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실리콘 원료가 공급되는 실리콘 원료 투입부;상기 공급된 실리콘을 용융하여 실리콘 용탕을 형성하는 실리콘 용융부;상기 실리콘 용융부로부터 상기 실리콘 용탕을 공급받아 저장하며, 상기 실리콘 용탕을 일정한 양의 용융물로 토출하는 토출구를 가지는 실리콘 용탕 저장부;상기 실리콘 용탕 저장부의 토출구와 인접한 지점에 구비되어, 상기 토출구를 통해 토출된 실리콘 용융물의 표면을 가열하는 표면 가열부; 상기 실리콘 용탕 저장부 하부에 배치되어 상기 실리콘 용융물을 이송하는 이송기판; 및상기 이송기판의 이동방향에 따라 배치되어, 상기 표면 가열부에 의해 가열되어 고화된 실리콘 기판을 어닐링 하는 어닐링부를 포함하는 실리콘 기판 제조장치
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제 1항에 있어서,상기 실리콘 용탕 저장부 내의 상기 실리콘 용융물을 가열하는 실리콘 용탕 가열부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 제조장치
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제 2항에 있어서,상기 실리콘 용탕 가열부는 상기 실리콘 용탕 저장부를 둘러싸 가열하는 히터 또는 유도 코일을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 제조장치
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제 2항 또는 제 3항에 있어서,상기 실리콘 용탕 가열부는 상기 실리콘 용탕의 응고속도를 제어하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 제조장치
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제 1항에 있어서,상기 이송기판의 재질은 상기 실리콘의 열팽창계수와 다른 것을 특징으로 하는 실리콘 박판 제조장치
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제 5항에 있어서,상기 이송기판의 재질은 금속, 세라믹, 실리콘카바이트(SiC), 실리콘나이트라이드(Si3N4), 그라파이트(Graphite), 알루미늄옥사이드(Al2O3), 몰리브덴(Mo) 물질 그룹 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 실리콘 박판 제조장치
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실리콘 용탕을 형성하는 실리콘 용융부;상기 실리콘 용탕을 공급받아 저장하며, 상기 실리콘 용탕을 일정한 양의 용융물로 토출시키는 실리콘 용탕 저장부; 및상기 실리콘 용탕의 응고속도를 제어하기 위해 상기 실리콘 용탕 저장부를 둘러싸 가열하는 저장부 가열부를 포함하는 실리콘 기판 제조장치
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제 7항에 있어서,상기 저장부 가열부는 상기 실리콘 용탕이 용융물 상태로 유지되도록 가열하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 제조장치
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연속주조법을 이용하여 실리콘 기판을 제조하는 방법에 있어서, 실리콘 용융부에 실리콘 원료를 장입하여 상기 실리콘 원료를 용융시키는 단계;상기 용융된 실리콘을 공급받아 저장한 후, 상기 용융된 실리콘을 이송시 상기 실리콘 용융물 표면을 열처리하는 단계; 및열처리 후, 상기 실리콘 용융물의 냉각 응고된 실리콘 기판에 어닐링 하는 단계를 포함하는 실리콘 기판 제조방법
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제 9항에 있어서,상기 용융된 실리콘의 응고속도를 제어하도록 상기 용융된 실리콘의 온도를 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 제조방법
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제 9항에 있어서,상기 어닐링 단계에서의 어닐링 온도는 상기 실리콘 용융점 이하인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 어닐링 온도는 600 ~ 1400℃ 의 범위인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 제조방법
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제 9항에 있어서,상기 실리콘 기판의 어닐링은 진공 혹은 불활성 가스 분위기에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 제조방법
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