맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

Ｃｕ-Ｓｅ 이성분계 나노입자 플럭스를 이용한 Ｃｕ-Ｓｅ 박막을 포함하는 ＣＩ(Ｇ)Ｓ계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 ＣＩ(Ｇ)Ｓ계 박막

  • 기술번호 : KST2015152903
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 Cu-Se 이성분계 나노입자 플럭스를 이용한 CI(G)S계 박막의 제조방법 및 그 방법에 따라 제조된 CI(G)S계 박막이 제공된다. 본 발명의 CI(G)S계 박막의 제조방법은, Cu-Se 이성분계 나노입자 및 In 나노입자를 제조하는 단계; Cu-Se 이성분계 나노입자, 용매 및 바인더를 혼합하여 Cu-Se 이성분계 나노입자 포함 슬러리를 제조하고, In 나노입자, 용매 및 바인더를 혼합하여 In 포함 슬러리를 제조하는 단계; Cu-Se 이성분계 나노입자 포함 슬러리 및 In 포함 슬러리를 기판상에 순서에 관계없이 교대로 코팅하여 복수개의 층이 적층된 박막을 형성하는 단계; 및 상기 형성된 박막에 열처리하는 단계를 포함한다. 이에 의하여, Cu-Se 이성분계 나노입자는 열처리에 의해 플럭스로 작용하여 입자성장이 충분히 이루어지고, 공극을 채워 치밀한 구조의 박막을 형성하며, 궁극적으로 이를 포함하는 태양전지의 에너지 전환효율을 상승시킬 수 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0445 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020110071294 (2011.07.19)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1193106-0000 (2012.10.15)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20121019) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.07.19)
심사청구항수 13

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 조아라 대한민국 서울특별시 관악구
2 윤경훈 대한민국 대전광역시 유성구
3 윤재호 대한민국 대전광역시 중구
4 곽지혜 대한민국 대전광역시 서구
5 안세진 대한민국 대전광역시 유성구
6 신기식 대한민국 대전광역시 유성구
7 안승규 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0554299-99
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.05.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2012.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-0446353-46
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.06.25 수리 (Accepted) 9-1-2012-0051118-23
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0372879-27
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.08.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0669916-60
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0669917-16
9 등록결정서
Decision to grant		 2012.10.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0606339-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Cu-Se 이성분계 나노입자 및 In 나노입자를 제조하는 단계(단계 a);상기 Cu-Se 이성분계 나노입자, 용매 및 바인더를 혼합하여 Cu-Se 이성분계 나노입자 포함 슬러리를 제조하고, 상기 In 나노입자, 용매 및 바인더를 혼합하여 In 나노입자 포함 슬러리를 제조하는 단계(단계 b);상기 Cu-Se 이성분계 나노입자 포함 슬러리 및 상기 In 나노입자 포함 슬러리를 기판상에 순서에 관계없이 교대로 코팅하여 복수개의 층이 적층된 박막을 형성하는 단계(단계 c); 및셀레늄 증기를 공급하면서 520 내지 550℃의 기판 온도에서 60분 내지 90분 동안 상기 형성된 박막에 열처리하는 단계(단계 d)를 포함하는 Cu-Se 이성분계 나노입자 플럭스를 이용한 CI(G)S계 박막의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 단계 a는,저온 콜로이달 방법, 용매열 합성법, 마이크로웨이법 및 초음파 합성법 중 어느 하나에 의하는 것을 특징으로 하는 Cu-Se 이성분계 나노입자 플럭스를 이용하는 CI(G)S계 박막의 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서,상기 용매는,알코올계 용매인 것을 특징으로 하는 Cu-Se 이성분계 나노입자 플럭스를 이용하는 CI(G)S계 박막의 제조방법
4 4
청구항 3에 있어서,상기 알코올계 용매는,에탄올, 메탄올, 펜탄올, 프로판올 및 부탄올로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 Cu-Se 이성분계 나노입자 플럭스를 이용하는 CI(G)S계 박막의 제조방법
5 5
청구항 1에 있어서,상기 바인더는,에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 에틸셀룰로오스, 폴리비닐피롤리돈, 에틸렌디아민, 모노에탄올아민, 다이에탄올아민 및 트리에탄올아민 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 Cu-Se 이성분계 나노입자 플럭스를 이용하는 CI(G)S계 박막의 제조방법
6 6
청구항 1에 있어서,상기 단계 b는,상기 슬러리 성분이 혼합 및 분산되도록 초음파 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 Cu-Se 이성분계 나노입자 플럭스를 이용하는 CI(G)S계 박막의 제조방법
7 7
청구항 1에 있어서,상기 단계 c는,비진공 코팅법에 의하는 것을 특징으로 하는 Cu-Se 이성분계 나노입자 플럭스를 이용하는 CI(G)S계 박막의 제조방법
8 8
청구항 7에 있어서,상기 비진공 코팅법은,스프레이법, 초음파 스프레이법, 스핀코팅법, 닥터블레이드법, 스크린 인쇄법 및 잉크젯 프린팅법 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 Cu-Se 이성분계 나노입자 플럭스를 이용하는 CI(G)S계 박막의 제조방법
9 9
청구항 1에 있어서,상기 단계 c는,상기 복수개의 층이 적층된 박막 형성시 각층의 코팅 후에 건조하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 Cu-Se 이성분계 나노입자 플럭스를 이용하는 CI(G)S계 박막의 제조방법
10 10
청구항 1에 있어서,상기 복수개의 층이 적층된 박막은,2 또는 3개의 층이 적층된 박막인 것을 특징으로 하는 Cu-Se 이성분계 나노입자 플럭스를 이용하는 CI(G)S계 박막의 제조방법
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
청구항 1에 있어서,상기 In 나노입자를 포함하는 슬러리는, Ga 나노입자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 Cu-Se 이성분계 나노입자 플럭스를 이용하는 CI(G)S계 박막의 제조방법
14 14
Cu-Se 이성분계 나노입자를 포함하는 슬러리 및 In 나노입자를 포함하는 슬러리가 순서에 관계없이 교대로 코팅하여 복수개의 층으로 적층한 후 셀레늄 증기를 공급하면서 520 내지 550℃의 기판 온도에서 60분 내지 90분 동안 열처리하여 형성된 것을 특징으로 하는 Cu-Se 이성분계 나노입자 플럭스를 이용하는 CI(G)S계 박막
15 15
CI(G)S계 박막을 광흡수층으로 이용하는 태양전지로서,상기 CI(G)S계 박막은, Cu-Se 이성분계 나노입자를 포함하는 슬러리 및 In 나노입자를 포함하는 슬러리가 순서에 관계없이 교대로 코팅하여 복수개의 층으로 적층한 후 셀레늄 증기를 공급하면서 520 내지 550℃의 기판 온도에서 60분 내지 90분 동안 열처리하여 형성된 CI(G)S계 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09496449 US 미국 FAMILY
2 US20140216552 US 미국 FAMILY
3 WO2013012240 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
4 WO2013012240 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2014216552 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9496449 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2013012240 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
4 WO2013012240 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국에너지기술연구원 신기술융합형 성장동력사업 화학적 방식에 의한 고효율 저가 CIGS 박막 태양전지 소재개발
2 지식경제부 한국에너지기술연구원 협동연구사업 용액화학기반형 저가/고효율 CIGS 박막 태양전지 기술개발