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실리콘 원료가 공급되는 실리콘 원료 투입부;상기 공급된 실리콘을 용융하여 실리콘 용탕을 형성하는 실리콘 용융부;상기 실리콘 용탕을 공급받아 저장하며, 상기 실리콘 용탕을 일정한 두께의 용융물로 토출하는 토출구를 가지는 실리콘 용탕 저장부;상기 실리콘 용탕 저장부 하부에 배치되어 상기 실리콘 용융물을 이송하는 이송기판;상기 토출구와 인접한 지점에 구비되어, 상기 토출구를 통해 토출된 실리콘 용융물의 표면을 가열하는 표면 가열부; 및상기 표면 가열부와 인접하여 위치하고, 상기 표면 가열부에 의해 가열된 상기 실리콘 용융물의 표면에 고압가스를 블로윙하는 기체 분사부를 포함하는 실리콘 기판 제조장치
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제 1항에 있어서,상기 표면 가열부는 상기 실리콘 용융물이 고화된 기판 표면을 실리콘 용융점 이상의 온도로 가열하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 제조장치
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제 2항에 있어서,상기 표면 가열부는 플라즈마 가열, 유도가열, 및 저항가열 중 적어도 어느 하나의 가열방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 제조장치
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제 1항에 있어서,상기 기체 분사부는 상기 고압가스를 상기 실리콘 용융물의 전체 표면에 동일한 압력으로 분사하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 제조장치
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제 1항에 있어서,상기 고압가스는 수소가스, 질소가스, 수소를 포함한 혼합가스 및 불활성 가스 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 제조장치
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제 1항에 있어서,상기 실리콘 용탕 저장부를 가열하는 실리콘 용탕 가열부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 제조장치
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제 6항에 있어서,상기 실리콘 용탕 가열부는 상기 실리콘 용탕의 응고속도를 제어하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 제조장치
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제 6항에 있어서,상기 실리콘 용탕 가열부는 상기 실리콘 용탕 저장부를 둘러싸 간접 가열하는 히터 혹은 유도코일을 포함하거나 상기 실리콘 용탕 저장부 내를 직접 가열하는 플라즈마 또는 이빔장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 제조장치
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제 1항에 있어서,상기 이송기판 하부에 배치되어 상기 이송기판을 가열하는 예비 가열부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 제조장치
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제 9항에 있어서,상기 이송기판의 재질은 실리콘과 열팽창계수가 다른 물질인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 제조장치
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실리콘 용융물이 저장된 실리콘 용탕 저장부; 및상기 실리콘 용탕 저장부로부터 토출된 상기 실리콘 용융물을 이송하면서 응고시키는 이송기판을 포함하고,상기 실리콘 용융물 표면은 열처리 후, 상기 실리콘 용융물 표면에 불활성 가스에 의한 블로윙처리 되는 실리콘 기판 제조장치
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연속주조법을 이용하여 실리콘 기판을 제조하는 방법에 있어서, 실리콘 원료를 용융시키는 단계; 및상기 실리콘 용융물의 표면에 열처리하는 단계;상기 열처리된 실리콘 용융물의 표면에 가스를 블로윙하는 단계; 및를 포함하는 실리콘 기판 제조방법
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제 14항에 있어서,상기 실리콘 용융물의 표면 열처리는 상기 실리콘 용융점 이상으로 열처리 하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 제조방법
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제 14항 또는 제 17항에 있어서,상기 실리콘 용융물의 표면 열처리는 플라즈마 가열, 유도가열 및 저항가열 중 어느 한 가열방법으로 열처리되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 제조방법
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