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기판에 셀레늄 성분이 포함된 Cu-In-Ga-Se 전구체 박막을 형성하는 단계(단계 a);상기 단계 a에서 형성된 전구체 박막에 400℃ 초과 600℃ 미만의 온도 및 1∼760 torr의 압력에서 1∼30분 동안 급속 열처리 공정(RTP)을 처리하는 단계(단계 b)를 포함하되,상기 단계 a는 셀레늄을 적어도 하나 포함하는 타겟을 스퍼터링법에 의해 증착하여 전구체 박막을 형성하는 것이고,상기 셀레늄(Se)을 적어도 하나 포함하는 타겟은, Cu, In, Ga 및 2 이상의 이의 합금으로 이루어지는 군으로 선택되는 순수 금속/합금 타겟과 Se 타겟의 조합;Cu, In, Ga 및 2 이상의 이의 합금으로 이루어지는 군으로 선택되는 순수 금속/합금 타겟과 Cu, In 및 Ga 중 하나 이상과 Se로 구성되는 셀레나이드 타겟의 조합; 및Cu, In 및 Ga 중 하나 이상과 Se로 구성되는 셀레나이드 타겟의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나의 조합인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 스퍼터링법은 타겟을 동시 스퍼터링(co-sputtering) 또는 시간차를 두고 차례로 수행하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 Cu, In, Ga 및 2 이상의 이의 합금으로 이루어지는 군으로 선택되는 순수 금속/합금 타겟과 Se 타겟의 조합은, (Cu, In, CuGa, Se), (CuIn, CuGa, Se) 및 (CuInGa, Se)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나의 조합인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 Cu, In, Ga 및 2 이상의 이의 합금으로 이루어지는 군으로 선택되는 순수 금속/합금 타겟과 Cu, In 및 Ga 중 하나 이상과 Se로 구성되는 셀레나이드 타겟의 조합은, (Cu, InSe, GaSe), (CuGa, InSe, CuSe) 및 (In, CuSe, GaSe)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나의 조합인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 Cu, In 및 Ga 중 하나 이상과 Se로 구성되는 셀레나이드 타겟의 조합은, (CuSe, InSe, GaSe), (CuSe, InGaSe) 및 (CuInSe, GaSe)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나의 조합인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 단계 b에서 급속 열처리 공정은 560℃의 온도 및 1 torr의 압력에서 15분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 제조방법
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셀레늄을 적어도 하나 포함하는 타겟을 스퍼터링법으로 증착하여 셀레늄 성분이 포함된 Cu-In-Ga-Se 전구체 박막을 기판에 형성한 후, 형성된 전구체 박막을 400℃ 초과 600℃ 미만의 온도 및 1∼760 torr의 압력에서 1∼30분 동안 급속 열처리 공정(RTP)으로 처리하여 제조되고,상기 셀레늄(Se)을 적어도 하나 포함하는 타겟은, Cu, In, Ga 및 2 이상의 이의 합금으로 이루어지는 군으로 선택되는 순수 금속/합금 타겟과 Se 타겟의 조합;Cu, In, Ga 및 2 이상의 이의 합금으로 이루어지는 군으로 선택되는 순수 금속/합금 타겟과 Cu, In 및 Ga 중 하나 이상과 Se로 구성되는 셀레나이드 타겟의 조합; 및Cu, In 및 Ga 중 하나 이상과 Se로 구성되는 셀레나이드 타겟의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나의 조합인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막을 광흡수층으로 포함하는 CIGS 박막 태양전지
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CIGS 박막을 광흡수층으로서 포함하는 박막 태양전지의 제조방법으로서, 셀레늄을 적어도 하나 포함하는 타겟을 스퍼터링법으로 증착하여 셀레늄 성분이 포함된 Cu-In-Ga-Se 전구체 박막을 기판에 형성한 후, 형성된 전구체 박막을 400℃ 초과 600℃ 미만의 온도 및 1∼760 torr의 압력에서 1∼30분 동안 급속 열처리 공정(RTP)으로 처리하는 단계를 포함하고,상기 셀레늄(Se)을 적어도 하나 포함하는 타겟은,Cu, In, Ga 및 2 이상의 이의 합금으로 이루어지는 군으로 선택되는 순수 금속/합금 타겟과 Se 타겟의 조합;Cu, In, Ga 및 2 이상의 이의 합금으로 이루어지는 군으로 선택되는 순수 금속/합금 타겟과 Cu, In 및 Ga 중 하나 이상과 Se로 구성되는 셀레나이드 타겟의 조합; 및Cu, In 및 Ga 중 하나 이상과 Se로 구성되는 셀레나이드 타겟의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나의 조합인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 태양전지의 제조방법
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