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티타늄아이소프로폭사이드와 아세트산, 계면활성제 및 알콜로 이루어진 이산화티탄 전구체 혼합물을 준비하는 S1단계;상기 혼합물에 오르쏘실리케이트 화합물을 가하고 물을 이용하여 젤화물로 상변화시키는 S2단계;상기 젤화물을 열처리하는 S3단계; 및상기 열처리된 젤화물에서 용매를 제거하고 에탄올, 터핀올 및 에틸셀룰로오스로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 가하여 혼합하여 페이스트를 제조하는 S4단계;를 포함하되,상기 오르쏘실리케이트 화합물은 테트라에틸오르쏘실리케이트(Tetraethyl orthosilicate), 테트라메틸오르쏘실리케이트(Tetramethyl orthosilicate), 테트라프로필오르쏘실리케이트(tetrapropyl orthosilicate), 테트라부틸오르쏘실리케이트(Tetrabutyl orthosilicate), 테트라아릴오르쏘실리케이트(Tetraallyl orthosilicate), 테트라키스(디메틸시릴)오르쏘실리케이트(Tetrakis(dimethylsilyl)orthosilicate), 테트라키스(2-부톡시에틸)오르쏘실리케이트Tetrakis(2-butoxyethyl)orthosilicate), 테트라아밀오르쏘실리케이트(Tetraamyl orthosilicate), 테트라헥실오르쏘실리케이트(Tetrahexyl orthosilicate), 테트라아이소프로필오르쏘실리케이트(Tetraisopropyl orthosilicate), 테트라옥틸오르쏘실리케이트(Tetraoctyl orthosilicate), 테트라페닐오르쏘실리케이트(Tetraphenyl orthosilicate), 테트라토릴오르쏘실리케이트(Tetratolyl orthosilicate), 테트라키스(2-에틸-1-부틸)오르쏘실리케이트Tetrakis(2-ethyl-1-butyl) orthosilicate 및 테트라키스(2-메톡시에틸)오르쏘실리케이트(Tetrakis(2-methoxyethyl)orthosilicate)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 염료감응태양전지용 나노페이스트의 제조방법
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제 3 항에 있어서,상기 오르쏘실리케이트 화합물은 상기 S1단계의 혼합물 100 중량부에 대하여 0
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제 3 항에 있어서,상기 오르쏘실리케이트 화합물은 이산화티탄 입자나 클러스터의 주위에 이산화규소 형태로 구비되는 것을 특징으로 하는 염료감응태양전지용 나노페이스트의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 이산화규소는 입자나 클러스터로 상기 이산화티탄에 접하는 것을 특징으로 하는 염료감응태양전지용 나노페이스트의 제조방법
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제 3 항에 있어서,상기 S1단계, S2단계 또는 S4단계에 균일한 혼합을 위하여 초음파 분산하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응태양전지용 나노페이스트의 제조방법
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제 3 항에 있어서,상기 열처리는 온도 150 내지 250℃, 압력 5 내지 20 bar 환경에서 수행되는 것을 특징으로 하는 염료감응태양전지용 나노페이스트의 제조방법
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제 3 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항의 제조방법에 의하여 제조되는 염료감응태양전지용 나노페이스트
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제 9 항의 나노페이스트를 전도성산화물층이 형성된 투명기판의 상부로 코팅하고, 순서대로 이어서 열처리, 염료흡착 및 건조하여 광전극을 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응태양전지용 전극의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 오르쏘실리케이트 화합물은 이산화티탄 입자나 클러스터의 주위에 이산화규소 형태로 구비되는 것을 특징으로 하는 염료감응태양전지용 전극의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 이산화규소는 입자나 클러스터로 상기 이산화티탄에 접하는 것을 특징으로 하는 염료감응태양전지용 전극의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 광전극의 이산화티탄 100 중량부에 대하여 이산화규소가 0
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제 10 항의 제조방법에 의하여 제조되는 염료감응태양전지용 전극
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제 14 항에 있어서,상기 염료감응태양전지 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응태양전지
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