요약 | 이성분계 나노입자 하이브리드 방법을 이용한 CI(G)S계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 CI(G)S계 박막이 제공된다. 본 발명의 CI(G)S계 박막의 제조방법은, CI(G)S계의 이성분계 나노입자를 제조하는 단계; 이성분계 나노입자, CI(G)S계 원소를 포함하는 용액 전구체, 용매 및 바인더를 혼합하여 하이브리드형 슬러리를 제조하는 단계; 하이브리드형 슬러리를 코팅하여 CI(G)S계 박막을 형성하는 단계; 및 형성된 CIGS 박막에 열처리하는 단계를 포함한다. 이에 의하여, 박막 내 기공을 최소화하고, 입자성장을 향상시켜 박막의 구조를 치밀화함으로써 궁극적으로 그 박막을 이용한 태양전지의 효율을 상승시킬 수 있다. |
---|---|
Int. CL | H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0445 (2014.01) |
CPC | |
출원번호/일자 | 1020110070403 (2011.07.15) |
출원인 | 한국에너지기술연구원 |
등록번호/일자 | 10-1192289-0000 (2012.10.11) |
공개번호/일자 | |
공고번호/일자 | (20121017) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2011.07.15) |
심사청구항수 | 12 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국에너지기술연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 조아라 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
2 | 윤경훈 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
3 | 윤재호 | 대한민국 | 대전광역시 중구 |
4 | 곽지혜 | 대한민국 | 대전광역시 서구 |
5 | 안세진 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
6 | 신기식 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
7 | 안승규 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 특허법인다울 | 대한민국 | 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국에너지기술연구원 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.07.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0545502-63 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.01.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5001923-88 |
3 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2012.04.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2012.05.23 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0041059-48 |
5 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2012.06.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0446352-01 |
6 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.06.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0349662-98 |
7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.08.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0658340-14 |
8 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.08.17 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0658339-78 |
9 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.10.10 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0604665-95 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.01.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5003356-15 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0013224-83 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.01.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5010650-13 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.01.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5004978-55 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5166801-48 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5166803-39 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.09.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5197654-62 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 저온 콜로이달 방법을 사용하여 CI(G)S계의 이성분계 나노입자를 제조하는 단계로서, 상기 CI(G)S계의 이성분계 나노입자는 Cu-Se, In-Se, Ga-Se, Cu-S, In-S 및 Ga-S로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 단계(단계 a);상기 이성분계 나노입자, CI(G)S계 원소를 포함하는 용액 전구체, 알코올계 용매 및 킬레이트제를 혼합하여 하이브리드형 슬러리를 제조하는 단계(단계 b);상기 하이브리드형 슬러리를 코팅하여 CI(G)S계 박막을 형성하는 단계(단계 c); 및상기 형성된 CI(G)S 박막에 열처리하는 단계(d 단계)를 포함하는 이성분계 나노입자 하이브리드 방법을 이용한 CI(G)S계 박막의 제조방법 |
2 |
2 삭제 |
3 |
3 삭제 |
4 |
4 청구항 1에 있어서,상기 용액 전구체는,상기 이성분계 나노입자에 포함되지 않은 CI(G)S계 단일원소를 적어도 하나 포함하는 것을 특징으로 하는 이성분계 나노입자 하이브리드 방법을 이용한 CI(G)S계 박막의 제조방법 |
5 |
5 삭제 |
6 |
6 청구항 1에 있어서,상기 알코올계 용매는,에탄올, 메탄올, 펜탄올, 프로판올 및 부탄올로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 이성분계 나노입자 하이브리드 방법을 이용한 CI(G)S계 박막 제조방법 |
7 |
7 삭제 |
8 |
8 청구항 1에 있어서,상기 킬레이트제는,MEA, DEA, TEA, 에틸렌디아민, EDTA, NTA, HEDTA, GEDTA, TTHA, HIDA 및 DHEG로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 이성분계 나노입자 하이브리드 방법을 이용한 CI(G)S계 박막 제조방법 |
9 |
9 삭제 |
10 |
10 삭제 |
11 |
11 청구항 1에 있어서,상기 단계 b는,상기 슬러리 성분이 혼합 및 분산되도록 초음파 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이성분계 나노입자 하이브리드 방법을 이용한 CI(G)S계 박막 제조방법 |
12 |
12 청구항 1에 있어서,상기 단계 c는,비진공 코팅법에 의하는 것을 특징으로 하는 이성분계 나노입자 하이브리드 방법을 이용한 CI(G)S계 박막 제조방법 |
13 |
13 청구항 12에 있어서,상기 비진공 코팅법은,스프레이법, 초음파 스프레이법, 스핀코팅법, 닥터블레이드법, 스크린 인쇄법 및 잉크젯 프린팅법 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 이성분계 나노입자 하이브리드 방법을 이용한 CI(G)S계 박막 제조방법 |
14 |
14 청구항 1에 있어서,상기 단계 c는,코팅 후 건조하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이성분계 나노입자 하이브리드 방법을 이용한 CI(G)S계 박막 제조방법 |
15 |
15 청구항 14에 있어서,상기 단계 c는,상기 코팅 및 건조 단계를 순차적으로 반복하여 복수 회 수행하는 것을 특징으로 하는 이성분계 나노입자 하이브리드 방법을 이용한 CI(G)S계 박막 제조방법 |
16 |
16 청구항 1에 있어서,상기 단계 d는,셀레늄 증기를 공급하면서 열처리하는 것을 특징으로 하는 이성분계 나노입자 하이브리드 방법을 이용한 CI(G)S계 박막 제조방법 |
17 |
17 태양전지의 광흡수층으로 이용되는 CI(G)S계 박막으로서,상기 CI(G)S계 박막은 청구항 1, 4, 6, 8 및 11 내지 16 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조되고,CI(G)S계의 이성분계 나노입자 및 CI(G)S계 단일원소를 적어도 하나 포함하는 용액 전구체를 포함하는 하이브리드형 슬러리를 이용하여 코팅된 박막인 이성분계 나노입자를 이용한 CI(G)S계 박막 |
18 |
18 CI(G)S계 박막을 광흡수층으로 이용하는 태양전지로서,상기 CI(G)S계 박막은 청구항 1, 4, 6, 8 및 11 내지 16 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조되고,CI(G)S계의 이성분계 나노입자 및 CI(G)S계 단일원소를 적어도 하나 포함하는 용액 전구체를 포함하는 하이브리드형 슬러리를 이용하여 코팅된 박막인 태양전지 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | WO2013012202 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
2 | WO2013012202 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | WO2013012202 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
2 | WO2013012202 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 교육과학기술부 | 한국에너지기술연구원 | 신기술융합형 성장동력사업 | 화학적 방식에 의한 고효율 저가 CIGS 박막 태양전지 소재 개발 |
2 | 지식경제부 | 한국에너지기술연구원 | 협동연구사업 | 용액화학기반형 저가/고효율 CIGS 박막 태양전지 기술개발 |
공개전문 정보가 없습니다 |
---|
특허 등록번호 | 10-1192289-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20110715 출원 번호 : 1020110070403 공고 연월일 : 20121017 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20121010 청구범위의 항수 : 12 유별 : H01L 31/18 발명의 명칭 : 이성분계 나노입자 하이브리드 방법을 이용한 CI(G)S계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 CI(G)S계 박막 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 256,500 원 | 2012년 10월 12일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 212,800 원 | 2015년 10월 12일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 212,800 원 | 2016년 10월 10일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 212,800 원 | 2017년 09월 21일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 278,000 원 | 2018년 09월 18일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 278,000 원 | 2019년 09월 09일 | 납입 |
제 9 년분 | 금 액 | 278,000 원 | 2020년 09월 11일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.07.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0545502-63 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.01.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5001923-88 |
3 | 선행기술조사의뢰서 | 2012.04.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
4 | 선행기술조사보고서 | 2012.05.23 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0041059-48 |
5 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 | 2012.06.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0446352-01 |
6 | 의견제출통지서 | 2012.06.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0349662-98 |
7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.08.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0658340-14 |
8 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.08.17 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0658339-78 |
9 | 등록결정서 | 2012.10.10 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0604665-95 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.01.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5003356-15 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0013224-83 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.01.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5010650-13 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.01.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5004978-55 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5166801-48 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5166803-39 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.09.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5197654-62 |
기술정보가 없습니다 |
---|
과제고유번호 | 1345175541 |
---|---|
세부과제번호 | 2010-50309 |
연구과제명 | 화학적 방식에 의한 고효율 저가 CIGS 박막 태양전지 소재 개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 한국에너지기술연구원 |
성과제출연도 | 2012 |
연구기간 | 200907~201406 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | ET(환경기술) |
과제고유번호 | 1345150483 |
---|---|
세부과제번호 | 2010-50309 |
연구과제명 | 화학적 방식에 의한 고효율 저가 CIGS 박막 태양전지 소재 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 한국에너지기술연구원 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 200907~201406 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | ET(환경기술) |
[1020130108451] | CI(G)S 박막 제조 방법 | 새창보기 |
---|---|---|
[1020120150680] | 코어(Se)-쉘(Ag2Se) 나노입자를 이용한 A(C)IGS계 박막의 제조방법, 이에 의해 제조된 A(C)IGS계 박막 및 이를 포함하는 탠덤 태양전지 | 새창보기 |
[1020120124609] | 태양전지용 그리드 전극, 그리드 전극 형성 방법 및 형성 장치 | 새창보기 |
[1020120087925] | 탄소층이 감소한 CI(G)S계 박막의 제조방법, 이에 의해 제조된 박막 및 이를 포함하는 태양전지 | 새창보기 |
[1020120080991] | 이성분계 나노입자를 포함하는 슬러리의 숙성 단계가 도입된 CI(G)S계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 CI(G)S계 박막 | 새창보기 |
[1020120072899] | 항균 코팅층 형성 장치 | 새창보기 |
[1020120038634] | 태양전지 광활성층의 제조방법 | 새창보기 |
[1020110073580] | 정전기 스프레이 장치 | 새창보기 |
[1020110071294] | Cu-Se 이성분계 나노입자 플럭스를 이용한 Cu-Se 박막을 포함하는 CI(G)S계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 CI(G)S계 박막 | 새창보기 |
[1020110070403] | 이성분계 나노입자 하이브리드 방법을 이용한 CI(G)S계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 CI(G)S계 박막 | 새창보기 |
[1020110060847] | 태양전지 전극 및 페시베이션층 제조 장치 | 새창보기 |
[1020110060846] | 태양전지 제조 장치 및 이의 제조 방법 | 새창보기 |
[1020110049768] | 고밀도를 갖는 CIS계 박막 제조방법 | 새창보기 |
[1020110049766] | CIGS/CIS 나노입자의 셀렌화에 의한 치밀한 CIGSe/CISe 박막 제조방법 | 새창보기 |
[1020110041764] | 샘플홀더, 상기 샘플홀더를 이용한 HT―XRD 시스템 및 상기 HT―XRD 시스템을 이용한 CIGSS 전구체의 셀렌화 및 설퍼화 반응의 실시간 HT―XRD 측정방법 | 새창보기 |
[1020110016727] | 태양전지 그리드 전극 제조 장치 및 이를 사용한 그리드 전극 제조 방법 | 새창보기 |
[1020110016726] | 염료감응형 태양전지 에어로졸 증착 장치 및 이를 사용한 에어로졸 증착 방법 | 새창보기 |
[1020110012063] | 무기물 박막 태양전지 제조 장치 | 새창보기 |
[1020110012062] | 태양전지 도선 전극 제조 장치 | 새창보기 |
[1020100116245] | 에어로졸 입자 공급장치 및 이를 이용한 에어로졸 증착 장치 | 새창보기 |
[1020100115941] | 태양 전지용 광흡수층 Cu(In, Ga)(Se, S)2 필름 제조를 위한 샘플 트레이 및 상기 샘플 트레이를 이용한 반도체 필름의 제조방법 | 새창보기 |
[1020100115941] | 태양 전지용 광흡수층 Cu(In, Ga)(Se, S)2 필름 제조를 위한 샘플 트레이 및 상기 샘플 트레이를 이용한 반도체 필름의 제조방법 | 새창보기 |
[1020100096381] | 페이스트 또는 잉크를 이용한 구리인듐셀렌계 또는 구리인듐갈륨셀렌계 박막의 제조 방법 | 새창보기 |
[1020100069933] | 급속열처리 공정을 사용한 CIS계 화합물 박막의 제조방법 및 상기 CIS계 화합물 박막을 이용한 박막 태양전지의 제조방법 | 새창보기 |
[1020100069923] | 고밀도를 갖는 태양전지용 CIS계 화합물 박막의 제조방법 및 상기 CIS계 화합물 박막을 이용한 박막 태양전지의 제조방법 | 새창보기 |
[1020100026938] | 용액상 볼밀법을 이용한 CIS계 또는 CZTS계 콜로이드 용액 및 이를 이용한 태양전지 광흡수층 CIS계 또는 CZTS계 화합물 박막의 제조방법 | 새창보기 |
[1020090077002] | 물리적 증착용 타겟 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2015153063][한국에너지기술연구원] | 고분자나노하이브리드젤에 의한 염료감응형 태양전지의 제조방법 및 그에 의한 태양전지 | 새창보기 |
---|---|---|
[KST2015153134][한국에너지기술연구원] | 태양전지용 CZTSe계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 CZTSe계 박막 | 새창보기 |
[KST2015154129][한국에너지기술연구원] | 실리콘 기판 제조 장치 | 새창보기 |
[KST2015152769][한국에너지기술연구원] | 고밀도를 갖는 태양전지용 CIS계 화합물 박막의 제조방법 및 상기 CIS계 화합물 박막을 이용한 박막 태양전지의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015152844][한국에너지기술연구원] | 불활성 가스 블로윙을 이용한 표면 품질이 우수한 실리콘 기판 제조 장치 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2015153082][한국에너지기술연구원] | 생산성 및 표면 품질이 우수한 연속주조법을 이용한 실리콘 기판 제조 장치 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2015154054][한국에너지기술연구원] | 고효율 및 고내구성을 갖는 태양전지용 반사방지막, 이를 포함하는 태양전지 및 그 제조하는 방법 | 새창보기 |
[KST2015154111][한국에너지기술연구원] | 균일한 Ga 분포를 갖는 CIGS 박막 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015153851][한국에너지기술연구원] | 실리콘 기판 제조 장치 | 새창보기 |
[KST2015152645][한국에너지기술연구원] | Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2 화합물 반도체 박막의 제조장치 및 이를 이용한 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015152752][한국에너지기술연구원] | CIGS 박막의 용액상 제조방법 및 이에 의해 제조된 CIGS 박막 | 새창보기 |
[KST2014061286][한국에너지기술연구원] | 미관을 살리면서도 에너지 효율을 높인 BIPV원통형 태양전지 모듈 | 새창보기 |
[KST2015152770][한국에너지기술연구원] | 급속열처리 공정을 사용한 CIS계 화합물 박막의 제조방법 및 상기 CIS계 화합물 박막을 이용한 박막 태양전지의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015152792][한국에너지기술연구원] | 연속주조법을 이용한 실리콘 박판 제조 장치 및 방법 | 새창보기 |
[KST2015153094][한국에너지기술연구원] | 태양전지용 CZT(S,Se)계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 CZT(S,Se)계 박막 | 새창보기 |
[KST2015154112][한국에너지기술연구원] | 후면 TCO층을 구비한 CIS/CIGS계 태양전지 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015154190][한국에너지기술연구원] | 탠덤 구조 염료감응 태양전지 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015153039][한국에너지기술연구원] | 태양전지 박막 증착장치, 방법, 시스템 | 새창보기 |
[KST2015153086][한국에너지기술연구원] | 고밀도를 갖는 CIS계 박막 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015153187][한국에너지기술연구원] | 실리콘 기판 제조 장치 | 새창보기 |
[KST2015153857][한국에너지기술연구원] | 용액상 볼밀법을 이용한 CIS계 또는 CZTS계 콜로이드 용액 및 이를 이용한 태양전지 광흡수층 CIS계 또는 CZTS계 화합물 박막의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015152579][한국에너지기술연구원] | CIS계 박막 태양전지용 버퍼층 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015152584][한국에너지기술연구원] | 염료감응 태양전지의 밀봉방법 및 밀봉단계를 포함하는 염료감응 태양전지의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015152663][한국에너지기술연구원] | 태양전지용 Cu-In-Zn-Sn-(Se,S)계 박막 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015152821][한국에너지기술연구원] | 태양전지 광흡수층용 CIS계 화합물 박막 제조장치 | 새창보기 |
[KST2015152903][한국에너지기술연구원] | Cu-Se 이성분계 나노입자 플럭스를 이용한 Cu-Se 박막을 포함하는 CI(G)S계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 CI(G)S계 박막 | 새창보기 |
[KST2015152938][한국에너지기술연구원] | 실리콘계 나노입자 박막 증착방법, 실리콘계 나노입자 박막 및 이를 위한 실리콘계 나노입자 박막 증착장치 | 새창보기 |
[KST2015152743][한국에너지기술연구원] | 자체 전력으로 후면을 가열하는 저열화 실리콘 박막 태양 전지 | 새창보기 |
[KST2015152887][한국에너지기술연구원] | 발열체를 이용한 저열화 실리콘 박막 태양 전지 | 새창보기 |
[KST2015153172][한국에너지기술연구원] | 박막 태양전지용 후면반사막, 이의 형성방법 및 이를 포함하는 박막 태양전지 | 새창보기 |
심판사항 정보가 없습니다 |
---|