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CI(G)S 박막과 그 제조 방법, 및 이를 이용한 CI(G)S 태양전지와 그 제조 방법.

  • 기술번호 : KST2015153365
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 태양전지에 사용되는 광흡수층으로 사용되는 CI(G)S박막 제조 공정에서 킬레이트제(chelating agent)를 첨가하여, 광흡수층의 원료로 사용되는 CuI, InI3 및 Na2Se의 용해시 Cu 또는 In 과 착화합물(complex)을 형성하여 Se 이온과 결합을 구조적으로 방해함으로써, 크기가 작은 입자를 만들 수 있다. 따라서, 기공(Porosity)의 크기를 줄이고, 조성의 균일도가 향상된 CI(G)S박막을 제조할 수 있다. 또한, 크고 각 공정별로 셀렌화 공정 조건의 변화시켜야 하고, 또한, 공정 조건의 변화가 적합하지 않을 경우, 제조된 흡수층이나 CI(G)S박막의 조성이 균일도가 떨어지는 기존의 흡수층이나 CI(G)S박막 제조 방법의 문제점을 해소할 수 있다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0749 (2012.01)
CPC H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01)
출원번호/일자 1020120151855 (2012.12.24)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1508133-0000 (2015.03.27)
공개번호/일자 10-2014-0082881 (2014.07.03) 문서열기
공고번호/일자 (20150406) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.12.24)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 어영주 대한민국 대전 유성구
2 조아라 대한민국 서울 관악구
3 조준식 대한민국 대전 유성구
4 박주형 대한민국 대전 유성구
5 윤경훈 대한민국 대전 유성구
6 윤재호 대한민국 대전 중구
7 곽지혜 대한민국 대전 서구
8 신기식 대한민국 대전 유성구
9 안세진 대한민국 대전 유성구
10 안승규 대한민국 대전 유성구
11 유진수 대한민국 서울 노원구
12 박상현 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한상수 대한민국 서울시 서초구 효령로**길 ** *층 (브릿지웰빌딩)(에이치앤피국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2012-1069613-58
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.12.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.02.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0013102-93
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0133337-89
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0390356-16
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0479870-71
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.05.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0479872-62
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0666067-13
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-1161895-11
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.11.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1161896-67
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
13 등록결정서
Decision to grant		 2015.03.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0190901-35
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
태양전지의 광흡수층으로서의 CI(G)S박막 제조 방법에 있어서, (i) 기판(substrate)을 준비하는 단계;(ii) 상기 기판(substrate) 상에서 나노파티클(Nanoparticle) 상태의 Cu2Se입자 제조 단계;(iii) 상기 기판(substrate) 상에서 나노파티클 상태의 In2Se3입자 제조 단계;(iv) 제조된 상기 나노파티클 상태의 Cu2Se 및 In2Se3을 혼합하는 단계;(v) 혼합된 상기 나노파티클 상태의 Cu2Se 및 In2Se3을 후면전극층 위에 코팅하는 단계;(vi) 상기 코팅된 나노파티클 상태의 Cu2Se 및 In2Se3을 열처리하여 셀렌화를 통해 CuInSe2 박막을 얻는 단계;를 포함하며,상기 (ii) 단계는, (a) 피리딘(pyridine)을 용매로 한 CuI 용액 및 메탄올(Methanol)을 용매로 한 Na2Se을 반응시키는 공정;(b) 상기 pyridine을 용매로한 CuI 용액 및 메탄올(Methanol)을 용매로한 Na2Se의 반응물을 원심 분리 공정을 통해 나노파티클 상태의 Cu2Se를 얻는 분리 공정;을 포함하고,상기 (iii) 단계는,(a) 테트라히드로푸란(tetrahydrofuran)을 용매로 한 InI3 용액 및 메탄올(Methanol)을 용매로 한 Na2Se을 반응시키는 공정;(b) 상기 tetrahydrofuran을 용매로 한 InI3 용액 및 메탄올(Methanol)을 용매로 한 Na2Se의 반응물을 원심 분리 공정을 통해 나노파티클 상태의 In2Se3를 얻는 분리 공정;을 포함하며,상기 (ii) 단계와 (iii)단계의 반응 및 분리 공정에서,Cu 또는 In과 착화합물(complex)을 형성하기 위한 킬레이트제(chelating agent)가 첨가되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 CI(G)S박막 제조 방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
청구항 1항에 있어서,상기 킬레이트제(chelating agent)는 β-diketone 류, Heterocyclic Amine 류 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 CI(G)S박막 제조 방법
6 6
청구항 5항에 있어서, 상기 β-diketone 류는 Beta-Diketone, 2,4-Hexanedione, 5-Methyl-2,4-hexanedione, 2,2-Dimethyl-3,5-hexanedione, 3,5-Heptanedione, 2-Methyl-3,5-Heptanedione, 2,2-Dimethyl-3,5-Heptanedione, 2,6-Dimethyl-3,5-Heptanedione, 2,2,6-Trimethyl-3,5-Heptanedione, 2,2,6,6-Trimethyl-3,5-Heptanedione 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 CI(G)S박막 제조 방법
7 7
청구항 5에 있어서, 상기 Heterocyclic Amine 류는 pyrrolidine, pyrrole, Imidazole, porphyrin, pyridine, pyrimidine, 2,2’-bipyridine, 1,10-phenanthroline 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 CI(G)S박막 제조 방법
8 8
청구항 1항에 있어서, 상기 (v) 단계에서, 혼합된 상기 나노파티클 상태의 Cu2Se 및 In2Se3을 스핀코팅(spin coating), 딥코팅(dip coating), 스프레이코팅(spray coating), 닥터블레이드코팅(Dr
9 9
청구항 1항에 있어서, 상기 (vi) 단계에서, 상기 코팅된 Cu2Se 및 In2Se3을 300 내지 700 ℃의 온도에서 열처리하여 셀렌화를 통해 CuInSe2 박막을 얻는 것을 특징으로 하는 CI(G)S박막 제조 방법
10 10
태양전지 제조 방법에 있어서,(1) 기판을 준비하는 단계;(2) 후면전극층을 증착하는 단계;(3) 상기 청구항 1 및 청구항 5 내지 청구항 9의 방법 중 어느 하나의 방법으로 제조된 CI(G)S박막을 광흡수층으로 증착하는 단계;(4) 버퍼층을 증착하는 단계;(5) 투명전도층을 증착하는 단계;(6) 반사방지막을 전면전극층이 형성되는 영역을 제외한 부분에 증착하는 단계;(7) 상기 반사방지막이 형성되지 않은 부분에 전면전극층을 증착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
11 11
청구항 10에 있어서, 상기 기판은 유리, 세라믹, 스테인레스 스틸(stainless steel), 폴리머(polymer), 금속 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
12 12
청구항 11에 있어서, 상기 후면전극층은 Mo, Ni, Cu 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
13 13
청구항 12에 있어서, 상기 버퍼층은 CdS, InxSey, Zn(O,S,OH)x, In(OH)xSy, ZnInxSey, ZnSe 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
14 14
청구항 13에 있어서, 상기 투명전도층은 ZnO 인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
15 15
청구항 14에 있어서, 상기 투명전도층은 하부막인 ZnO 위에 상부막인 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어진 2중 구조로 증착하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
16 16
청구항 15 에 있어서, 상기 반사방지막은 MgF2 인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
17 17
청구항 16에 있어서, 상기 전면전극층은 Al, Ag, Ni, M 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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1 지식경제부 한국에너지기술연구원 한국에너지기술연구원 주요사업 플렉서블 박막 태양전지 고효율화 기술개발