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고압력 셀렌화 공정을 이용한 CI(G)S 박막 제조 방법과 이를 이용한 태양전지.

  • 기술번호 : KST2015153435
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 태양전지에 사용되는 CI(G)S의 제조 과정 중 셀렌화 공정의 효율을 높이기 위한 방법으로 더욱 구체적으로는 CI(G)S계 전구체 박막을 일정 콘테이너 혹은 챔버에 삽입하여, 상기 콘테이너 혹은 챔버 내에 셀레늄(Se)을 주입하고 온도를 올려 셀렌화하는 공정을 통해 고압력 셀렌화가 가능한 것에 관한 것으로 일정 콘테이너 혹은 챔버 내에 셀레늄(Se) 분압을 높여 고압력 셀렌화를 통해 손실되는 셀레늄(Se)을 줄일 수 있고, 셀렌화의 효율을 높이고 열처리의 시간을 단축시킬 수 있는 효과를 나타낸다. 이를 위해 상기 CI(G)S계 전구체 박막과 상기 챔버(Chamber)의 간격이 6 mm 내지 20 mm이고, 상기 챔버(Chamber)에 셀레늄(Se)을 주입하며, 셀렌화를 위한 열처리는 상기 챔버(Chamber)의 내측 일면 또는, 내측 전면에 위치하는 발열체에 의해 온도를 증가시킨다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0749 (2012.01)
CPC
출원번호/일자 1020130036156 (2013.04.03)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1469740-0000 (2014.12.01)
공개번호/일자 10-2014-0120961 (2014.10.15) 문서열기
공고번호/일자 (20141208) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.04.03)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 어영주 대한민국 대전 유성구
2 조준식 대한민국 대전 유성구
3 박주형 대한민국 대전 유성구
4 윤경훈 대한민국 대전 유성구
5 안세진 대한민국 대전 유성구
6 곽지혜 대한민국 대전 서구
7 윤재호 대한민국 대전 중구
8 조아라 대한민국 서울 관악구
9 신기식 대한민국 대전 유성구
10 안승규 대한민국 대전 유성구
11 유진수 대한민국 서울 노원구
12 박상현 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한상수 대한민국 서울시 서초구 효령로**길 ** *층 (브릿지웰빌딩)(에이치앤피국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2013-0288931-09
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.02.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.03.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0019379-51
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.05.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0309434-37
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0616341-66
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.06.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0616368-98
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0817862-92
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
태양전지의 광흡수층으로서의 CI(G)S박막 제조 방법에 있어서, (i) 기판(substrate)을 준비하는 단계; (ii) 전구체인 CI(G)S계 화합물을 제조하는 단계; (iii) 상기 기판(substrate) 상에 상기 전구체인 CI(G)S계 화합물을 코팅하여 CI(G)S계 전구체 박막을 형성하는 단계; (iv) 상기 기판(substrate) 상에 형성된 CI(G)S계 전구체 박막을 건조하는 단계;(v) 상기 건조된 CI(G)S계 전구체 박막을 챔버(Chamber)에 삽입하는 단계;(vi) 상기 CI(G)S계 전구체 박막이 삽입된 챔버 내에 셀레늄(Se)과 불활성 기체를 주입하는 단계; (vii) 상기 셀레늄(Se)이 주입된 챔버 내의 온도를 300 ℃ 내지 700 ℃로 증가시키는 단계; 및(viii) 상기 챔버 내의 온도를 300 ℃ 내지 700 ℃로 증가시켜, 셀레늄(Se) 분위기에서 전구체 박막을 열처리하여, 챔버 내의 압력이 0
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 (iii) 단계에서, 스핀코팅(Spin coating), 딥코팅(Dip coating), 스프레이코팅(Spray coating), 닥터블레이드코팅(Dr
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 (iii) 단계에서, E-beam 증착법(Electron beam evaporation), 전자빔 이온 플레이팅(Electron Beam Ion plating), 스퍼터링(sputtering), 스퍼터링 이온 플레이팅 시스템(sputtering Ion plating System), 레이저 분자빔 증착법(Laser Molecular Beam Epitaxy), 펄스 레이저 증착법 (Pulsed Laser Deposition), 저항 가열식 증착법(Thermal evaporation), 이온 어시스트 증착법(Ion-Assist Deposition) 중 적어도 어느 하나의 방법으로 증착하여 코팅하는 것을 특징으로 하는 CI(G)S박막 제조 방법
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 (v) 단계에서, 상기 CI(G)S계 전구체 박막과 상기 챔버(Chamber)의 간격이 6 mm 내지 20 mm인 것을 특징으로 하는 CI(G)S박막 제조 방법
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
청구항 1 내지 4 중 어느 하나의 방법으로 제조되고, 셀레늄(Se)의 함량이 40 atomic % 내지 60 atomic % 인 것을 특징으로 하는 CI(G)S박막
9 9
태양전지 제조 방법에 있어서,(1) 기판을 준비하는 단계;(2) 후면전극층을 증착하는 단계;(3) 상기 청구항 1 내지 4 중 어느 하나의 방법으로 제조된 CI(G)S박막을 광흡수층으로 증착하는 단계;(4) 버퍼층을 증착하는 단계;(5) 투명전도층을 증착하는 단계;(6) 반사방지막을 전면전극층이 형성되는 영역을 제외한 부분에 증착하는 단계;(7) 상기 반사방지막이 형성되지 않은 부분에 전면전극층을 증착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
10 10
청구항 9에 있어서, 상기 기판은 유리 기판, 세라믹 기판, 스테인레스 스틸(stainless steel) 기판, 폴리머(polymer) 기판, 금속 기판 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
11 11
청구항 10에 있어서, 상기 후면전극층은 Mo, Ni, Cu 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
12 12
청구항 11에 있어서, 상기 버퍼층은 CdS, InxSey, Zn(O,S,OH)x, In(OH)xSy, ZnInxSey, ZnSe 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것 을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
13 13
청구항 12에 있어서, 상기 투명전도층은 ZnO 인 것 을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
14 14
청구항 13에 있어서, 상기 투명전도층은 하부막인 ZnO 위에 상부막인 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어진 2중 구조로 증착하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
15 15
청구항 14에 있어서, 상기 반사방지막은 MgF2 인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
16 16
청구항 15에 있어서, 상기 전면전극층은 Al, Ag, Ni, M 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
17 17
태양전지에 있어서, 기판, 상기 기판 상의 후면전극층, 상기 후면전극층 상에 광흡수층으로 사용된 청구항 8의 CI(G)S박막,상기 광흡수층 상의 버퍼층, 상기 버퍼층 상의 투명전도층, 상기 투명전도층 상의 반사 방지막과 상기 반사방지막이 형성되지 않은 부분의 전면전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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1 WO2014163367 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국에너지기술연구원 한국에너지기술연구원 주요사업 비진공 Roll to Roll 공정 기반 CIGS 박막 모듈 개발