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태양전지에서의 후면전극의 제조방법에 있어서, (i) 기판(100)위에 후면전극층(200)을 형성시키는 단계(s1000);(ii) 상기 후면전극층(200) 위에 투명전극전반사막(210)을 형성시키는 단계(s2000);를 포함하며, 상기 후면전극층(200) 위에 투명전극전반사막(210)을 형성시키는 단계(s2000)에서,상기 투명전극전반사막(210)은 ITO(In2O3:Sn)(Indium Tin Oxide), FTO(SnO2:F), ZnO, 무정형(amorphous) In-Ga-Zn-O, Zr, In2O3, 산화아연, 산화갈륨, 산화알루미늄, 산화납, 산화구리, 산화티탄 중 선택된 하나 이상의 재질로 구성되며, 상기 투명전극전반사막의(210) 굴절율은 2
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제 1항에 있어서, 기판(100)위에 후면전극층(200)을 형성시키는 단계(s1000)에서,상기 후면전극층(200)은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 황동(Brass) 중 선택된 금속으로 구성되는 것을 특징으로 하는 투명전극전반사막을 갖는 후면전극의 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 후면전극층(200) 위에 투명전극전반사막(210)을 형성시키는 단계(s2000)에서,상기 후면전극층(200)은 상기 기판(100) 위에 스퍼터링, 음극아크증착, 증기증착, 전자빔증착, 화학기상증착, 원자층증착, 전기화학적증착, 분사코팅, 닥터블레이드코팅, 스크린 프린트, 잉크젯 코팅, 열증착법, 전자선증착법, 전착법, 도금법스퍼터링, 열증착법, 전자선증착법, 전착법, 도금법 중에서 적어도 어느 하나의 방법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 투명전극전반사막을 갖는 후면전극의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 투명전극전반사막은(210)은 RF 마그네트론 스퍼터링, DC 마그네트론 스퍼터링, MF 마그네트론 스퍼터링, 열증발법, 전자빔증발법, 열분무법 중 하나의 방법을 선택하여 증착되는 것을 특징으로 하는 투명전극전반사막을 갖는 후면전극의 제조방법
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태양전지의 기판(100)위에 형성된 후면전극층(200)에 있어서, 상기 후면전극층(200)은 상기 후면전극층(200) 위에 형성된 투명전극전반사막(210)을 포함하며, 상기 후면전극층(200) 및 투명전극전반사막(210)은 제 1항 내지 제 3항 및 제 5항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 것임을 특징으로 하는 투명전극전반사막을 갖는 후면전극
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태양전지의 제조방법에 있어서,(i) 기판(100)을 준비하는 단계(s100);(ii) 상기 기판 위에 투명전극전반사막(210)을 갖는 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 황동(Brass) 중 선택된 금속으로 구성되는 후면전극층(200)을 형성하는 단계(s200);(iii) 상기 투명전극전반사막(210)을 갖는 후면전극층(200) 위에 광흡수층(300)을 형성하는 단계(s300);(iv) 상기 광흡수층(300) 위에 CdS, ZnS, InOH 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 버퍼층(400)을 형성하는 단계(s400);(v) 상기 버퍼층(400) 위에 투명전극층(500)을 형성하는 단계(s500);를 포함하며,상기 기판 위에 투명전극전반사막(210)을 갖는 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 황동(Brass) 중 선택된 금속으로 구성되는 후면전극층(200)을 형성하는 단계(s200)에서,상기 투명전극전반사막은(210)은 ITO(In2O3:Sn)(Indium Tin Oxide), FTO(SnO2:F), ZnO, 무정형(amorphous) In-Ga-Zn-O, Zr, In2O3, 산화아연, 산화갈륨, 산화알루미늄, 산화납, 산화구리, 산화티탄 중 선택된 하나 이상의 재질로 구성되고,상기 투명전극전반사막의(210) 두께는 50-500nm이며,상기 투명전극전반사막의(210) 굴절율은 2
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제 9항에 있어서, 상기 기판 위에 투명전극전반사막(210)을 갖는 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 황동(Brass) 중 선택된 금속으로 구성되는 후면전극층(200)을 형성하는 단계(s200)에서, 상기 후면전극층(200)은 상기 기판(100) 위에 스퍼터링, 음극아크증착, 증기증착, 전자빔증착, 화학기상증착, 원자층증착, 전기화학적증착, 분사코팅, 닥터블레이드코팅, 스크린 프린트, 잉크젯 코팅, 열증착법, 전자선증착법, 전착법, 도금법스퍼터링, 열증착법, 전자선증착법, 전착법, 도금법 중에서 적어도 어느 하나의 방법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 투명전극전반사막을 갖는 태양전지의 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 기판 위에 투명전극전반사막(210)을 갖는 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 황동(Brass) 중 선택된 금속으로 구성되는 후면전극층(200)을 형성하는 단계(s200)에서,상기 투명전극전반사막은(210)은 RF 마그네트론 스퍼터링, DC 마그네트론 스퍼터링, MF 마그네트론 스퍼터링, 열증발법, 전자빔증발법, 열분무법 중 하나의 방법을 선택하여 증착되는 것을 특징으로 하는 투명전극전반사막을 갖는 태양전지의 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 광흡수층(300)의 굴절율은 2
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태양전지에 있어서,기판(100)과, 상기 기판(100) 위에 형성된 후면전극층(200)과, 상기 후면전극층(200) 위에 형성되는 광흡수층(300)과, 상기 광흡수층(300) 위에 형성되는 CdS, ZnS, InOH 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 버퍼층(400)과, 상기 버퍼층(400) 위에 형성되는 투명전극층(500)을 포함하는 것에 있어서, 상기 후면전극층(200)과 상기 광흡수층(300)은 제 9항, 제 10항, 제 12항 및 제 17항 중 어느 한 항의 방법으로 제조되어 형성된 것임을 특징으로 하는 태양전지
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