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이중구조 투명전도막과 이를 이용한 태양전지 및 이들의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015153541
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지의 투명전도막에 관한 것으로, 특히 광포획성능을 개선한 투명전도막의 개량에 관한 것이다. 본 발명은 태양전지의 전면 반사 방지막이나 전면전극 또는 후면 반사막으로 사용되는 투명전도막으로서, 광투과층(100)과; 일면은 상기 광투과층(100)에 접하고, 타면에는 표면 텍스처 구조가 형성된 광포획층(200)으로 구성되며, 상기 광투과층(100)의 전기전도도 A와 상기 광포획층(200)의 전기전도도 a는 A003e#a의 관계가 있고, 상기 광투과층(100)의 에칭성 B와 상기 광포획층(200)의 에칭성 b는 B003c#b의 관계가 있는 것에 있어서, 상기 광투과층(100)은 산화인듐주석(ITO : Indium Tin Oxide)층인 것을 특징으로 하는 이중구조 투명전도막을 제공한다.
Int. CL H01L 31/0236 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0224 (2006.01)
CPC H01L 31/022466(2013.01) H01L 31/022466(2013.01) H01L 31/022466(2013.01) H01L 31/022466(2013.01) H01L 31/022466(2013.01) H01L 31/022466(2013.01)
출원번호/일자 1020130068920 (2013.06.17)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1541414-0000 (2015.07.28)
공개번호/일자 10-2014-0146693 (2014.12.29) 문서열기
공고번호/일자 (20150803) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.06.17)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조준식 대한민국 대전 유성구
2 박주형 대한민국 대전 유성구
3 윤재호 대한민국 대전 중구
4 윤경훈 대한민국 대전 유성구
5 유진수 대한민국 서울 노원구
6 어영주 대한민국 대전 유성구
7 곽지혜 대한민국 대전 서구
8 조아라 대한민국 서울 관악구
9 신기식 대한민국 대전 유성구
10 안승규 대한민국 대전 유성구
11 박상현 대한민국 대전 유성구
12 안세진 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한상수 대한민국 서울시 서초구 효령로**길 ** *층 (브릿지웰빌딩)(에이치앤피국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2013-0534844-84
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.04.30 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.06.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0048739-64
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0448321-58
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0809115-25
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.08.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0809122-45
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0071724-47
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.03.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0305131-14
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2015-0305130-68
12 등록결정서
Decision to grant		 2015.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0492728-37
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
태양전지의 전면 반사 방지막이나 전면전극 또는 후면 반사막으로 사용되는 투명전도막으로서, 광투과층(100)과;일면은 상기 광투과층(100)에 접하고, 타면에는 표면 텍스처 구조가 형성된 광포획층(200)으로 구성되며,상기 광투과층(100)의 전기전도도 A와 상기 광포획층(200)의 전기전도도 a는 A003e#a의 관계가 있고, 상기 광투과층(100)의 에칭성 B와 상기 광포획층(200)의 에칭성 b는 B003c#b의 관계가 있는 것에 있어서,상기 광투과층(100)은 두께가 50-200nm인 산화인듐주석(ITO : Indium Tin Oxide)층인 것을 특징으로 하는 이중구조 투명전도막
2 2
삭제
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 산화인듐주석(ITO)층의 비저항이 10Ω/sq 이하인 것을 특징으로 하는 이중구조 투명전도막
4 4
제 1항에 있어서, 상기 광포획층(200)의 표면 텍스처 구조가 형성된 면의 표면거칠기가 10nm 이상인 것을 특징으로 하는 이중구조 투명전도막
5 5
제 4항에 있어서, 상기 광포획층(200)은 알루미늄, 갈륨 또는 붕소가 도핑된 산화아연(Al Doped ZnO : AZO, Ga Doped ZnO : GZO, B Doped ZnO : BZO), 플루오르가 도핑된 산화주석(F-doped SnO2), 탄소나노튜브(CNT) 필름, 그래핀 중 하나를 선택하여 형성시킨 것임을 특징으로 하는 이중구조 투명전도막
6 6
제 4항에 있어서, 상기 광포획층(200)의 두께는 500-1000nm인 것을 특징으로 하는 이중구조 투명전도막
7 7
태양전지의 전면 반사 방지막이나 전면전극 또는 후면 반사막으로 사용되는 투명전도막을 제조하는 방법으로서,기판에 50-200nm의 증착 두께로 산화인듐주석(ITO : Indium Tin Oxide)의 광투과층을 형성하는 단계(s100);상기 광투과층 위에 광포획층을 형성하는 단계(s200); 및 상기 광포획층의 표면을 에칭하여 표면 텍스처 구조를 형성하는 단계(s300)를 포함하며,상기 광투과층의 전기전도도 A와 상기 광포획층의 전기전도도 a는 A003e#a의 관계가 있고, 상기 광투과층의 에칭성 B와 상기 광포획층의 에칭성 b는 B003c#b의 관계가 있는 것을 특징으로 하는 이중구조 투명전도막의 제조방법
8 8
제 7항에 있어서, 기판에 산화인듐주석(ITO : Indium Tin Oxide)의 광투과층을 형성하는 단계(s100)는 RF 마그네트론 스퍼터링, DC 마그네트론 스퍼터링, MF 마그네트론 스퍼터링, 열증발법, 전자빔증발법, 열분무법 중 하나의 방법을 선택하여 증착시켜 수행되는 것을 특징으로 하는 이중구조 투명전도막의 제조방법
9 9
제 8항에 있어서, 상기 기판에 산화인듐주석(ITO : Indium Tin Oxide)의 광투과층을 형성하는 단계(s100)의 광투과층의 도핑농도가 0
10 10
제 8항에 있어서, 상기 기판에 산화인듐주석(ITO : Indium Tin Oxide)의 광투과층을 형성하는 단계(s100)의 상기 증착시 증착압력이 0
11 11
제 8항에 있어서, 상기 기판에 산화인듐주석(ITO : Indium Tin Oxide)의 광투과층을 형성하는 단계(s100)는 증착시 증착파워밀도가 0
12 12
삭제
13 13
제 7항에 있어서, 상기 광투과층 위에 광포획층을 형성하는 단계(s200)의 광포획층은 광투과층 위에, 알루미늄, 갈륨 또는 붕소가 도핑된 산화아연(Al Doped ZnO : AZO, Ga Doped ZnO : GZO, B Doped ZnO : BZO), 플루오르가 도핑된 산화주석(F-doped SnO2), 탄소나노튜브(CNT) 필름, 그래핀 중 하나를 선택하여 증착시키는 것을 특징으로 하는 이중구조 투명전도막의 제조방법
14 14
제 13항에 있어서, 상기 광투과층 위에 광포획층을 형성하는 단계(s200)의 광포획층은 증착압력 0
15 15
제 13항에 있어서, 상기 광투과층 위에 광포획층을 형성하는 단계(s200)의 광포획층은 150℃ 이하의 온도로 증착되어 형성되는 것을 특징으로 하는 이중구조 투명전도막의 제조방법
16 16
제 13항에 있어서, 상기 광투과층 위에 광포획층을 형성하는 단계(s200)의 광포획층의 증착시 증착파워밀도는 0
17 17
제 13항에 있어서, 상기 광투과층 위에 광포획층을 형성하는 단계(s200)의 광포획층의 증착시 증착두께는 500-1000nm인 것을 특징으로 하는 이중구조 투명전도막의 제조방법
18 18
제 7항에 있어서, 상기 광포획층의 표면을 에칭하여 표면 텍스처 구조를 형성하는 단계(s300)는 농도 0
19 19
제 18항에 있어서, 상기 광포획층의 표면을 에칭하여 표면 텍스처 구조를 형성하는 단계(s300)는 10-90초 동안 에칭하는 것임을 특징으로 하는 이중구조 투명전도막의 제조방법
20 20
태양전지를 제조하는 방법에 있어서, 상기 제7항 내지 제11항, 제13항 내지 제19항 중 어느 한 항의 이중구조 투명전도막의 제조방법을 포함하여 제조하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
21 21
기판과, 상기 기판 상의 후면전극층과, 광흡수층 상의 버퍼층과, 상기 버퍼층 상의 투명전도층을 포함하는 태양전지에 있어서, 상기 투명전도층은 제 1항, 제3항 내지 제6항 중 어느 한 항의 이중구조 투명전도막인 것을 특징으로 하는 태양전지
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1 지식경제부 한국에너지기술연구원 한국에너지기술연구원 주요사업 플렉서블 박막 태양전지 고효율화 기술개발