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(S1) 이산화규소 분말과 카본블랙 분말을 혼합시켜 혼합분말체를 제조하는 단계:
(S2) 상기 혼합분말체를 반응로 바닥에 깔아 혼합분말층을 형성하는 단계;
(S3) 상기 혼합분말층 위에 실리콘 기판을 위치시키는 단계;
(S4) 상기 혼합분말층 및 실리콘 기판이 위치한 반응로 안을 진공처리하고, 아르곤 가스를 주입하면서 열처리하는 단계; 및
(S5) 상기 반응로를 냉각시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄화규소 후막의 형성방법
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제1항에 있어서,
상기 혼합분말체에서 이산화규소 분말 및 카본블랙 분말의 함량비는 각각 80 ~ 20 중량% 및 20 ~ 80 중량%인 것을 특징으로 하는 탄화규소 후막의 형성방법
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제1항에 있어서,
상기 (S1) 단계에서 상기 혼합분말체를 볼밀 공정을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 탄화규소 후막의 형성방법
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제1항에 있어서,
상기 반응로는 중앙부분과 하단부분의 온도차로 인한 온도 구배가 있는 것을 특징으로 하는 탄화규소 후막의 형성방법
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제1항에 있어서,
상기 (S4) 단계에서 열처리는 1250 ~ 1410℃의 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄화규소 후막의 형성방법
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6
제1항에 있어서,
상기 (S4) 단계에서 아르곤 가스를 상기 반응로 안에 0
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제1항에 있어서,
상기 (S4) 단계에서 반응로 안을 10-3Pa 이하로 진공처리 하는 것을 특징으로 하는 탄화규소 후막의 형성방법
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8
제1항에 있어서,
상기 (S5) 단계는 자연냉각에 의하는 것을 특징으로 하는 탄화규소 후막의 형성방법
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이산화규소 분말과 카본블랙 분말을 혼합시킨 혼합분말체를 반응로 바닥에 깔아 혼합분말층을 형성한 후, 그 위에 실리콘 기판을 위치시킨 후 순차적인 진공처리, 열처리 및 냉각처리를 통하여 형성한 탄화규소 후막
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이산화규소 분말과 카본블랙 분말을 혼합시킨 혼합분말체를 반응로 바닥에 깔아 혼합분말층을 형성한 후, 그 위에 실리콘 기판을 위치시킨 후 순차적인 진공처리, 열처리 및 냉각처리를 통하여 형성한 탄화규소 후막을 포함하여 이루어진 전기전자소자 기판
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이산화규소 분말과 카본블랙 분말을 혼합시킨 혼합분말체를 반응로 바닥에 깔아 혼합분말층을 형성한 후, 그 위에 실리콘 기판을 위치시킨 후 순차적인 진공처리, 열처리 및 냉각처리를 통하여 형성한 탄화규소 후막을 포함하여 이루어진 분리막
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