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간소화된 동시진공증발법을 이용한 태양전지용 ＣＩＧＳ 박막의 제조방법 및 그 제조방법에 따라 제조된 태양전지용 ＣＩＧＳ 박막

  • 기술번호 : KST2015153185
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 간소화된 동시진공증발법을 이용한 태양전지용 CIGS 박막의 제조방법 및 그 제조방법에 따라 제조된 태양전지용 CIGS 박막이 개시된다. 본 발명의 태양전지용 CIGS 박막의 제조방법은, 500 ~ 600℃의 기판온도에서 기판상에 Cu, Ga 및 Se을 동시진공증발에 의해 증착하는 단계(단계 a); 상기 단계 a와 동일한 기판온도를 유지하며, Cu, Ga, Se 및 In을 동시진공증발에 의해 증착하는 단계(단계 b); 및 상기 기판의 온도를 하강시키는 동안, Ga과 Se을 동시진공증발에 의해 증착한 후, Se만을 진공증발에 의해 증착하는 공정을 순차적으로 수행하는 단계(단계 c);를 포함한다. 이에 의하여, 종래 3단계 동시진공증발법에 비해 공정 단계를 간소화하고 막 증착 시간을 단축하면서도 박막 내 결정성장과 Ga 조성분포에 의한 밴드갭 그레이딩 효과를 충분히 구현하여 공정상 효율을 기할 수 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0749 (2012.01) H01L 31/042 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120012466 (2012.02.07)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1281052-0000 (2013.06.26)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130709) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.07)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 곽지혜 대한민국 대전 서구
2 윤재호 대한민국 대전 서구
3 안세진 대한민국 대전 유성구
4 윤경훈 대한민국 대전 유성구
5 신기식 대한민국 대전 유성구
6 정국영 대한민국 서울 서초구
7 안승규 대한민국 대전 유성구
8 조아라 대한민국 서울 관악구
9 박희선 대한민국 경기 수원시 장안구
10 최성우 대한민국 서울 강동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2012-0100120-01
2 등록결정서
Decision to grant		 2013.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0434079-96
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
500 ~ 600℃의 기판온도에서 기판상에 Cu, Ga 및 Se을 동시진공증발에 의해 증착하는 단계(단계 a);상기 단계 a와 동일한 기판온도를 유지하며, Cu, Ga, Se 및 In을 동시진공증발에 의해 증착하는 단계(단계 b); 및상기 기판의 온도를 하강시키는 동안, Ga과 Se을 동시진공증발에 의해 증착한 후, Se만을 진공증발에 의해 증착하는 공정을 순차적으로 수행하는 단계(단계 c);를 포함하는 간소화된 동시진공증발을 이용한 태양전지용 CIGS 박막의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 단계 a는,상기 동시진공증발을 2 ~ 15분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 간소화된 동시진공증발을 이용한 태양전지용 CIGS 박막의 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서,상기 단계 b는,상기 동시진공증발을 8 ~ 30분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 간소화된 동시진공증발을 이용한 태양전지용 CIGS 박막의 제조방법
4 4
청구항 1에 있어서,상기 단계 c는,Ga과 Se의 동시진공증발을 10 ~ 180초 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 간소화된 동시진공증발을 이용한 태양전지용 CIGS 박막의 제조방법
5 5
청구항 1에 있어서,상기 단계 c는,Se만의 진공증발을 기판온도가 200℃로 하강될 때까지 수행하는 것을 특징으로 하는 간소화된 동시진공증발을 이용한 태양전지용 CIGS 박막의 제조방법
6 6
500 ~ 600℃의 기판온도에서 기판상에 Cu, Ga 및 Se을 동시진공증발에 의해 증착하는 단계;상기 단계 a와 동일한 기판온도를 유지하며, Cu, Ga, Se 및 In을 동시진공증발에 의해 증착하는 단계; 및상기 기판의 온도를 하강시키는 동안, Ga과 Se을 동시진공증발에 의해 증착한 후, Se만을 진공증발에 의해 증착하는 공정을 순차적으로 수행하는 단계;를 포함하는 제조방법에 따라 제조된 태양전지용 CIGS 박막
7 7
500 ~ 600℃의 기판온도에서 기판상에 Cu, Ga 및 Se을 동시진공증발에 의해 증착하는 단계;상기 단계 a와 동일한 기판온도를 유지하며, Cu, Ga, Se 및 In을 동시진공증발에 의해 증착하는 단계; 및상기 기판의 온도를 하강시키는 동안, Ga과 Se을 동시진공증발에 의해 증착한 후, Se만을 진공증발에 의해 증착하는 공정을 순차적으로 수행하는 단계;를 포함하는 제조방법에 따라 제조된 태양전지용 CIGS 박막을 이용한 태양전지
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN103999243 CN 중국 FAMILY
2 US09472708 US 미국 FAMILY
3 US20140326317 US 미국 FAMILY
4 WO2013119024 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN103999243 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN103999243 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 US2014326317 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US9472708 US 미국 DOCDBFAMILY
5 WO2013119024 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국에너지기술연구원 한국에너지기술연구원 주요사업 화합물 반도체를 이용한 ETA 태양전지 개발