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생산성 및 표면 품질이 우수한 연속주조법을 이용한 실리콘 기판 제조 장치 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015153082
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실리콘 기판 제조의 생산성 및 품질 향상에 기여할 수 있는 연속주조법을 이용한 실리콘 기판 제조 장치 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다.본 발명에 따른 연속주조법을 이용한 실리콘 기판 제조 장치는 실리콘 원료가 공급되는 실리콘 원료 투입부; 상기 실리콘 원료 투입부의 하부에 장착되며, 상기 공급된 실리콘 원료를 용융시켜 실리콘 용탕을 형성하는 실리콘 용융부; 상기 실리콘 용융부로부터 실리콘 용탕을 공급받아 저장한 후, 상기 실리콘 용탕을 일정한 두께의 용융물로 토출하는 실리콘 용탕 저장부; 상기 실리콘 용탕 저장부의 일측에 배치되며, 상기 토출되는 실리콘 용융물을 이송하는 이송기판; 및 상기 이송되는 실리콘 용융물을 냉각하여 실리콘 기판을 형성하는 실리콘 기판 형성부;를 포함하며, 상기 실리콘 용탕 저장부에 저장되는 실리콘 용탕의 표면 온도는 1300 ~ 1500℃이고, 상기 이송기판의 예열온도는 700 ~ 1400℃이며, 상기 실리콘 용탕 저장부로부터 출탕 후 기판 이송 시간은 0.5 ~ 3.5초인 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) C01B 33/02 (2014.01) B22D 25/04 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC B22D 11/01(2013.01) B22D 11/01(2013.01) B22D 11/01(2013.01) B22D 11/01(2013.01)
출원번호/일자 1020110056066 (2011.06.10)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1234119-0000 (2013.02.12)
공개번호/일자 10-2012-0136875 (2012.12.20) 문서열기
공고번호/일자 (20130219) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.06.10)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장보윤 대한민국 대전광역시 유성구
2 이진석 대한민국 대전광역시 중구
3 안영수 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0436948-88
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.10.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0593253-39
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.12.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-1005788-40
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.12.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-1005789-96
6 등록결정서
Decision to grant		 2013.02.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0092166-37
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 원료가 공급되는 실리콘 원료 투입부; 상기 실리콘 원료 투입부의 하부에 장착되며, 상기 공급된 실리콘 원료를 용융시켜 실리콘 용탕을 형성하는 실리콘 용융부; 상기 실리콘 용융부로부터 실리콘 용탕을 공급받아 저장한 후, 상기 실리콘 용탕을 일정한 두께의 용융물로 토출하는 실리콘 용탕 저장부; 상기 실리콘 용탕 저장부의 일측에 배치되며, 상기 토출되는 실리콘 용융물을 이송하는 이송기판; 및 상기 이송되는 실리콘 용융물을 냉각하여 실리콘 기판을 형성하는 실리콘 기판 형성부;를 포함하며, 상기 실리콘 용탕 저장부에 저장되는 실리콘 용탕의 표면 온도는 1300 ~ 1500℃이고, 상기 이송기판의 예열온도는 700 ~ 1400℃이며, 상기 실리콘 용탕 저장부로부터 출탕 후 기판 이송 시간은 0
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 실리콘 용융부는 상기 실리콘 원료가 장입되며, 하부에 출탕구가 형성되어 있는 도가니와, 상기 도가니의 외 측벽을 둘러싸는 코일과, 상기 출탕구를 개폐하는 게이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 연속주조법을 이용한 실리콘 기판 제조 장치
4 4
제3항에 있어서, 상기 도가니는 벽면의 일부가 종 방향으로 절개된 복수의 제1 슬릿과, 바닥면의 일부가 종 방향으로 절개된 복수의 제2 슬릿을 구비하는 흑연 도가니인 것을 특징으로 하는 연속주조법을 이용한 실리콘 기판 제조 장치
5 5
제1항에 있어서, 상기 실리콘 용탕 저장부는 일측에 실리콘 용탕이 토출되는 토출구가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 연속주조법을 이용한 실리콘 기판 제조 장치
6 6
제5항에 있어서, 상기 토출구의 두께는 0
7 7
제1항에 있어서, 상기 이송기판은 C, SiC, Si3N4, 그라파이트(Graphite), Al2O3 및 Mo 중에 하나 이상의 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 연속주조법을 이용한 실리콘 기판 제조 장치
8 8
제1항에 있어서, 상기 실리콘 기판 형성부는 불활성 가스 블로윙(blowing) 방식으로 실리콘 용융물을 냉각하는 것을 특징으로 하는 연속주조법을 이용한 실리콘 기판 제조 장치
9 9
제1항에 기재된 장치를 이용하여 실리콘 기판을 제조하는 방법에 있어서, (a) 실리콘 용융부의 내부로 실리콘 원료를 장입하는 단계; (b) 상기 실리콘 용융부의 내부에 장입된 실리콘 원료를 용융시켜 실리콘 용탕을 형성하는 단계; (c) 상기 실리콘 용융부의 게이트를 개방하여 상기 실리콘 용탕을 출탕하는 단계; (d) 상기 출탕되는 실리콘 용탕을 실리콘 용탕 저장부에 저장하는 단계; (e) 상기 이송기판을 구동하여 상기 실리콘 용탕을 토출하는 단계; 및 (f) 상기 이송기판에 의하여 이송되는 실리콘 용융물을 냉각하여 실리콘 기판을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 연속주조법을 이용한 실리콘 기판 제조 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 (a) 단계 이전에, 상기 이송기판을 700 ~ 1400℃로 예열하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 연속주조법을 이용한 실리콘 기판 제조 방법
11 11
제9항에 있어서,상기 (d) 단계에서, 상기 실리콘 용탕 저장부 내에 저장되는 실리콘 용탕의 표면온도는 1300 ~ 1500℃로 유지하는 것을 특징으로 하는 연속주조법을 이용한 실리콘 기판 제조 방법
12 12
제9항에 있어서,상기 (e) 단계에서, 상기 이송기판의 이동속도는 400 ~ 1400cm/min이고, 출탕 후 기판 이송 시간은 0
13 13
제9항에 있어서,상기 이송기판은 C, SiC, Si3N4, 그라파이트(Graphite), Al2O3 및 Mo 중에 하나 이상의 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 연속주조법을 이용한 실리콘 기판 제조 방법
14 14
제9항에 있어서, 상기 (f) 단계시, 상기 이송기판에 의하여 이송되는 실리콘 용융물에 불활성 가스를 블로윙 방식으로 분사하여 냉각하는 것을 특징으로 하는 연속주조법을 이용한 실리콘 기판 제조 방법
15 15
제9항 내지 제14항 중 어느 하나에 기재된 방법으로 제조되며, 100 ~ 400㎛ 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 기판
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02395132 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP02395132 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 KR101194846 KR 대한민국 FAMILY
4 US20110305891 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.