맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

탄소층이 감소한 ＣＩ(Ｇ)Ｓ계 박막의 제조방법, 이에 의해 제조된 박막 및 이를 포함하는 태양전지

  • 기술번호 : KST2015152890
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 CI(G)S계 원소를 포함하는 두 종류 이상의 이성분계 나노입자, CI(G)S계 원소를 포함하는 용액 전구체, 알코올계 용매 및 킬레이트제를 혼합하여 제조한 슬러리를 사용함으로써 CI(G)S계 박막과 몰리브데늄 사이에 형성되는 탄소층을 감소시킬 수 있는 CI(G)S계 박막의 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로는, 본 발명에 따른 CI(G)S계 박막의 제조방법은 CI(G)S계 원소를 포함하는 두 종류 이상의 이성분계 나노입자, CI(G)S계 원소를 포함하는 용액 전구체, 알코올계 용매 및 킬레이트제를 혼합하여 슬러리를 제조하는 단계(단계 a); 상기 슬러리를 비진공 코팅하여 CI(G)S계 박막을 형성하는 단계(단계 b); 및 상기 형성된 CI(G)S계 박막에 셀렌화 열처리하는 단계(단계 c)를 포함한다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0749 (2012.01)
CPC
출원번호/일자 1020120087925 (2012.08.10)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1388451-0000 (2014.04.17)
공개번호/일자 10-2014-0021841 (2014.02.21) 문서열기
공고번호/일자 (20140424) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.08.10)
심사청구항수 14

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 조아라 대한민국 대전광역시 유성구
2 윤경훈 대한민국 대전광역시 유성구
3 안세진 대한민국 대전광역시 유성구
4 윤재호 대한민국 대전광역시 중구
5 곽지혜 대한민국 대전 서구
6 신기식 대한민국 대전 유성구
7 박상현 대한민국 대전 유성구
8 박주형 대한민국 대전 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.08.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-0642622-76
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.10.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2013-0096484-41
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0805086-18
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2014-0045760-45
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.01.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0045763-82
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.04.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0258034-03
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
두 종류 이상의 이성분계 나노입자를 포함하는 슬러리를 이용한 CI(G)S계 박막의 제조방법으로서, CI(G)S계 원소를 포함하는 두 종류 이상의 이성분계 나노입자, CI(G)S계 원소를 포함하는 용액 전구체, 알코올계 용매 및 킬레이트제를 혼합하여 슬러리를 제조하는 단계(단계 a);상기 슬러리를 비진공 코팅하여 CI(G)S계 박막을 형성하는 단계(단계 b); 및상기 형성된 CI(G)S계 박막에 셀렌화 열처리하는 단계(단계 c)를 포함하는 CI(G)S계 박막의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 두 종류 이상의 이성분계 나노입자는,Cu-S, Cu-Se, In-Se, In-S, Ga-Se 및 Ga-S로 이루어지는 군으로부터 선택되는 이성분계 나노입자의 두 종류 이상의 조합인 것을 특징으로 하는 CI(G)S계 박막의 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서,상기 두 종류 이상의 이성분계 나노입자는,(Cu-S 나노입자, In-Se 나노입자), (Cu-S 나노입자, Ga-Se 나노입자) 및 (Cu-S 나노입자, In-Se 나노입자, Ga-Se 나노입자)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나의 조합인 것을 특징으로 하는 CI(G)S계 박막의 제조방법
4 4
청구항 1에 있어서,상기 이성분계 나노입자는,저온 콜로이달 방법, 용매열 합성법, 마이크로웨이법 및 초음파 합성법 중 어느 하나에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 CI(G)S계 박막의 제조방법
5 5
청구항 1에 있어서,상기 CI(G)S계 원소를 포함하는 용액 전구체는 인듐 아세테이트 또는 갈륨 아세틸 아세토네이트인 것을 특징으로 하는 CI(G)S계 박막의 제조방법
6 6
청구항 1에 있어서,상기 알코올계 용매는 에탄올, 메탄올, 펜탄올, 프로판올 및 부탄올로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 CI(G)S계 박막 제조방법
7 7
청구항 1에 있어서,상기 킬레이트제는모노에탄올아민(MEA), 디에탄올아민(DEA), 트리에탄올아민(TEA), 에틸렌디아민, 에틸렌디아민아세트산(EDTA), 니트릴로트리아세트산(NTA), 하이드록시에틸렌디아민트리아세트산(HEDTA), 글리콜-비스(2-아미노에틸에테르)-N,N,N',N'-테트라아세트산(GEDTA), 트리에틸렌테트라아민헥사아세트산(TTHA), 하이드록시에틸이미노디아세트산(HIDA) 및 디하이드록시에틸글리신(DHEG)으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 CI(G)S계 박막 제조방법
8 8
청구항 1에 있어서,상기 단계 a는 슬러리 성분이 혼합 및 분산되도록 초음파 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CI(G)S계 박막 제조방법
9 9
청구항 1에 있어서,상기 단계 b는 스프레이법, 초음파 스프레이법, 스핀코팅법, 닥터블레이드법, 스크린 인쇄법 및 잉크젯 프린팅법 중 어느 하나인 비진공 코팅법으로 수행하는 것을 특징으로 하는 CI(G)S계 박막 제조방법
10 10
청구항 1에 있어서,상기 단계 b는 코팅 후 건조하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CI(G)S계 박막 제조방법
11 11
청구항 1에 있어서,상기 단계 b는 코팅 및 건조 단계를 순차적으로 반복하여 복수 회 수행하는 것을 특징으로 하는 CI(G)S계 박막 제조방법
12 12
청구항 1에 있어서,상기 단계 c는 500∼530℃의 기판 온도에서 60∼90분간 셀레늄 증기를 공급하면서 열처리하는 것을 특징으로 하는 CI(G)S계 박막 제조방법
13 13
태양전지의 광흡수층으로 이용되는 CI(G)S계 박막으로서,청구항 1 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조된 것을 특징으로 하는 CI(G)S계 박막
14 14
CI(G)S계 박막을 광흡수층으로 이용하는 태양전지로서,상기 CI(G)S계 박막은 청구항 1 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조된 것을 특징으로 하는 태양전지
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20150162480 US 미국 FAMILY
2 WO2014025227 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2015162480 US 미국 DOCDBFAMILY
2 WO2014025227 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국에너지기술연구원 신기술융합형 성장동력사업 화학적 방식에 의한 고효율 저가 CIGS 박막 태양전지 소재개발
2 지식경제부 한국에너지기술연구원 협동연구사업 용액화학기반형 저가/고효율 CIGS 박막 태양전지 기술개발