는 단계;(c) 상기 실리콘 용융부 내부에서 장입된 실리콘 원료를 용융하여 실리콘 용탕을 형성하는 단계;(d) 상기 실리콘 용융부 하부의 게이트를 개방하여 상기 실리콘 용탕을 출탕하는 단계;(e) 실리콘 용탕 저장부에서 상기 출탕되는 실리콘 용탕을 저장하는 단계;(f) 상기 하부 이송기판을 구동하여 상기 실리콘 용탕을 토출하는 단계; 및(g) 상기 하부 이송기판에 의하여 이송되는 실리콘 용용물을 냉각하여 박판을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 연속주조법을 이용한 실리콘 박판 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 (a) 단계에서 상기 하부 이송기판을 800 ~ 1400 ℃로 예비 가열하며, 상기 (e) 단계에서 상기 실리콘 용탕의 표면온도가 1300 ~ 1400 ℃가 되도록 실리콘 용탕 저장부의 내부 온도를 조절하고,상기 (f) 단계에서 상기 하부 이송기판을 300 ~ 1400 cm/min의 속도로 구동하는 것을 특징으로 하는 연속주조법을 이용한 실리콘 박판 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 (c) 단계는 유도 용융 방식으로 실리콘 원료를 용융시키는 것을 특징으로 하는 연속주조법을 이용한 실리콘 박판 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 하부 이송기판은 실리콘과 열팽창계수가 다른 것을 이용하는 것을 특징으로 하는 연속주조법을 이용한 실리콘 박판 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 (g) 단계는 불활성 가스 블로윙 방식으로 이송되는 실리콘 용용물을 냉각하는 것을 특징으로 하는 연속주조법을 이용한 실리콘 박판 제조 방법
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제12항 내지 제16항 중 어느 하나에 기재된 방법으로 제조되며, 200 ~ 400㎛ 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 기판
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