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반도체 박막 제조용 반응기 및 그를 이용한 반도체 박막 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015153169
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 박막 제조용 반응기 및 그를 이용한 반도체 박막 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 반도체 박막 제조용 반응기는 내부에 기판이 수용될 수 있는 공간이 형성된 상태로 상부가 개방되며, 유체가 유입될 수 있는 유입구 및 유출될 수 있는 유출구가 형성된 용기; 상기 용기의 개방된 상부를 덮는 덮개; 및 상기 용기의 하부에 위치하여 기판을 가열하기 위해 상기 용기 측으로 빛을 조사하는 광조사부를 포함하고, 상기 용기의 재질은 빛을 투과할 수 있는 것임을 특징으로 한다. 그러므로 용기는 빛을 투과할 수 있고, 기판은 불투명하게 제작되기 때문에 용기 측으로 빛을 조사할 때, 용기 자체는 가열 되지 않고, 불투명한 기판만 가열되어 기판에 박막을 균일하게 형성할 수 있다는 효과가 있다.
Int. CL H01L 21/205 (2006.01)
CPC C23C 16/481(2013.01) C23C 16/481(2013.01) C23C 16/481(2013.01) C23C 16/481(2013.01)
출원번호/일자 1020110094532 (2011.09.20)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1271499-0000 (2013.05.30)
공개번호/일자 10-2013-0030930 (2013.03.28) 문서열기
공고번호/일자 (20130605) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.09.20)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고창현 대한민국 대전광역시 서구
2 김종남 대한민국 대전광역시 유성구
3 박종호 대한민국 대전광역시 유성구
4 한상섭 대한민국 대전광역시 유성구
5 윤재호 대한민국 대전광역시 중구
6 윤경훈 대한민국 대전광역시 유성구
7 안세진 대한민국 대전광역시 유성구
8 곽지혜 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0730133-14
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.10.26 수리 (Accepted) 9-1-2012-0081068-86
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.12.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0759593-96
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.02.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0129251-20
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2013-0129252-76
8 등록결정서
Decision to grant
2013.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0367683-03
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
내부에 기판이 수용될 수 있는 공간이 형성된 상태로 상부가 개방되며, 전구체 용액이 유입될 수 있는 유입구 및 유출될 수 있는 유출구가 형성된 용기;상기 용기의 개방된 상부를 덮는 덮개; 및상기 용기의 하부에 위치하여 용기 자체는 가열하지 않고 기판만을 가열하기 위해 상기 용기 측으로 빛을 조사하는 광조사부를 포함하고,상기 용기의 재질은 빛을 투과할 수 있는 유리 또는 실리콘으로 형성된 것이고,상기 광조사부에서 조사하는 빛은 적외선, 가시광 및 적외선과 가시광이 혼합된 빛 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 박막 제조용 반응기
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청구항 1에 있어서,상기 용기와 덮개 사이에는 상기 용기의 공간을 밀폐시키기 위한 오링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 박막 제조용 반응기
7 7
청구항 1에 있어서,상기 용기에 형성된 유입구 및 유출구에는 각각 유입관 및 유출관이 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 박막 제조용 반응기
8 8
청구항 7에 있어서,상기 덮개에는 상기 유입관 및 유출관이 관통할 수 있도록 홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 박막 제조용 반응기
9 9
청구항 1에 있어서,상기 용기와 광조사부 사이에 위치하고, 상기 광조사부에서 조사된 빛이 기판에만 조사될 수 있도록 빛을 조사 방향을 조절하는 가림판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 박막 제조용 반응기
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빛이 투과할 수 있는 유리 또는 실리콘 재질 용기의 내부에 빛이 투과할 수 없는 기판이 놓여지는 A단계;상기 A단계에서 용기의 내부에 놓인 기판의 위로 전구체 용액이 외부에서 유입되는 B단계;상기 B단계에서 전구체 용액이 유입되어 기판의 위에 전구체 용액이 위치하면 적외선, 가시광 및 적외선과 가시광이 혼합된 빛 중 어느 하나의 빛을 조사하는 C단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 반응기를 이용한 반도체 박막 제조 방법
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청구항 10에 있어서,상기 C단계에서 조사되는 빛은 기판에만 조사될 수 있도록 가림판에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 반도체 박막 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국에너지기술연구원 신기술융합형성장동력사업 화학적 방식에 의한 고효율 저가 CIGS 박막 태양전지 소재 개발