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텍스처층을 포함하는 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 칼코게나이드계 태양전지

  • 기술번호 : KST2015153198
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 텍스처층을 포함하는 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법에 관한 것으로서, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판에 텍스처층을 형성하는 단계; 상기 텍스처층에 후면전극을 형성하는 단계; 상기 후면 전극 위에 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층을 형성하는 단계; 상기 광흡수층 위에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 위에 투명전극을 형성하는 단계; 및 상기 투명전극의 표면에 전면텍스처를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 텍스처층에 의하여 상기 후면전극의 표면에 요철이 형성되는 것을 특징으로 한다.본 발명에 의한 텍스처층을 포함하는 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지는, 기판; 상기 기판 위에 형성된 텍스처층; 상기 텍스처층 위에 형성된 후면전극; 상기 후면 전극 위에 형성된 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층; 상기 광흡수층 위에 형성된 버퍼층; 및 상기 버퍼층 위에 형성된 투명전극을 포함하여 구성되고, 상기 텍스처층 표면의 텍스처 구조에 의하여 상기 후면전극의 표면에 요철이 형성되며, 상기 투명전극의 표면에 전면텍스처 구조가 형성된 것을 특징으로 한다.본 발명은 전면텍스처와 텍스처층의 2중 텍스처 구조를 구비하여 광포획 성능을 크게 증가시킴으로써, 태양전지의 광전변환효율을 향상시키는 효과가 있다.
Int. CL H01L 31/0236 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/042 (2006.01) H01L 31/0749 (2012.01)
CPC
출원번호/일자 1020120030083 (2012.03.23)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1334055-0000 (2013.11.22)
공개번호/일자 10-2013-0107906 (2013.10.02) 문서열기
공고번호/일자 (20131129) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.03.23)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안승규 대한민국 대전 서구
2 윤경훈 대한민국 대전 유성구
3 윤재호 대한민국 대전 중구
4 조준식 대한민국 대전광역시 유성구
5 안세진 대한민국 대전 유성구
6 곽지혜 대한민국 대전 서구
7 신기식 대한민국 대전 유성구
8 조아라 대한민국 서울 관악구
9 유진수 대한민국 서울 노원구
10 박상현 대한민국 대전 유성구
11 박주형 대한민국 대전 유성구
12 어영주 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0236632-65
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.04.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.05.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0032465-06
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0414834-93
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0673416-27
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0673417-73
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0798438-10
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
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번호 청구항
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2 2
기판을 준비하는 단계;상기 기판에 텍스처층을 형성하는 단계;상기 텍스처층에 후면전극을 형성하는 단계;상기 후면 전극 위에 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층을 형성하는 단계;상기 광흡수층 위에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 위에 투명전극을 형성하는 단계; 및상기 투명전극의 표면에 전면텍스처를 형성하는 단계를 포함하고,상기 텍스처층을 형성하는 단계는, 상기 기판보다 녹는점이 낮은 금속을 증착하고, 상기 기판을 상기 증착된 금속의 녹는점에 해당하는 온도가 되도록 가열처리하여 진행되며,상기 가열처리는 O2가스, N2가스, O2와 불활성가스의 혼합가스, N2와 불활성가스의 혼합가스 또는 대기가스 중에서 선택된 하나의 가스분위기에서 수행되어,상기 텍스처층에 의하여 상기 후면전극의 표면에 요철이 형성되는 것을 특징으로 하는 텍스처층을 포함하는 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법
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기판을 준비하는 단계;상기 기판에 텍스처층을 형성하는 단계;상기 텍스처층에 후면전극을 형성하는 단계;상기 후면 전극 위에 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층을 형성하는 단계;상기 광흡수층 위에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 위에 투명전극을 형성하는 단계; 및상기 투명전극의 표면에 전면텍스처를 형성하는 단계를 포함하며,상기 텍스처층을 형성하는 단계는 금속입자를 증발법이나 스퍼터링으로 증착하여 진행되고,상기 증발법이나 상기 스퍼터링은 상기 기판의 온도가 절대온도를 기준으로 상기 금속입자가 녹는점의 40% 미만인 상태에서 수행되어 표면에 금속입자 클러스터가 형성되며,상기 텍스처층에 의하여 상기 후면전극의 표면에 요철이 형성되는 것을 특징으로 하는 텍스처층을 포함하는 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법
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기판을 준비하는 단계;상기 기판에 텍스처층을 형성하는 단계;상기 텍스처층에 후면전극을 형성하는 단계;상기 후면 전극 위에 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층을 형성하는 단계;상기 광흡수층 위에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 위에 투명전극을 형성하는 단계; 및상기 투명전극의 표면에 전면텍스처를 형성하는 단계를 포함하고,상기 텍스처층을 형성하는 단계는 금속 나노 입자 분산액을 도포한 뒤에 열처리하여 금속 산화물 입자층 또는 금속 질화물 입자층을 형성하며,상기 텍스처층에 의하여 상기 후면전극의 표면에 요철이 형성되는 것을 특징으로 하는 텍스처층을 포함하는 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법
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청구항 2 내지 청구항 4 중에 어느 한 항에 있어서,상기 투명전극 형성하는 단계가 DC 스퍼터링 또는 RF 스퍼터링 공정으로 TCO를 증착하여 진행되며,상기 전면텍스처를 형성하는 단계가 상기 투명전극을 형성하는 단계보다 증착되는 입자에너지를 높이는 조건에 TCO를 DC 스퍼터링 또는 RF 스퍼터링하여 진행되는 것을 특징으로 하는 텍스처층을 포함하는 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법
6 6
청구항 2 내지 청구항 4 중에 어느 한 항에 있어서,상기 전면텍스처를 형성하는 단계가 산성용액에 침지하여 상기 투명전극의 표면을 습식식각하여 진행되는 것을 특징으로 하는 텍스처층을 포함하는 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법
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1 태양에너지연구단 산업기술연구회 주요사업(구, 기본사업) 플렉서블 박막 태양전지 고효율화 기술개발