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실리콘계 나노입자 박막 증착방법으로, 상기 방법은실리콘계 나노입자를 합성하는 합성단계; 및상기 합성된 실리콘계 나노입자를 상기 합성단계와 하기 증착단계에서의 공정 압력차를 이용하여 이송시키는 이송 단계;상기 이송된 실리콘계 나노입자를 기판에 제 1 증착시키는 증착단계를 포함하며, 상기 합성 단계, 이송 단계 및 증착단계는 동일 장치 내에서 진행되는 것을 특징으로 하는 실리콘계 나노입자 박막 증착방법
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제 1항에 있어서, 상기 증착단계는 실리콘계 박막을 증착하기 위한 반응가스가 유입되는 단계; 및 상기 유입된 반응가스가 분해되어 상기 기판에 실리콘계 박막이 제 2 증착되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 나노입자 박막 증착방법
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제 3항에 있어서, 상기 제 1 증착과 제 2 증착은 동시에 진행되는 것을 특징으로 하는 실리콘계 나노입자 박막 증착방법
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제 3항에 있어서, 상기 제 1 증착과 제 2 증착은 순차적으로 진행되는 것을 특징으로 하는 실리콘계 나노입자 박막 증착방법
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제 1항에 있어서, 상기 합성단계, 이송단계 및 증착단계는 연속적으로 진행되는 것을 특징으로 하는 실리콘계 나노입자 박막 증착방법
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제 3항에 있어서, 상기 반응가스는 플라즈마 또는 열에 의하여 분해되는 것을 특징으로 하는 실리콘계 나노입자 박막 증착방법
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제 1항에 있어서, 상기 이송단계에서 상기 실리콘계 나노입자는 감소하는 압력 프로파일을 갖는 복수 개의 압력 영역을 연속하여 통과하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 나노입자 박막 증착방법
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제 8항에 있어서, 상기 복수 개의 압력 영역을 통과하면서 상기 실리콘계 나노입자는 속도 구배가 발생하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 나노입자 박막 증착방법
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제 1항에 있어서, 상기 합성단계에서 실리콘계 나노입자는 또 다른 반응가스를 플라즈마 또는 레이저에 의하여 분해시켜 합성되는 것을 특징으로 하는 실리콘계 나노입자 박막 증착방법
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제 1항에 있어서, 상기 방법은이송단계 후 증착단계 전, 상기 실리콘계 나노입자를 분산시키는 분산 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 나노입자 박막 증착방법
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제 1항 또는 제 3 내지 제 11항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조된 실리콘계 나노입자 박막
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실리콘계 나노입자 박막 증착장치로서, 상기 장치는 제 1 반응가스로부터 실리콘계 나노입자가 합성되는 합성부;상기 합성부와 연결되어, 합성된 상기 실리콘계 나노입자가 연속적으로 통과할 수 있는 하나 이상의 노즐을 포함하며, 상기 노즐을 통하여 실리콘계 나노입자가 이동되는 이송부; 및 상기 이송부와 연결되어, 상기 이송부를 통하여 이동된 실리콘계 나노입자를 기판에 증착시키는 증착부를 포함하며, 상기 합성부, 이송부 및 증착부에서의 압력은 순차적으로 감소하며, 상기 이송부는 순차적으로 감소하는 압력 프로파일을 갖도록 하는 압력 감소수단이 각각 구비된 복수 개의 단위 영역을 포함하고, 상기 노즐은 상기 단위 영역 사이에 구비된 것을 특징으로 하는 실리콘계 나노입자 박막 증착장치
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제 14항에 있어서, 상기 이송부와 증착부 사이에는 이동하는 상기 실리콘계 나노입자를 균일하게 분포시키는 분산수단이 더 구비된 것을 특징으로 하는 실리콘계 나노입자 박막 증착장치
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제 14항에 있어서, 상기 증착부는 실리콘계 박막 증착을 위한 제 2 반응가스가 유입되는 반응가스 유입부; 및 상기 유입된 제 2 반응가스를 분해하여, 상기 기판에 실리콘계 박막을 증착시키기 위한 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 나노입자 박막 증착장치
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제 19항에 있어서, 상기 실리콘계 나노입자 증착 및 실리콘계 박막 증착은 동시에 또는 순차적으로 진행되는 것을 특징으로 하는 실리콘계 나노입자 박막 증착장치
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제 19항에 있어서, 상기 수단은 상기 증착부 내에 플라즈마를 발생시키기 위한 플라즈마 발생부를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 나노입자 박막 증착장치
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제 14항에 있어서, 상기 증착부는상기 기판이 적치되는 플레이트; 및 상기 플레이트에 구비되어 상기 기판의 온도를 조절하는 온도 조절 수단을 포함하며, 여기에서 상기 플레이트의 높이는 조절가능한 것을 특징으로 하는 실리콘계 나노입자 박막 증착장치
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