맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

고밀도를 갖는 ＣＩＳ계 박막 제조방법

  • 기술번호 : KST2015153086
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고밀도를 갖는 태양전지용 ＣＩＳ계 화합물 박막 제조방법이 개시된다. 본 발명의 태양전지용 ＣＩＳ계 화합물 박막 제조방법은 CIS계 화합물 나노입자를 제조하는 단계(단계 1); 상기 CIS계 화합물 나노입자, 킬레이트제(chelating agent) 및 용매를 혼합하여 CIS계 화합물 슬러리를 제조하는 단계(단계 2); 상기 CIS계 화합물 슬러리를 코팅하여 CIS계 화합물 박막을 형성하는 단계(단계 3); 및 상기 CIS계 화합물 박막을 열처리하는 단계(단계 4)를 포함하며, 이에 의해 박막 태양전지의 광흡수층으로 이용되는 CIS계 박막의 구조를 치밀화 할 수 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0445 (2014.01) H01L 31/0749 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020110049768 (2011.05.25)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0131536 (2012.12.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.05.25)
심사청구항수 16

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 안세진 대한민국 대전광역시 유성구
2 윤경훈 대한민국 대전광역시 유성구
3 윤재호 대한민국 대전광역시 중구
4 곽지혜 대한민국 대전광역시 서구
5 조아라 대한민국 서울특별시 관악구
6 신기식 대한민국 대전광역시 유성구
7 안승규 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0393004-61
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.02.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0021272-09
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.07.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0391204-20
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0720775-50
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.09.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0720776-06
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.01.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0018325-87
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2013.02.12 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0124615-85
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0124613-94
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0110877-04
12 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner		 2013.05.07 수리 (Accepted) 7-8-2013-0013773-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
CIS계 화합물 나노입자를 제조하는 단계(단계 1);상기 CIS계 화합물 나노입자, 킬레이트제(chelating agent) 및 용매를 혼합하여 CIS계 화합물 슬러리를 제조하는 단계(단계 2);상기 CIS계 화합물 슬러리를 코팅하여 CIS계 화합물 박막을 형성하는 단계(단계 3); 및상기 CIS계 화합물 박막을 열처리하는 단계(단계 4)를 포함하는 고밀도를 갖는 CIS계 화합물 박막 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 CIS계 화합물 나노입자는, CIS 화합물 나노입자, CIGS 화합물 나노입자 또는 CZTS 화합물 나노입자인 것을 특징으로 하는 고밀도를 갖는 CIS계 화합물 박막 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서,상기 킬레이트제는,MEA(monoethanolamine), DEA(diethanolamine), TEA(triethanolamine), 에틸렌디아민, EDTA, NTA, HEDTA, GEDTA, TTHA, HIDA 및 DHEG로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고밀도를 갖는 CIS계 화합물 박막 제조방법
4 4
청구항 1에 있어서,상기 용매는, 알코올계 용매인 것을 특징으로 하는 고밀도를 갖는 CIS계 화합물 박막 제조방법
5 5
청구항 4에 있어서,상기 알코올계 용매는,에탄올, 메탄올, 펜탄올, 프로판올 및 부탄올로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 알코올계 용매인 고밀도를 갖는 것을 특징으로 하는 CIS계 화합물 박막 제조방법
6 6
청구항 1에 있어서,상기 슬러리는,초음파에 의해 분산시켜 제조하는 것을 특징으로 하는 고밀도를 갖는 CIS계 화합물 박막 제조방법
7 7
청구항 1에 있어서,상기 CIS계 화합물 박막은,비진공 코팅법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 고밀도를 갖는 CIS계 화합물 박막 제조방법
8 8
청구항 7에 있어서,상기 비진공 코팅법은,스프레이법, 초음파 스프레이법, 스핀코팅법, 닥터블레이드법, 스크린 인쇄법 및 잉크젯 프린팅법 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고밀도를 갖는 CIS계 화합물 박막 제조방법
9 9
청구항 1에 있어서,상기 단계 3은,CIS계 화합물 박막을 코팅한 후, 건조 공정을 더 수행하는 하는 것을 특징으로 하는 고밀도를 갖는 CIS계 화합물 박막 제조방법
10 10
청구항 9에 있어서,상기 단계 3은,상기 CIS계 박막과 건조 공정을 순차적으로 반복하여 복수 회 수행하는 것을 특징으로 하는 고밀도를 갖는 CIS계 화합물 박막 제조방법
11 11
청구항 1에 있어서,상기 단계 4는,Se 증기를 공급하면서 열처리하는 것을 특징으로 하는 고밀도를 갖는 CIS계 화합물 박막 제조방법
12 12
청구항 11에 있어서,상기 열처리는,상기 CIS계 화합물 박막이 형성된 기판의 온도를 400 ~ 530 ℃로 하여 수행하는 것을 특징으로 하는 고밀도를 갖는 CIS계 화합물 박막 제조방법
13 13
태양전지의 광흡수층으로 사용되는 CIS계 화합물 박막으로서,상기 CIS계 화합물 박막은 킬레이트제(chelating agent)에 의해 CIS계 화합물 나노입자가 성장하여 치밀한 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 고밀도를 갖는 CIS계 화합물 박막
14 14
청구항 13에 있어서,상기 CIS계 화합물 나노입자는, CIS 화합물 나노입자, CIGS 화합물 나노입자 또는 CZTS 화합물 나노입자인 것을 특징으로 하는 고밀도를 갖는 CIS계 화합물 박막
15 15
청구항 13에 있어서,상기 킬레이트제는,MEA(monoethanolamine), DEA(diethanolamine), TEA(triethanolamine), 에틸렌디아민, EDTA, NTA, HEDTA, GEDTA, TTHA, HIDA 및 DHEG로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고밀도를 갖는 CIS계 화합물 박막
16 16
청구항 13 내지 청구항 15의 CIS계 화합물 박막을 포함하는 태양전지
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN103534818 CN 중국 FAMILY
2 WO2012161402 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN103534818 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN103534818 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 WO2012161402 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국에너지기술연구원 신기술융합형 성장동력사업 화학적 방식에 의한 고효율 저가 CIGS 박막 태양전지 소재개발
2 지식경제부 한국에너지기술연구원 협동연구사업 용액화학기반형 저가/고효율 CIGS 박막 태양전지 기술개발