맞춤기술찾기

이전대상기술

그리드 구조의 후면전극를 포함하는 태양전지

  • 기술번호 : KST2015153069
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 그리드 구조의 후면전극를 포함하는 태양전지가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 태양전지는 태양전지 기판; 상기 태양전지 기판의 전면에 형성된 에미터층; 상기 에미터층 상에 형성된 반사방지막; 상기 반사방지막 상에 형성되며, 상기에미터층과 접촉되는 전면전극; 및 상기 태양전지 기판의 후면에 형성된 후면전극을 포함하며, 여기에서 상기 후면전극은 가로라인과 세로라인이 교차하는 그리드 패턴인 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 태양전지는 일부 노출된 기판 부분(보이드)이 포함되는 그리드 형태의 후면전극 구조를 통하여 고온열처리 공정에서의 기판 휨(보잉) 문제를 효과적으로 해결할 수 있다. 또한 후면전극에 사용되는 알루미늄 양을 감소시켜 태양전지의 제조비용을 절감시킬 수 있다.
Int. CL H01L 31/0224 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/022433(2013.01) H01L 31/022433(2013.01) H01L 31/022433(2013.01) H01L 31/022433(2013.01)
출원번호/일자 1020110073762 (2011.07.25)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1428841-0000 (2014.08.04)
공개번호/일자 10-2013-0012495 (2013.02.04) 문서열기
공고번호/일자 (20140814) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.03.12)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 송희은 대한민국 인천광역시 중구
2 백태현 대한민국 경기도 파주시
3 이정철 대한민국 대전광역시 유성구
4 강기환 대한민국 대전광역시 유성구
5 유권종 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***, *층(삼성동,고운빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0574588-47
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2013.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0213154-04
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2013.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0214399-40
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.12.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.01.09 수리 (Accepted) 9-1-2014-0000981-94
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0207803-12
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0486192-98
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.05.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0486194-89
11 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2014.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0368660-66
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0513097-82
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.05.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0513098-27
14 등록결정서
Decision to grant
2014.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0518715-19
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
태양전지 기판; 상기 태양전지 기판의 전면에 형성된 에미터층; 상기 에미터층 상에 형성된 반사방지막; 상기 반사방지막 상에 형성되며, 상기 에미터층과 접촉되는 전면전극; 및 상기 태양전지 기판의 후면에 형성된 후면전극을 포함하며, 상기 전면전극은 서로 평행한 복수의 버스전극과 상기 복수의 버스전극에 교차하도록 배치되는 핑거전극을 포함하고, 상기 버스전극은 상기 핑거전극보다 넓은 너비를 가지며, 상기 후면전극은 상대적으로 넓은 너비의 제 1 라인과 상기 제 1 라인보다 좁은 제 2 라인을 포함한 상태에서 그리드 패턴을 이루며, 상기 버스전극과 상기 제 1 라인은 수직으로 교차하는 것을 특징으로 하는 태양전지
2 2
제 1항에 있어서, 상기 후면전극은 알루미늄인 것을 특징으로 하는 태양전지
3 3
제 1항에 있어서, 상기 그리드 패턴의 후면전극을 통하여 노출되는 기판 비율은 10 내지 20%인 것을 특징으로 하는 태양전지
4 4
제 1항에 있어서, 상기 제 1 라인과 제 2 라인은 수직 교차하는 것을 특징으로 하는 태양전지
5 5
태양전지 기판; 상기 태양전지 기판의 전면에 형성된 에미터층; 상기 에미터층 상에 적층되며, 서로 평행한 복수의 버스전극과 상기 복수의 버스전극에 교차하도록 배치되는 핑거전극을 포함하고, 이때 상기 버스전극이 상기 핑거전극보다 넓은 너비를 가지는 전면전극; 및 상기 태양전지 기판의 후면에 형성된 후면전극을 포함하며, 여기에서 상기 후면전극은 그리드 패턴이며, 상기 그리드 패턴을 이루는 라인은 상대적으로 넓은 너비의 제 1 라인과 상기 제 1 라인보다 좁은 제 2 라인을 포함하며, 상기 버스전극과 상기 제 1 라인은 수직으로 교차하는 것을 특징으로 하는 태양전지
6 6
제 5항에 있어서, 상기 후면전극은 알루미늄인 것을 특징으로 하는 태양전지
7 7
제 5항에 있어서, 상기 그리드 패턴의 후면전극을 통하여 노출되는 기판 비율은 10 내지 20%인 것을 특징으로 하는 태양전지
8 8
제 5항에 있어서, 상기 제 1 라인과 제 2 라인은 수직 교차하는 것을 특징으로 하는 태양전지
9 9
제 8항에 있어서, 상기 제 1 라인은 복수 개이며, 서로 평행하게 이격된 것을 특징으로 하는 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국에너지기술연구원 주요사업 프린터블 실리콘 태양전지 개발