요약 | 본 발명은 CIGS를 포함하는 CIS계 태양전지의 후면전극에 관한 것으로, 기판과 CIGS를 포함하는 CIS계 광흡수층 사이에 형성된 CIS계 태양전지의 후면전극으로서, 상기 기판 위에 형성되고 Na이 10wt% 이상 포함된 금속재질의 제1전극층; 및 상기 제1전극층 위에 형성되고 Na이 포함되지 않은 금속재질의 제2전극층으로 구성되는 것을 특징으로 한다. 이때, 본 발명의 제1전극층과 제2전극층의 두께 비는 10:3 ~ 10:1 인 것이 바람직하다.본 발명은, 10wt% 이상의 Na를 첨가한 제1전극층과 얇은 제2전극층을 구비함으로써, 광흡수층에 확산되는 Na의 양을 늘려 CIS계 태양전지의 효율을 크게 향상시킬 수 있는 효과가 있다.이러한 태양전지 효율의 향상은 단순히 제1전극층의 Na의 함량을 늘리고, 제2전극층의 두께를 얇게 하여 제조된 후면전극을 이용한 것에서 예상하기 어려운 정도의 효율 향상이며, 이로부터 Na가 포함되지 않은 다양한 기판에 대하여 효율이 뛰어난 CIS계 태양전지를 제조할 수 있는 효과가 있다. |
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Int. CL | H01L 31/0224 (2006.01) H01L 31/042 (2006.01) |
CPC | |
출원번호/일자 | 1020120076570 (2012.07.13) |
출원인 | 한국에너지기술연구원 |
등록번호/일자 | 10-1315311-0000 (2013.09.27) |
공개번호/일자 | |
공고번호/일자 | (20131004) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2012.07.13) |
심사청구항수 | 10 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 한국에너지기술연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 윤재호 | 대한민국 | 대전 서구 |
2 | 곽지혜 | 대한민국 | 대전 서구 |
3 | 안세진 | 대한민국 | 대전 유성구 |
4 | 윤경훈 | 대한민국 | 대전 유성구 |
5 | 신기식 | 대한민국 | 대전 유성구 |
6 | 안승규 | 대한민국 | 대전 유성구 |
7 | 조아라 | 대한민국 | 서울 관악구 |
8 | 박상현 | 대한민국 | 대전 유성구 |
9 | 조준식 | 대한민국 | 대전 유성구 |
10 | 유진수 | 대한민국 | 서울 노원구 |
11 | 박주형 | 대한민국 | 대전 유성구 |
12 | 어영주 | 대한민국 | 대전 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 특허법인다울 | 대한민국 | 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 한국에너지기술연구원 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2012.07.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0561360-86 |
2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2013.08.01 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2013.08.26 | 수리 (Accepted) | 9-1-2013-0070806-52 |
4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.08.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0609006-23 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.09.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0820836-05 |
6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.09.09 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0820837-40 |
7 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.09.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0663967-29 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.01.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5003356-15 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0013224-83 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.01.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5010650-13 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.01.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5004978-55 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5166801-48 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5166803-39 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.09.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5197654-62 |
번호 | 청구항 |
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1 |
1 기판과 CIGS를 포함하는 CIS계 광흡수층 사이에 형성된 CIS계 태양전지의 후면전극으로서,상기 기판 위에 형성되고 Na이 10wt% 이상 포함된 금속재질의 제1전극층; 및상기 제1전극층 위에 형성되고 Na이 포함되지 않은 금속재질의 제2전극층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 CIS계 태양전지의 후면전극 |
2 |
2 청구항 1에 있어서,상기 제1전극층과 상기 제2전극층의 두께 비가 10:3 ~ 10:1 인 것을 특징으로 하는 CIS계 태양전지의 후면전극 |
3 |
3 청구항 1에 있어서,상기 제1전극층에 포함된 Na의 양이 15wt% 이하인 것을 특징으로 하는 CIS계 태양전지의 후면전극 |
4 |
4 청구항 1에 있어서,상기 제1전극층과 상기 제2전극층이 몰리브덴 재질인 것을 특징으로 하는 CIS계 태양전지의 후면전극 |
5 |
5 청구항 1에 있어서,상기 기판이 유리, 스테인리스 강, 알루미나, 티타늄 및 폴리머 중에서 선택된 하나의 재질인 것을 특징으로 하는 CIS계 태양전지의 후면전극 |
6 |
6 기판, 상기 기판 위에 형성된 후면전극, 상기 후면전극 위에 형성된 CIGS를 포함하는 CIS계 광흡수층을 포함하여 구성되는 CIS계 태양전지로서,상기 후면전극이,상기 기판 위에 형성되고 Na이 10wt% 이상 포함된 금속재질의 제1전극층; 및상기 제1전극층 위에 형성되고 Na이 포함되지 않은 금속재질의 제2전극층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 CIS계 태양전지 |
7 |
7 청구항 6에 있어서,상기 제1전극층과 상기 제2전극층의 두께 비가 10:3 ~ 10:1 인 것을 특징으로 하는 CIS계 태양전지 |
8 |
8 청구항 6에 있어서,상기 제1전극층에 포함된 Na의 양이 15wt% 이하인 것을 특징으로 하는 CIS계 태양전지 |
9 |
9 청구항 6에 있어서,상기 제1전극층과 상기 제2전극층이 몰리브덴 재질인 것을 특징으로 하는 CIS계 태양전지 |
10 |
10 청구항 6에 있어서,상기 기판이 유리, 스테인리스 강, 알루미나, 티타늄 및 폴리머 중에서 선택된 하나의 재질인 것을 특징으로 하는 CIS계 태양전지 |
지정국 정보가 없습니다 |
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순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | WO2014010925 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | WO2014010925 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 지식경제부 | 한국에너지기술연구원 | 한국에너지기술연구원 주요사업 | 고효율 유리기판 CIGS 박막 태양전지 핵심원천 기술개발 |
공개전문 정보가 없습니다 |
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특허 등록번호 | 10-1315311-0000 |
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표시번호 | 사항 |
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1 |
출원 연월일 : 20120713 출원 번호 : 1020120076570 공고 연월일 : 20131004 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130926 청구범위의 항수 : 10 유별 : H01L 31/042 발명의 명칭 : 후면전극 및 이를 포함하는 CIS계 태양전지 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
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1 |
(권리자) 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 217,500 원 | 2013년 09월 30일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 182,000 원 | 2016년 09월 22일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 182,000 원 | 2017년 09월 21일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 130,000 원 | 2018년 06월 04일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 240,000 원 | 2019년 06월 03일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 240,000 원 | 2020년 06월 09일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2012.07.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0561360-86 |
2 | 선행기술조사의뢰서 | 2013.08.01 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 | 2013.08.26 | 수리 (Accepted) | 9-1-2013-0070806-52 |
4 | 의견제출통지서 | 2013.08.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0609006-23 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.09.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0820836-05 |
6 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.09.09 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0820837-40 |
7 | 등록결정서 | 2013.09.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0663967-29 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.01.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5003356-15 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0013224-83 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.01.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5010650-13 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.01.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5004978-55 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5166801-48 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5166803-39 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.09.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5197654-62 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1711007721 |
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세부과제번호 | KIER-B32436 |
연구과제명 | 태양열을 이용한 AMTEC 용 요소기술 및 시스템 기술개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 201201~201312 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | ET(환경기술) |
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