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박막 태양전지용 후면반사막, 이의 형성방법 및 이를 포함하는 박막 태양전지

  • 기술번호 : KST2015153172
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 태양전지용 후면반사막에 관한 것으로, 기판의 반대쪽에서 빛이 입사하는 하판(substrate)형 박막 태양전지용 후면반사막으로서, 상기 기판 위에 형성된 알루미늄층을 포함하여 구성되고, 상기 알루미늄층에는 Si, O, Cu 및 Pt 중에서 선택된 적어도 하나이상의 물질이 도핑되며; 상기 도핑된 알루미늄층은 도핑된 불순물에 의해 수직방향의 결정성장이 강화되는 것을 특징으로 한다.본 발명은, 후면반사막의 조도를 향상시킴으로써, 후면반사막에서의 가시광 및 장파장 영역의 산란 반사도를 높일 수 있으며, 최종적으로 박막 태양전지의 광포획도를 높여서 변환효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.또한, 종래에 후면반사막의 재료로 사용되던 고가 재료인 은의 사용량을 줄임으로써, 전체 박막 태양전지의 제조비용을 낮출 수 있는 효과가 있다.나아가, 종래의 후면반사막에 비하여 낮은 제조온도에서도 표면조도를 높일 수 있으며, 얇은 두께로도 종래에 비하여 유사 또는 뛰어난 반사효율을 나타낸다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0445 (2014.01) H01L 31/054 (2014.01)
CPC H01L 31/056(2013.01) H01L 31/056(2013.01) H01L 31/056(2013.01)
출원번호/일자 1020110028388 (2011.03.29)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1269608-0000 (2013.05.24)
공개번호/일자 10-2012-0110496 (2012.10.10) 문서열기
공고번호/일자 (20130605) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.03.29)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조준식 대한민국 대전광역시 유성구
2 박상현 대한민국 대전광역시 유성구
3 이정철 대한민국 대전광역시 유성구
4 박주형 대한민국 대전광역시 유성구
5 신기식 대한민국 대전광역시 유성구
6 윤경훈 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0229690-04
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.01.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.02.17 수리 (Accepted) 9-1-2012-0010904-09
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0312856-93
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0559933-34
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.07.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0559934-80
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.11.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0683532-17
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-0029409-24
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.01.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0029408-89
11 등록결정서
Decision to grant		 2013.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0349040-44
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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4 4
하판형 박막 태양전지에서 기판과 광흡수층의 사이에 위치하는 후면반사막으로서,상기 기판 위에 형성되고, Si, O, Cu 및 Pt 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질이 도핑된 알루미늄층과;상기 도핑된 알루미늄층의 표면에 형성된 은 코팅층을 포함하여 구성되며,상기 도핑된 알루미늄층은 도핑된 불순물에 의해 수직방향의 결정성장이 강화된 것을 특징으로 하는 박막 태양전지용 후면반사막
5 5
청구항 4에 있어서,상기 은 코팅층의 두께가 10㎚~1㎛인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지용 후면반사막
6 6
청구항 4에 있어서,상기 은 코팅층의 표면에 투명전도막이 형성된 것을 특징으로 하는 박막 태양전지용 후면반사막
7 7
기판을 준비하는 단계;상기 기판의 표면에 Si, O, Cu 및 Pt 중에서 선택된 적어도 하나이상의 물질이 도핑된 알루미늄층을 형성하는 단계; 및상기 도핑된 알루미늄층 위에 은 코팅층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 도핑된 알루미늄층을 형성하는 단계에서 상기 도핑된 불순물에 의하여 상기 도핑된 알루미늄층의 수직방향 결정성장이 강화되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지용 후면반사막 형성방법
8 8
청구항 7에 있어서,상기 도핑된 알루미늄층을 형성하는 단계가, DC 마그네트론 스퍼터링 또는 RF 마그네트론 스퍼터링의 방법으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지용 후면반사막 형성방법
9 9
청구항 7에 있어서,상기 도핑된 알루미늄층을 형성하는 단계가, 전자빔 증발법 또는 열증발법으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지용 후면반사막 형성방법
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11 11
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청구항 7에 있어서,상기 은 코팅층을 형성하는 단계가, DC 마그네트론 스퍼터링 또는 RF 마그네트론 스퍼터링의 방법으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지용 후면반사막 형성방법
13 13
청구항 7에 있어서,상기 은 코팅층을 형성하는 단계가, 전자빔 증발법 또는 열증발법으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지용 후면반사막 형성방법
14 14
청구항 7에 있어서,상기 은 코팅층을 형성하는 단계 뒤에, 상기 은 코팅층 위에 투명전도막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지용 후면반사막 형성방법
15 15
청구항 8 또는 청구항 12에 있어서,상기 DC 마그네트론 스퍼터링 또는 RF 마그네트론 스퍼터링이 0
16 16
청구항 9 또는 청구항 13에 있어서,상기 전자빔 증발법 또는 열증발법이 1mTorr 이하의 압력에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지용 후면반사막 형성방법
17 17
청구항 8, 청구항 9, 청구항 12 및 청구항 13 중에 어느 한 항에 있어서,증착온도가 상온(25℃)~700℃ 범위인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지용 후면반사막 형성방법
18 18
기판;상기 기판 위에 형성된 청구항 4 내지 청구항 6 중에서 선택된 어느 하나의 후면반사막; 및상기 후면반사막 위에 형성된 적어도 하나 이상의 n-p 접합구조 또는 n-i-p 접합구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국에너지기술연구원 신재생에너지기술개발사업 유연금속기판을 이용한 적층형 실리콘 박막 태양전지 서브모듈 기술개발