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요철구조의 이중 후면전극을 갖는 태양전지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015153473
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 후면전극이 이중층으로 구성된 CIGS 박막 태양전지에 관한 것으로, 별도의 요철형성 공정이 필요없이 CIGS 광흡수층의 고온의 공정과정을 거치면서 자연스럽게 후면전극에 요철구조가 생성되는 태양전지의 제조방법 및 태양전지에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/0236 (2006.01) H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0224 (2006.01)
CPC H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01)
출원번호/일자 1020130036139 (2013.04.03)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1428469-0000 (2014.08.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140813) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.04.03)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조준식 대한민국 대전 유성구
2 어영주 대한민국 대전 유성구
3 박주형 대한민국 대전 유성구
4 곽지혜 대한민국 대전 서구
5 윤재호 대한민국 대전 중구
6 조아라 대한민국 서울 관악구
7 신기식 대한민국 대전 유성구
8 안승규 대한민국 대전 유성구
9 윤경훈 대한민국 대전 유성구
10 유진수 대한민국 서울 노원구
11 박상현 대한민국 대전 유성구
12 안세진 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한상수 대한민국 서울시 서초구 효령로**길 ** *층 (브릿지웰빌딩)(에이치앤피국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2013-0288757-50
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.03.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.04.08 수리 (Accepted) 9-1-2014-0028180-84
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0297865-75
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.06.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0610425-63
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0610421-81
8 등록결정서
Decision to grant
2014.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0522515-23
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
요철구조의 이중후면전극을 갖는 태양전지의 제조방법에 있어서,(i) 기판을 준비하는 단계;(ii) 상기 기판 위에 저융점의 금속을 포함하는 제 1 후면전극층을 형성하는 단계;(iii) 상기 제 1 후면전극층 위에 제 2 후면전극층을 형성하는 단계;(iv) 상기 제 2 후면전극층 위에 광흡수층을 형성하는 단계;(v) 상기 (iv) 단계의 광흡수층을 형성하는 고온의 공정 과정에서 상기 제 1 후면전극층에 요철구조가 형성되는 단계;(vi) 상기 요철구조가 형성된 제 1 후면전극층과 면접촉을 이루고 있는 제 2 후면전극층에 요철구조가 형성되는 단계;(vii) 상기 광흡수층 위에 버퍼층을 형성하는 단계;(viii) 상기 버퍼층 위에 전면전극층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 (ii)단계의 저융점의 금속은 아연, 카드뮴, 알루미늄, 은, 인듐, 주석, 납, 안티몬, 비스무스, 마그네슘 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
3 3
제 1항 또는 제 2항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 저융점의 금속은 규소, 붕소, 탄소, 산소, 백금 중에서 적어도 어느 하나의 물질을 도핑한 저융점의 금속인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
4 4
제 1항 또는 제 2항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 제 1 후면전극층은 상기 기판 위에 스퍼터링, 음극아크증착, 증기증착, 전자빔증착, 화학기상증착, 원자층증착, 전기화학적증착, 분사코팅, 닥터블레이드코팅, 스크린 프린트, 잉크젯 코팅 중에서 적어도 어느 하나의 방법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 제 2 후면전극층은 몰리브덴, 텅스텐, 크롬 중에서 적어도 어느 하나를 포함하여 구성되고,스퍼터링, 음극아크증착, 증기증착, 전자빔증착, 화학기상증착, 원자층증착, 전기화학적증착, 분사코팅, 닥터블레이드코팅, 스크린 프린트, 잉크젯 코팅, 열증착법, 전자선증착법, 전착법, 도금법스퍼터링, 열증착법, 전자선증착법, 전착법, 도금법 중에서 적어도 어느 하나의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 (iv) 단계의 광흡수층은 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 포함하여 구성되는 CIGS 광흡수층이고, 동시증착법(Coevaporation), 스퍼터링법(Sputtering), 전착법(Electrodeposition), 유기금속화학기상증착법(MOCVD), 분자선성장법(MBE), 스크린프린팅법(Screen printing), 입자증착법(Particle deposition) 중에서 어느 하나의 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
7 7
제 1항에 있어서,상기 (vii) 단계의 버퍼층은 CdS, ZnS, InOH 중에서 적어도 어느 하나를 포함하고,용액성장법(CBD), 전착법(Electrodeposition), 동시증착법(Coevaporation), 스퍼터링법(Sputtering), 원자층성장법(Atomic Layer Epitaxy), 원자층증착법(Atomic Layer Deposition), 화학기상증착법(CVD), 유기금속화학기상증착법(MOCVD), 분자선성장법(MBE), 분무열분해법(Spray pyrolysis), ILGAR(Ion Layer Gas Reaction), 레이저증착법(Pulsed Laser Deposition)중에서 적어도 어느 하나의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
8 8
제 1항에 있어서,상기 (viii) 단계의 전면전극층은 산화아연, 산화갈륨, 산화알루미늄, 산화인듐, 산화납, 산화구리, 산화티탄, 산화주석, 산화철, 이산화주석, 인듐주석산화물 중에서 적어도 어느 하나를 포함하고,스퍼터링법, RF 스퍼터링법, 반응성 스퍼터링법, 증발증착법(Evaporation), 전자선증착법(E-beam evaporation), 유기금속화학증착법(MOCVD), 원자층성장법(Atomic Layer Epitaxy), 분자선성장법(MBE), 전착법(Electrodeposition) 중에서 어느 하나의 방법을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
9 9
제 8항에 있어서,상기 전면전극층은 n형 불순물로 도핑된 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
10 10
제 1항에 있어서,상기 제 2 후면전극과 상기 광흡수층의 경계면에 셀렌화몰리브덴, 셀렌화텅스텐, 셀렌화크롬 중에서 어느 하나가 더 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
11 11
제 1항, 제 2항 및 제 5항 내지 제 10항 중의 어느 하나의 제조방법으로 제조된 요철구조의 이중후면전극을 갖는 태양전지에 있어서,기판;상기 기판 위에 형성된 저융점 금속을 포함하는 제 1 후면전극;상기 제 1 후면전극 위에 형성된 제 2 후면전극;상기 제 2 후면전극 위에 형성된 광흡수층;상기 광흡수층 위에 형성된 버퍼층;상기 버퍼층 위에 형성된 전면전극;을 포함하여 구성되고,상기 제 1 후면전극과 상기 제 2 후면전극은 요철구조를 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지
12 12
제 11항에 있어서,상기 기판은 유리 기판, 스테인레스스틸 기판 , 티타늄 기판, 폴리머 기판 중에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는 태양전지
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국에너지기술연구원 한국에너지기술연구원 주요사업 플렉서블 박막 태양전지 고효율화 기술개발