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실리콘 원료가 장입되어 용융되는 공간을 제공하는 도가니부; 상기 도가니부의 외벽과 외부 바닥면에 각각 배치되며, 상기 도가니부 내에 장입된 실리콘 원료를 용융하여 실리콘 용탕을 형성하는 실리콘 가열부; 상기 도가니부로부터의 실리콘 용탕을 공급받아 저장하며, 일측 벽면을 관통하는 토출구를 통해 상기 실리콘 용탕을 일정한 두께의 용융물로 토출하는 실리콘 용탕 저장부; 상기 토출구를 통해 토출되는 실리콘 용융물을 냉각 및 고화시켜 실리콘 박판을 형성하는 실리콘 박판 주조부; 상기 주조된 실리콘 박판을 급냉시키는 냉각부; 및 상기 냉각부의 단부에 배치되며, 고화된 실리콘 박판을 이송시키는 이송부;를 포함하며, 상기 도가니부는 상측이 개방되는 용기 형태로 이루어지며, 내부 바닥면과 내벽을 연결하는 경사면을 구비하는 흑연 도가니, 및 상기 흑연 도가니의 내측에 삽입되는 쿼츠 도가니를 구비하는 이중 도가니와, 상기 이중 도가니의 바닥면을 관통하는 출탕구와, 상기 출탕구의 개폐를 제어하는 게이트를 포함하고, 상기 실리콘 박판 주조부는 내부에 상기 토출구와 수평으로 연결되는 주조 공간을 구비하는 주조부 몸체와, 상기 주조부 몸체를 가열하여 상기 실리콘 기판이 고화되는 온도를 제어하는 보조 가열 수단을 구비하고, 상기 주조 공간은 상기 주조된 실리콘 박판을 1차적으로 응고시키는 응고 영역과, 상기 응고된 실리콘 박판의 응력을 해소하기 위해, 상기 주조된 실리콘 박판을 2차적으로 응고시키는 응력해소 영역(Stress Release area)을 포함하고, 상기 보조 가열부는 상기 응고 영역에 대응되도록 설치되어 상기 주조된 실리콘 박판을 1차적으로 가열하는 제1 보조 가열 수단과, 상기 응력해소 영역에 대응되도록 설치되어 상기 주조된 실리콘 박판을 2차적으로 가열하는 제2 보조 가열 수단을 포함하되, 1차 응고 온도는 950 ~ 1150℃로 유지하고, 2차 응고 온도는 750 ~ 950℃로 유지하는 것을 특징으로 하는 연속주조법을 이용한 태양전지용 실리콘 박판 제조 장치
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제1항에 있어서,상기 실리콘 가열부는 상기 도가니부의 외벽을 따라 배치되는 제1 가열 수단과, 상기 도가니부의 외부 바닥면을 따라 배치되는 제2 가열 수단을 포함하며, 상기 제1 가열 수단과 제2 가열 수단은 별도로 제어되는 것을 특징으로 하는 연속주조법을 이용한 태양전지용 실리콘 박판 제조 장치
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제3항에 있어서, 상기 제1 및 제2 가열 수단 각각은 히터 또는 유도코일인 것을 특징으로 하는 연속주조법을 이용한 태양전지용 실리콘 박판 제조 장치
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제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 보조 가열 수단 각각은 히터 또는 유도 코일인 것을 특징으로 하는 연속주조법을 이용한 태양전지용 실리콘 박판 제조 장치
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제1항에 있어서, 상기 토출구의 두께는 100 ~ 400㎛인 것을 특징으로 하는 연속주조법을 이용한 태양전지용 실리콘 박판 제조 장치
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제1항에 있어서,상기 이송부는 서로 반대방향으로 회전하는 한 쌍의 이송 롤러로 이루어진 것을 특징으로 하는 연속주조법을 이용한 태양전지용 실리콘 박판 제조 장치
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제1항, 제3항, 제4항, 제7항, 제8항 및 제10항 중 어느 하나의 실리콘 박판 제조 장치를 이용하여 제조된 태양전지용 실리콘 박판
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제1항에 기재된 실리콘 박판 제조 장치를 이용하여 실리콘 박판을 제조하는 방법에 있어서, (a) 도가니부의 내부로 실리콘 원료를 장입하는 단계; (b) 상기 도가니부의 내부에 장입된 실리콘 원료를 용융하여 실리콘 용탕을 형성하는 단계; (c) 상기 도가니부의 게이트를 개방하여 상기 실리콘 용탕을 출탕하는 단계; (d) 상기 출탕되는 실리콘 용탕을 실리콘 용탕 저장부에 저장하는 단계; (e) 상기 실리콘 용탕 저장부의 일측 벽면을 관통하는 토출구로 상기 실리콘 용탕을 토출하는 단계; (f) 상기 토출된 실리콘 용융물을 냉각 및 고화시켜 실리콘 박판을 주조하는 단계; (g) 상기 주조된 실리콘 박판을 급냉하는 단계; 및 (h) 상기 급냉된 실리콘 박판을 수평 방향으로 이송하는 단계;를 포함하며, 상기 (f) 단계는, 상기 주조된 실리콘 박판을 1차적으로 응고하는 단계와, 상기 응고된 실리콘 박판의 응력을 해소하기 위해, 상기 주조된 실리콘 박판을 2차적으로 응고하는 단계를 포함하되, 1차 응고 온도는 950 ~ 1150℃로 유지하고, 2차 응고 온도는 750 ~ 950℃로 유지하고, 상기 (g) 단계에서, 상기 냉각부는 상기 실리콘 기판을 200℃ 이하까지 급냉하는 을 특징으로 하는 연속주조법을 이용한 태양전지용 실리콘 박판 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 (c) 단계에서,상기 실리콘 용탕은 1350 ~ 1500℃의 온도에서 출탕되는 것을 특징으로 하는 연속주조법을 이용한 태양전지용 실리콘 박판 제조 방법
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