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기체분리막 판형 모듈 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015153460
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이온전도성 멤브레인을 통한 기체이온의 교환 및 지지체 층에 의한 전자의 교환 반응을 통해 기체를 선택적으로 투과시키는 단위 단락 분리막을 연결 및 확장하기 위한 이온전도체 지지형 기체분리막 판형 모듈구조에 관한 것이다. 본 발명은 고온에서, 특히 CO2, H2O 분위기에서 화학적으로 안정한 형석(fluorite)계 이온전도성 멤브레인을 이용함으로써 탁월한 화학적, 기계적 내구성을 확보할 수 있으며, 외부에서 전압을 인가하지 않아도 내부 회로에 의해 기체투과가 일어나므로 저렴한 비용으로 순수한 기체를 제조할 수 있는 장점이 있다. 또한 판형 멤브레인을 적층함으로써 컴팩트한 기체제조 분리막 모듈을 구성하기에 용이하고, 지지체 공규의 간격, 너비 등을 조절함으로써 투과기구에서 전자의 전도도를 쉽게 변화시킬 수 있으므로, 기체 이온 투과도를 높일 수 있는 최적의 공정조건을 찾을 수 있다. 또한, 판형구조의 특성인 전해질의 두께를 줄일 수 있어 높은 투과율을 가지는 것이 가능하며, 금속을 제외한 지지체 및 전해질을 tape casting 방법으로도 제작할 수 있어 제조 공정이 간단하다는 장점이 있다.
Int. CL B01D 63/08 (2006.01) B01D 53/22 (2006.01) B01D 61/00 (2006.01) B01D 67/00 (2006.01)
CPC B01D 63/08(2013.01) B01D 63/08(2013.01) B01D 63/08(2013.01) B01D 63/08(2013.01) B01D 63/08(2013.01)
출원번호/일자 1020130038720 (2013.04.09)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1485950-0000 (2015.01.19)
공개번호/일자 10-2014-0122084 (2014.10.17) 문서열기
공고번호/일자 (20150126) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.04.09)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주종훈 대한민국 충북 청원군
2 유지행 대한민국 대전 서구
3 유충열 대한민국 대전 유성구
4 윤경식 대한민국 세종

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 문환구 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층(역삼동, 메디빌딩)(두리암특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.04.09 수리 (Accepted) 1-1-2013-0308395-95
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.12.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.01.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0004756-10
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0510694-51
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.09.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0836962-03
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.09.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0836964-94
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2015.01.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0010825-97
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2015.01.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0033756-71
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0033749-51
11 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2015.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0037322-10
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
복수개의 공규가 형성된 판형 치밀구조 전도성 지지체; 상기 복수개의 공규가 형성하는 각각의 공간을 상기 지지체 상면에 접하며 덮고, 서로 분리되어 위치하는 복수개의 판형 기체 분리막;상기 판형 기체분리막 및 상기 지지체의 상면에 접하는 상부 다공성 전극활성층; 및 상기 판형 기체분리막의 하면과 상기 지지체의 공규 내측면 상부에 접하여 위치하는 하부 다공성 전극활성층을 포함하고,상기 상부 다공성 전극활성층은 지지체층을 통해 상기 하부 다공성 전극활성층으로 통전되는, 기체분리막 판형 모듈
2 2
제 1항에 있어서, 상기 판형 치밀구조 전도성 지지체는 금속, 서멧(Cermet), 및 전자전도성 금속산화물 중에서 선택되는, 기체분리막 판형 모듈
3 3
제 2항에 있어서, 상기 금속은 니켈, 니켈 합금, 철계 합금 및 철-니켈-크로뮴계의 합금 중에서 선택되는, 기체분리막 판형 모듈
4 4
제 1항에 있어서, 상기 다공성 전극활성층은 다공성 금속, 다공성 서멧(Cermet), 및 다공성 전자전도성 금속산화물 중에서 선택되는,기체분리막 판형 모듈
5 5
제 2항 또는 제 4항에 있어서, 상기 서멧은 니켈, 니켈 합금, 및 철계 합금 중에서 선택된 하나와 산소분리막 재료 및 수소분리막 재료 중에서 선택된 하나의 복합체이고,상기 산소분리막은 이트리아 안정화 지르코니아(yttria-stabilized zirconia, YSZ), 스칸디아 안정화 지르코니아(scandia-stabilized zirconia, ScSZ), 가돌리니아 주입 세리아(gadolinia doped-ceria, GDC), 사마리움 주입 세리아 (Smaria doped-Ceria), 및 란타늄 갈레이트(Lanthanum gallates) 중에서 선택되는 하나 이상의 물질로 이루어지고,상기 수소분리막은 Perovskite계열인 SrCeO3, BaCeO3, BaZrO3, CaZrO3, SrZrO3, 또는 Pyrochlore 계열인 La2Zr2O7, La2Ce2O7 중에서 선택되는 하나 이상의 물질로 이루어지는,기체분리막 판형 모듈
6 6
제 4항에 있어서,상기 다공성 금속은 니켈, 니켈 합금, 및 철계 합금 중에서 선택된 하나인,기체분리막 판형 모듈
7 7
제 3항에 있어서, 상기 니켈 합금은 인코넬이고, 철-니켈-크로뮴계 합금은 스테인레스인 ,기체분리막 판형 모듈
8 8
제 2항 또는 제 4항에 있어서, 상기 전자전도성 금속산화물은 페로브스카이트 계열인, 란타늄 스트론튬 페라이트(Lanthanum strontium ferrite, LSF), 란타늄 스트론튬 망가나이트(Lanthanum strontium Manganite, LSM), 란타늄 스트론튬 크로마이트 (Lanthanum strontium Chromite, LSCr), 란타늄 스트론튬 코발트 페라이트(Lanthanum strontium cobalt ferrite, LSCF), 스피넬 계 산화물인 망간 페라이트 (MnFe2O4), 및 니켈 페라이트( NiFe2O4)중에서 선택되는 하나 이상인,기체분리막 판형 모듈
9 9
제 1항에 있어서, 상기 기체분리막은 두께가 200μm이하인 산소분리막이고,상기 산소분리막은 이트리아 안정화 지르코니아(yttria-stabilized zirconia, YSZ), 스칸디아 안정화 지르코니아(scandia-stabilized zirconia, ScSZ), 가돌리니아 주입 세리아(gadolinia doped-ceria, GDC), 사마리움 주입 세리아 (Smaria doped-Ceria), 및 란타늄갈레이트 (Lanthanum gallates) 중에서 선택되는 하나 이상의 물질로 이루어지는,기체분리막 판형 모듈
10 10
제 1항에 있어서, 상기 기체분리막은 두께가 200μm이하인 수소분리막이고, 상기 수소분리막은 Perovskite계열인 SrCeO3, BaCeO3, BaZrO3, CaZrO3, SrZrO3, 또는 Pyrochlore 계열인 La2Zr2O7, La2Ce2O7 중에서 선택되는 하나 이상의 물질로 이루어지는, 기체분리막 판형 모듈
11 11
테이프 캐스팅(Tape Casting) 공정을 이용하여 복수개의 공규가 있는 판형 치밀구조 전도성 지지체 테이프(tape)를 제조하는 단계; 복수개의 기체분리막 테이프로 상기 복수개의 공규를 덮되, 각각의 상기 기체분리막이 서로 분리되어 위치하도록 상기 판형 치밀구조 전도성 지지체 테이프 상면에 적층하는 단계; 상기 적층하는 단계를 거친 후 치밀화를 위해, 상기 기체분리막 테이프와 상기 판형 치밀구조 전도성 지지체 테이프를 1200 내지 1500℃에서 동시소결하는 단계; 및 상기 공규를 덮은 기체분리막의 상면과 상기 지지체의 상면 및 상기 공규 내부에 노출된 기체분리막의 하면과 상기 공규의 내측면 상부에 다공성 전극활성층을 코팅하는 단계를 포함하는,기체분리막 판형 모듈의 제조방법
12 12
제 11항에 있어서, 상기 판형 치밀구조 전도성 지지체는 서멧(Cermet), 및 전자전도성 금속산화물 중에서 선택되는, 기체분리막 판형 모듈의 제조방법
13 13
니켈, 니켈 합금, 철계 합금 및 철-니켈-크로뮴계의 합금 중에서 선택되고, 복수개의 공규가 있는 판형 금속을 준비하는 단계;복수개의 기체분리막 테이프를 1200 내지 1500℃에서 소결하는 단계; 상기 소결된 복수개의 기체분리막이 상기 판형 금속의 복수개의 공규를 덮되, 각각의 상기 기체분리막이 서로 분리되어 위치하도록 전도성 페이스트를 이용하여 접합하는 단계; 및상기 공규를 덮은 기체분리막의 상면과 상기 판형 금속의 상면 및 상기 공규 내부에 노출된 기체분리막의 하면과 상기 공규의 내측면 상부에 다공성 전극활성층을 코팅하는 단계를 포함하고,상기 다공성 전극활성층은 다공성 금속, 다공성 서멧(Cermet), 및 다공성 전자전도성 금속산화물 중에서 선택되는, 기체분리막 판형 모듈의 제조방법
14 14
제 13항에 있어서, 상기 니켈 합금은 인코넬이고, 상기 철-니켈-크로뮴계 합금은 스테인레스인,기체분리막 판형 모듈의 제조방법
15 15
제 11항에 있어서,상기 다공성 전극활성층은 다공성 금속, 다공성 서멧(Cermet), 및 다공성 전자전도성 금속산화물 중에서 선택되는, 기체분리막 판형 모듈의 제조방법
16 16
제 12항, 제 13항 및 제 15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 서멧은 니켈, 니켈 합금, 및 철계 합금 중에서 선택된 하나와 산소분리막 재료 및 수소분리막 재료 중에서 선택된 하나의 복합체이고,상기 산소분리막은 이트리아 안정화 지르코니아(yttria-stabilized zirconia, YSZ), 스칸디아 안정화 지르코니아(scandia-stabilized zirconia, ScSZ), 가돌리니아 주입 세리아(gadolinia doped-ceria, GDC), 사마리움 주입 세리아 (Smaria doped-Ceria), 및 란타늄 갈레이트(Lanthanum gallates) 중에서 선택되는 하나 이상의 물질로 이루어지고,상기 수소분리막은 Perovskite계열인 SrCeO3, BaCeO3, BaZrO3, CaZrO3, SrZrO3, 또는 Pyrochlore 계열인 La2Zr2O7, La2Ce2O7 중에서 선택되는 하나 이상의 물질로 이루어지는,기체분리막 판형 모듈의 제조방법
17 17
제 16항에 있어서, 상기 니켈 합금은 인코넬인,기체분리막 판형 모듈의 제조방법
18 18
제 12항 또는 제 15항에 있어서, 상기 전자전도성 금속산화물은 페로브스카이트 계열인, 란타늄 스트론튬 페라이트(Lanthanum strontium ferrite, LSF), 란타늄 스트론튬 망가나이트(Lanthanum strontium Manganite, LSM), 란타늄 스트론튬 크로마이트 (Lanthanum strontium Chromite, LSCr), 란타늄 스트론튬 코발트 페라이트(Lanthanum strontium cobalt ferrite, LSCF), 스피넬 계 산화물인 망간 페라이트 (MnFe2O4), 및 니켈 페라이트( NiFe2O4)중에서 선택되는 하나 이상인,기체분리막 판형 모듈의 제조방법
19 19
제 11항에 있어서,상기 기체분리막은 산소분리막이고,상기 산소분리막은 이트리아 안정화 지르코니아(yttria-stabilized zirconia, YSZ), 스칸디아 안정화 지르코니아(scandia-stabilized zirconia, ScSZ), 가돌리니아 주입 세리아(gadolinia doped-ceria, GDC), 사마리움 주입 세리아 (Smaria doped-Ceria), 및 란타늄갈레이트 (Lanthanum gallates) 중에서 선택되는 하나 이상의 물질로 이루어지는,기체분리막 판형 모듈의 제조방법
20 20
제 11항에 있어서, 상기 기체분리막은 수소분리막이고,상기 수소분리막은 Perovskite계열인 SrCeO3, BaCeO3, BaZrO3, CaZrO3, SrZrO3, 또는 Pyrochlore 계열인 La2Zr2O7, La2Ce2O7 중에서 선택되는 하나 이상의 물질로 이루어지는, 기체분리막 판형 모듈의 제조방법
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1 지식경제부 한구에너지기술연구원 주요사업 분리막 및 흡착 소재 핵심기술개발