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태양전지용 ＣＺＴ(Ｓ,Ｓｅ)계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 ＣＺＴ(Ｓ,Ｓｅ)계 박막

  • 기술번호 : KST2015153094
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 태양전지용 CZT(S,Se)계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 CZT(S,Se)계 박막이 제공된다. 본 발명의 CZT(S,Se)계 박막의 제조방법은, 기판상에 Cu, Zn 및 Sn을 진공증발법에 따라 순차적으로 증착하여 CZT계 전구체 박막을 형성하는 단계; 및 상기 CZT계 전구체 박막을 셀렌화 또는 황화 처리하는 단계를 포함한다. 이에 의하여, 공정 중 Sn 손실을 억제할 수 있으며, 궁극적으로 이를 이용한 태양전지의 에너지 효율을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0445 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020110078523 (2011.08.08)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0016528 (2013.02.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.08)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 곽지혜 대한민국 대전광역시 서구
2 윤재호 대한민국 대전광역시 중구
3 안세진 대한민국 대전광역시 유성구
4 윤경훈 대한민국 대전광역시 유성구
5 정성훈 대한민국 경기도 화성시
6 신기식 대한민국 대전광역시 유성구
7 안승규 대한민국 대전광역시 유성구
8 조아라 대한민국 서울특별시 관악구
9 박상현 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0609621-77
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.05.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.06.25 수리 (Accepted) 9-1-2012-0051179-08
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.09.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0540546-81
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.11.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0933245-14
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0933246-59
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2013.03.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0160588-19
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0406867-10
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.05.08 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0406865-18
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.09.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0617011-95
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2013.10.07 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0905060-08
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.10.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-0905061-43
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0721239-59
15 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner		 2014.01.04 수리 (Accepted) 7-8-2014-0000257-06
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 Cu, Zn 및 Sn을 진공증발법에 따라 순차적으로 증착하여 CZT계 전구체 박막을 형성하는 단계(단계 a); 및상기 CZT계 전구체 박막을 셀렌화 또는 황화 처리하는 단계(단계 b)를 포함하는 태양전지용 CZT(S,Se)계 박막의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 단계 a는,Sn, Zn, Cu 또는 Sn, Cu, Zn의 순서로 증착하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 CZT(S,Se)계 박막의 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서,상기 Zn의 소스는,Zn, ZnSe 및 ZnS 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 태양전지용 CZT(S, Se)계 박막의 제조방법
4 4
청구항 1에 있어서,상기 증착시 기판온도는,15 내지 100℃인 것을 특징으로 하는 태양전지용 CZT(S,Se)계 박막의 제조방법
5 5
청구항 1에 있어서,상기 셀렌화 또는 황화 처리시 기판온도는, 350 내지 550℃로 하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 CZT(S,Se)계 박막의 제조방법
6 6
기판상에 Cu, Zn 및 Sn을 진공증발법에 따라 순차적으로 증착하여 CZT계 전구체 박막을 형성하고, 상기 CZT계 전구체 박막을 셀렌화 또는 황화 처리하여 제조한 태양전지용 CZT(S,Se)계 박막
7 7
청구항 6에 있어서,상기 CZT계 전구체 박막은,Sn, Zn, Cu 또는 Sn, Cu, Zn 순서로 증착된 것을 특징으로 하는 태양전지용 CZT(S, Se)계 박막
8 8
청구항 6에 있어서,상기 CZT(S,Se)계 박막은,Cu2ZnSnS4, Cu2ZnSnSe4 및 Cu2ZnSn(S,Se)4 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지용 CZT(S,Se)계 박막
9 9
기판상에 Cu, Zn 및 Sn이 진공증발법에 따라 순차적으로 증착되어 CZT계 전구체 박막이 형성되고, 상기 CZT계 전구체 박막이 셀렌화 또는 황화 처리된 태양전지용 CZT(S, Se)계 박막을 이용한 태양전지
10 10
청구항 9에 있어서,상기 CZT계 전구체 박막은,Sn, Zn, Cu 또는 Sn, Cu, Zn 순서로 증착된 것을 특징으로 하는 태양전지
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2013022234 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
2 WO2013022234 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2013022234 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
2 WO2013022234 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국에너지기술연구원 신재생에너지기술개발사업 범용 소재를 이용한 Se, S계　저가 화합물 박막 태양전지 원천기술 개발