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진공 챔버;
상기 진공 챔버 내부의 일측에 장착되는 용융 도가니;
상기 용융 도가니 내부의 금속 또는 비금속 원료를 상기 용융 도가니 내측벽에 무접촉 전자기 유도 용융하여 휘발시키는 전자기 유도 용융부;
상기 용융 도가니에서 휘발되는 금속 또는 비금속을 급냉 및 이송하기 위한 가스가 투입되는 가스 투입부;
상기 진공 챔버 내부의 다른 일측에 장착되며, 상기 가스에 의해 급냉되어 이송되는 금속 또는 비금속을 포집하는 포집부; 및
상기 포집부와 연결되며, 상기 가스를 배기시키는 진공 펌프;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노분말 제조 장치
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제1항에 있어서,
상기 용융 도가니는 원통의 형상으로, 외측벽과 내측벽을 관통하는 연직방향의 복수의 슬릿이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 나노분말 제조 장치
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제2항에 있어서,
상기 용융 도가니 내부의 금속 또는 비금속 원료는 상기 전자기 유도 용융부에 의해 용융되어 용탕을 형성하되,
상기 용탕은 도가니 중심방향으로 작용하는 전자기력에 의해 상기 용융 도가니의 내측벽에 무접촉 전자기 유도 용융되는 것을 특징으로 하는 나노분말 제조 장치
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제3항에 있어서,
상기 용융 도가니는 금속 원료일 경우 흑연 도가니 또는 수냉동 도가니이고, 비금속 원료일 경우 흑연 도가니인 것을 특징으로 하는 나노분말 제조 장치
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제1항에 있어서,
상기 전자기 유도 용융부는 교류 전류가 인가되는 유도 코일을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노분말 제조 장치
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제5항에 있어서,
상기 유도 코일에 인가되는 교류 전류는 10kHz 이하의 주파수를 갖는 것을 특징으로 하는 나노분말 제조 장치
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제1항에 있어서,
상기 가스 투입부는 상기 진공 챔버의 상부 및 측면부 중 적어도 하나에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 나노분말 제조 장치
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8
제1항에 있어서,
상기 가스는 아르곤(Ar) 가스인 것을 특징으로 하는 나노분말 제조 장치
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9
제8항에 있어서,
상기 가스는 급냉되는 금속 또는 비금속을 처리하기 위한 처리 가스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노분말 제조 장치
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제9항에 있어서,
상기 처리 가스는 상기 급냉된 나노분말의 표면을 패시베이션(passivation)하기 위한 패시베이션 가스 및 상기 급냉된 금속을 도핑(doping)하기 위한 도핑 가스 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노분말 제조 장치
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제10항에 있어서,
상기 패시베이션 가스는 수소(H2) 가스, 질소(N2) 가스 및 산소(O2) 가스 중에서 선택되는 하나 이상의 가스이고, 상기 도핑 가스는 붕소(B) 함유 가스 또는 인(P) 함유 가스인 것을 특징으로 하는 나노분말 제조 장치
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12
제1항 내지 제11항 중 어느 하나의 나노분말 제조 장치를 이용하여 제조된 나노 입자
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13
제12항에 있어서,
상기 나노 입자는 1~100nm의 입경을 갖는 것을 특징으로 하는 나노 입자
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14
제1항 내지 제11항 중 어느 하나의 나노분말 제조 장치를 이용하여 제조된 나노 와이어
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15
제14항에 있어서,
상기 나노 와이어는 1~100nm의 직경 및 적어도 500nm의 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 나노 와이어
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