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이성분계 나노입자 하이브리드 방법을 이용한 CI(G)S계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 CI(G)S계 박막

  • 기술번호 : KST2015153043
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 이성분계 나노입자 하이브리드 방법을 이용한 CI(G)S계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 CI(G)S계 박막이 제공된다. 본 발명의 CI(G)S계 박막의 제조방법은, CI(G)S계의 이성분계 나노입자를 제조하는 단계; 이성분계 나노입자, CI(G)S계 원소를 포함하는 용액 전구체, 용매 및 바인더를 혼합하여 하이브리드형 슬러리를 제조하는 단계; 하이브리드형 슬러리를 코팅하여 CI(G)S계 박막을 형성하는 단계; 및 형성된 CIGS 박막에 열처리하는 단계를 포함한다. 이에 의하여, 박막 내 기공을 최소화하고, 입자성장을 향상시켜 박막의 구조를 치밀화함으로써 궁극적으로 그 박막을 이용한 태양전지의 효율을 상승시킬 수 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0445 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020110070403 (2011.07.15)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1192289-0000 (2012.10.11)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20121017) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.07.15)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조아라 대한민국 서울특별시 관악구
2 윤경훈 대한민국 대전광역시 유성구
3 윤재호 대한민국 대전광역시 중구
4 곽지혜 대한민국 대전광역시 서구
5 안세진 대한민국 대전광역시 유성구
6 신기식 대한민국 대전광역시 유성구
7 안승규 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0545502-63
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.04.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.05.23 수리 (Accepted) 9-1-2012-0041059-48
5 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2012.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-0446352-01
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0349662-98
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0658340-14
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.08.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0658339-78
9 등록결정서
Decision to grant
2012.10.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0604665-95
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
저온 콜로이달 방법을 사용하여 CI(G)S계의 이성분계 나노입자를 제조하는 단계로서, 상기 CI(G)S계의 이성분계 나노입자는 Cu-Se, In-Se, Ga-Se, Cu-S, In-S 및 Ga-S로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 단계(단계 a);상기 이성분계 나노입자, CI(G)S계 원소를 포함하는 용액 전구체, 알코올계 용매 및 킬레이트제를 혼합하여 하이브리드형 슬러리를 제조하는 단계(단계 b);상기 하이브리드형 슬러리를 코팅하여 CI(G)S계 박막을 형성하는 단계(단계 c); 및상기 형성된 CI(G)S 박막에 열처리하는 단계(d 단계)를 포함하는 이성분계 나노입자 하이브리드 방법을 이용한 CI(G)S계 박막의 제조방법
2 2
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3 3
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4 4
청구항 1에 있어서,상기 용액 전구체는,상기 이성분계 나노입자에 포함되지 않은 CI(G)S계 단일원소를 적어도 하나 포함하는 것을 특징으로 하는 이성분계 나노입자 하이브리드 방법을 이용한 CI(G)S계 박막의 제조방법
5 5
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6 6
청구항 1에 있어서,상기 알코올계 용매는,에탄올, 메탄올, 펜탄올, 프로판올 및 부탄올로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 이성분계 나노입자 하이브리드 방법을 이용한 CI(G)S계 박막 제조방법
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8 8
청구항 1에 있어서,상기 킬레이트제는,MEA, DEA, TEA, 에틸렌디아민, EDTA, NTA, HEDTA, GEDTA, TTHA, HIDA 및 DHEG로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 이성분계 나노입자 하이브리드 방법을 이용한 CI(G)S계 박막 제조방법
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10 10
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11 11
청구항 1에 있어서,상기 단계 b는,상기 슬러리 성분이 혼합 및 분산되도록 초음파 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이성분계 나노입자 하이브리드 방법을 이용한 CI(G)S계 박막 제조방법
12 12
청구항 1에 있어서,상기 단계 c는,비진공 코팅법에 의하는 것을 특징으로 하는 이성분계 나노입자 하이브리드 방법을 이용한 CI(G)S계 박막 제조방법
13 13
청구항 12에 있어서,상기 비진공 코팅법은,스프레이법, 초음파 스프레이법, 스핀코팅법, 닥터블레이드법, 스크린 인쇄법 및 잉크젯 프린팅법 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 이성분계 나노입자 하이브리드 방법을 이용한 CI(G)S계 박막 제조방법
14 14
청구항 1에 있어서,상기 단계 c는,코팅 후 건조하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이성분계 나노입자 하이브리드 방법을 이용한 CI(G)S계 박막 제조방법
15 15
청구항 14에 있어서,상기 단계 c는,상기 코팅 및 건조 단계를 순차적으로 반복하여 복수 회 수행하는 것을 특징으로 하는 이성분계 나노입자 하이브리드 방법을 이용한 CI(G)S계 박막 제조방법
16 16
청구항 1에 있어서,상기 단계 d는,셀레늄 증기를 공급하면서 열처리하는 것을 특징으로 하는 이성분계 나노입자 하이브리드 방법을 이용한 CI(G)S계 박막 제조방법
17 17
태양전지의 광흡수층으로 이용되는 CI(G)S계 박막으로서,상기 CI(G)S계 박막은 청구항 1, 4, 6, 8 및 11 내지 16 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조되고,CI(G)S계의 이성분계 나노입자 및 CI(G)S계 단일원소를 적어도 하나 포함하는 용액 전구체를 포함하는 하이브리드형 슬러리를 이용하여 코팅된 박막인 이성분계 나노입자를 이용한 CI(G)S계 박막
18 18
CI(G)S계 박막을 광흡수층으로 이용하는 태양전지로서,상기 CI(G)S계 박막은 청구항 1, 4, 6, 8 및 11 내지 16 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조되고,CI(G)S계의 이성분계 나노입자 및 CI(G)S계 단일원소를 적어도 하나 포함하는 용액 전구체를 포함하는 하이브리드형 슬러리를 이용하여 코팅된 박막인 태양전지
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2013012202 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
2 WO2013012202 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2013012202 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
2 WO2013012202 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국에너지기술연구원 신기술융합형 성장동력사업 화학적 방식에 의한 고효율 저가 CIGS 박막 태양전지 소재 개발
2 지식경제부 한국에너지기술연구원 협동연구사업 용액화학기반형 저가/고효율 CIGS 박막 태양전지 기술개발