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태양전지 기판(substrate)의 제조 방법에 있어서, (1) 기판을 준비하는 단계;(2) 상기 기판 상에 균일하게 5 ㎛ 내지 200 ㎛의 지름을 갖는 입자를 소정의 시간 동안 분사 압력과 분사 각도를 조절하여 분사함으로써, 1 ㎛ 내지 10 ㎛ 크기의 요철 구조를 형성하는 샌드 블래스트(sand blast) 처리 단계; 및(3) 상기 요철 구조가 형성된 기판을 세척하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 기판(substrate)의 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 (2) 단계에서상기 입자는 탄화규소, 탄화붕소, 산화알루미늄 중의 적어도 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 기판(substrate)의 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 (2) 단계에서상기 입자는 5 초 내지 300 초간 분사되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 기판(substrate)의 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 (2) 단계에서상기 입자의 분사 압력은 1 ㎏/㎠ 내지 7 ㎏/㎠ 이고,상기 입자의 분사 각도는 10 도 내지 90 도 인 것을 특징으로 하는 태양전지의 기판(substrate)의 제조 방법
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청구항 1에서상기 (3) 단계가 완료된 후의상기 기판의 표면거칠기(surface roughness)는0
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청구항 1에 있어서,상기 기판(substrate)은 유리 기판, 세라믹 기판, 스테인레스 스틸(stainless steel) 기판, 폴리머(polymer) 기판 및 금속 기판 중의 적어도 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 기판(substrate)의 제조 방법
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태양전지 제조 방법에 있어서, (i) 청구항 1 내지 2, 4 내지 7 중의 어느 하나의 방법으로 제조된 기판을 준비하는 단계; (ii) 상기 기판의 요철 구조에 의해 후면전극층의 표면에 요철 구조가 형성될 수 있는 0
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청구항 8에 있어서, 상기 후면전극층은 Ag, Al, Mo, Ni, Cu, Cr, W 및 Brass 중의 적어도 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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청구항 8에 있어서, 상기 후면전극층은스퍼터링법(Sputtering), 열증착법(Thermal evaporation), 전자선증착법(E-beam evaporation) 및 전착법(Electrodeposition) 중의 적어도 어느 하나 이상의 방법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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청구항 8에 있어서, 상기 광흡수층의 두께는0
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청구항 8에 있어서, 상기 광흡수층은Cu-In-Se, Cu-In-S, Cu-Ga-S, Cu-Ga-Se, Cu-In-Ga-Se, Cu-In-Ga-(S,Se) 및 Cu-In-Al-Ga-(S,Se)을 포함하는 CIS/CIGS계 화합물군 중의 적어도 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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청구항 8에 있어서, 상기 광흡수층은동시증착법(Coevaporation), 스퍼터링법(Sputtering), 전착법(Electrodeposition), 유기금속화학기상증착법(MOCVD), 분자선성장법(MBE), 스크린프린팅법(Screen printing) 및 입자증착법(Particle deposition) 중의 적어도 어느 하나 이상의 방법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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청구항 8에 있어서, 상기 버퍼층은 CdS, InxSey, Zn(O,S,OH)x, In(OH)xSy, ZnInxSey 및 ZnSe 중의 적어도 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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청구항 8에 있어서, 상기 버퍼층은 용액성장법(CBD), 전착법(Electrodeposition), 동시증착법(Coevaporation), 스퍼터링법(Sputtering), 원자층성장법(Atomic Layer Epitaxy), 화학기상증착법(CVD), 유기금속화학기상증착법(MOCVD), 분자선성장법(MBE), 분무열분해법(Spray pyrolysis), ILGAR(Ion Layer Gas Reaction) 및 레이저증착법(Pulsed Laser Deposition) 중의 적어도 어느 하나 이상의 방법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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청구항 8에 있어서, 상기 투명전극층은 ZnO 인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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청구항 17에 있어서,상기 투명전극층은 하부막인 ZnO 위에 상부막인 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어진 2중 구조로 증착하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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청구항 17 또는 청구항 18에 있어서, 상기 반사방지막은 MgF2 인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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청구항 8에 있어서, 상기 그리드전극층은 Al, Ag, Ni, Cu, Pt, Au 및 Mo 중의 적어도 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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태양전지의 기판(substrate)에 있어서,청구항 1 내지 2, 4 내지 7 중의 어느 하나의 방법으로 제조되며,상기 기판의 표면거칠기(surface roughness)가 0
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22
태양전지에 있어서, 청구항 21의 기판; 상기 기판 상의 후면전극층; 상기 후면전극층 상의 광흡수층;상기 광흡수층 상의 버퍼층; 상기 버퍼층 상의 투명전극층; 상기 투명전극층 상의 반사 방지막; 및상기 반사방지막이 형성되지 않은 부분의 그리드전극층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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