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세라믹 지지체 표면에 산화금속 나노와이어를 합성하는 방법 및 이로부터 합성한 산화금속 나노와이어

  • 기술번호 : KST2015153243
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 기술은 세라믹 지지체 표면에 산화금속 나노와이어 또는 첨정석(spinel) 구조의 산화금속 나노와이어를 합성하는 방법 및 이로부터 합성한 산화금속 나노와이어에 대한 것이다. 이를 위하여 세라믹 지지체 표면에 수 마이크론 이하 두께의 얇은 금속 층을 형성하여 이를 소스로 화학기상증착 반응과 표면 반응을 이용하여 산화금속 나노와이어를 세라믹 지지체 표면에 직접 합성하는 것을 주요 내용으로 한다. 또한, 상기 금속 층에 산화마그네슘, 산화칼슘, 산화아연, 산화주석 등의 산화금속 나노입자 층을 추가적으로 코팅하여 이들 간의 화학반응을 통해 첨정석 구조의 산화금속 나노와이어를 세라믹 지지체 표면에 직접 합성할 수도 있다. 이러한 구조들은 기존의 방식에 비해 세라믹 지지체와 생성된 산화금속 나노와이어와의 접촉력을 증대시킬 수 있어 산화금속 나노와이어가 폭넓게 활용되고 있는 촉매 지지체 등의 응용 분야에서 촉매의 사용량을 크게 줄이면서도 반응성능을 크게 향상시킬 수 있을 것으로 기대된다.
Int. CL B82B 3/00 (2006.01) C23C 14/14 (2006.01)
CPC Y02E 60/12(2013.01)
출원번호/일자 1020120075021 (2012.07.10)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1327262-0000 (2013.11.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20131108) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.10)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정남조 대한민국 대전 유성구
2 여정구 대한민국 대전 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유)화우 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로***길 **, *층 (대치동, 삼호빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-0550685-51
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.08.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0085435-67
4 등록결정서
Decision to grant		 2013.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0736228-08
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
i) 세라믹 지지체 표면에 금속 층을 균일하게 코팅하는 단계; ii) 상기 세라믹 지지체가 위치한 반응장치 내 온도를 상기 금속 층의 녹는점 이상으로 상승시켜, 상기 금속 층과 세라믹 지지체와의 반응을 유도하는 단계; 및iii) 상기 반응장치 내의 압력을 제어하여 기화되는 금속 및 산화금속 가스의 양을 조절하고, 이로부터 산화금속 나노와이어를 합성하는 단계; 를 포함하는 세라믹 지지체 표면에 산화금속 나노와이어를 합성하는 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 금속 층은 sputter 또는 electro-beam을 이용하여 세라믹 지지체 표면에 박막의 형태로 형성되거나, 금속 나노입자를 세라믹 지지체 표면에 직접 코팅함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 세라믹 지지체 표면에 산화금속 나노와이어를 합성하는 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 금속 층이 알루미늄, 마그네슘, 칼슘, 주석, 철 ,니켈 또는 아연으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 세라믹 지지체 표면에 산화금속 나노와이어를 합성하는 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 금속 층의 두께가 500 nm ~ 10 ㎛에서 제어되는 것을 특징으로 하는 세라믹 지지체 표면에 산화금속 나노와이어를 합성하는 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 금속 층의 코팅 단계가 무산소의 진공 분위기 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 세라믹 지지체 표면에 산화금속 나노와이어를 합성하는 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 반응장치 내의 반응 온도가 700 ~ 1100도에서 제어되는 것을 특징으로 하는 세라믹 지지체 표면에 산화금속 나노와이어를 합성하는 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 기화되는 금속 및 산화금속 가스의 양을 조절하기 위하여, 반응장치 내의 압력이 2 ~ 760 Torr의 범위에서 제어되며, 이송가스로는 아르곤, 질소, 헬륨과 같은 불활성 기체가 사용되는 것을 특징으로 하는 세라믹 지지체 표면에 산화금속 나노와이어를 합성하는 방법
8 8
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 방법에 의하여 합성된 산화금속 나노와이어로서, 지름이 평균 5 ~ 50 nm, 길이는 1 ~ 50㎛로 형성되는 것을 특징으로 하는 세라믹 지지체 표면에 합성된 산화금속 나노와이어
9 9
제8항에 있어서,촉매지지체 또는 배터리 소재로 사용되는 것을 특징으로 하는 세라믹 지지체 표면에 합성된 산화금속 나노와이어
10 10
i) 세라믹 지지체 표면에 금속 층을 균일하게 코팅하는 단계; ii) 상기 코팅된 금속 층 표면에 첨정석 구조에 필요한 성분을 갖는 산화금속 나노입자를 코팅하는 단계;iii) 상기 세라믹 지지체가 위치한 반응장치 내 온도를 상기 금속 코팅층의 녹는점 이상으로 상승시켜, 상기 금속 코팅층과 세라믹 지지체와의 반응을 유도하는 단계; 및iv) 상기 반응장치 내의 압력을 제어하여 기화되는 금속 및 산화금속 가스의 양을 조절하고, 상기 기화된 금속 및 산화금속 가스가 상기 코팅된 산화금속 나노입자와 반응하여 첨정석 구조의 산화금속 나노와이어를 합성하는 단계; 를 포함하는 세라믹 지지체 표면에 첨정석(spinel) 구조의 산화금속 나노와이어를 합성하는 방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 산화금속 나노입자가 spray나 Dip coating 방식을 이용하여 코팅되는 것을 특징으로 하는 세라믹 지지체 표면에 첨정석(spinel) 구조의 산화금속 나노와이어를 합성하는 방법
12 12
제10항에 있어서, 상기 산화금속 나노입자로 MgO, ZnO, Fe2O3, CuO, NiO, TiO2, CaO, SnO2 또는 CrO2가 사용되는 것을 특징으로 하는 세라믹 지지체 표면에 첨정석(spinel) 구조의 산화금속 나노와이어를 합성하는 방법
13 13
제10항에 있어서, 상기 산화금속 나노입자의 크기가 10~1000nm이고, 그 코팅 두께는 100nm ~ 10㎛인 것을 특징으로 하는 세라믹 지지체 표면에 첨정석(spinel) 구조의 산화금속 나노와이어를 합성하는 방법
14 14
제10항에 있어서, 상기 금속 층이 알루미늄, 마그네슘, 칼슘, 주석, 철 ,니켈 또는 아연으로 이루어진 것을 특징으로 하는 세라믹 지지체 표면에 첨정석(spinel) 구조의 산화금속 나노와이어를 합성하는 방법
15 15
제10항에 있어서, 상기 금속 층의 두께가 500 nm ~ 10 ㎛에서 제어되는 것을 특징으로 하는 세라믹 지지체 표면에 첨정석(spinel) 구조의 산화금속 나노와이어를 합성하는 방법
16 16
제10항에 있어서, 상기 금속 층의 코팅 단계가 무산소의 진공 분위기 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 세라믹 지지체 표면에 첨정석(spinel) 구조의 산화금속 나노와이어를 합성하는 방법
17 17
제10항에 있어서, 상기 반응장치 내의 반응 온도가 700 ~ 1100도에서 제어되는 것을 특징으로 하는 세라믹 지지체 표면에 첨정석(spinel) 구조의 산화금속 나노와이어를 합성하는 방법
18 18
제10항에 있어서, 상기 기화되는 금속 및 산화금속 가스의 양을 조절하기 위하여, 반응장치 내의 압력이 2 ~ 760 Torr의 범위에서 제어되며, 이송가스로는 아르곤, 질소, 헬륨과 같은 불활성 기체가 사용되는 것을 특징으로 하는 세라믹 지지체 표면에 첨정석(spinel) 구조의 산화금속 나노와이어를 합성하는 방법
19 19
제10항 내지 제18항 중 어느 한 항의 방법에 의하여 합성된 첨정석(spinel) 구조의 산화금속 나노와이어로서, 지름이 평균 5 ~ 50 nm, 길이는 1 ~ 50㎛로 형성되는 것을 특징으로 하는 세라믹 지지체 표면에 합성된 첨정석(spinel) 구조의 산화금속 나노와이어
20 20
제19항에 있어서,촉매지지체 또는 배터리 소재로 사용되는 것을 특징으로 하는 세라믹 지지체 표면에 합성된 첨정석(spinel) 구조의 산화금속 나노와이어
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.