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이중상 산소분리막 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015153554
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 이중상 산소분리막은 산소이온 전도체를 포함하는 제 1상; 및 전자전도성 또는 혼합전도성 전도체로 표면이 코팅된 탄소섬유의 형태로 구성된 제 2 상을 포함하는 이중상 산소분리막으로써 전자 또는 혼합 전도체를 탄소섬유표면에 코팅하여 기존보다 사용량을 최소화할 수 있으며, 이에 따라 탁월한 화학적, 기계적 내구성을 확보할 수 있다. 또한, 상기 탄소섬유에 코팅하는 전도체는 모두 용액을 기반으로 하여 제조되기 때문에 다양한 조성으로 제조할 수 있으며, 균일한 구조로 형성되어 산소 투과도를 높일 수 있는 최적의 조성을 찾기에 용이하다.
Int. CL B01D 69/12 (2006.01) B01D 71/02 (2006.01) B01D 53/22 (2006.01) C01B 13/02 (2006.01)
CPC B01D 69/12(2013.01) B01D 69/12(2013.01) B01D 69/12(2013.01) B01D 69/12(2013.01) B01D 69/12(2013.01) B01D 69/12(2013.01) B01D 69/12(2013.01)
출원번호/일자 1020130099535 (2013.08.22)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1496752-0000 (2015.02.23)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150227) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.08.22)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유지행 대한민국 대전 서구
2 주종훈 대한민국 충북 청원군
3 유충열 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 다래 대한민국 서울 강남구 테헤란로 ***, **층(역삼동, 한독타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0762599-28
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.03.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2014-0030025-18
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.08.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0547980-60
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.10.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0943880-34
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.10.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0943881-80
8 등록결정서
Decision to grant
2015.02.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0099866-66
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산소이온 전도체를 포함하는 제 1상; 및전자전도성 또는 혼합전도성 전도체로 표면이 코팅된 탄소섬유의 형태로 구성된 제 2 상을 포함하는 이중상 산소분리막
2 2
제 1항에 있어서,상기 산소이온 전도체는 형석 구조 산화물 또는 페롭스카이트 구조 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 이중상 산소분리막
3 3
제 1항에 있어서,상기 전자전도성 또는 혼합전도성 전도체는 페롭스카이트 구조 산화물 또는 스피넬 구조 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 이중상 산소분리막
4 4
제 2항에 있어서, 상기 형석 구조 산화물은 이트리아 안정화 지르코니아(yttria-stabilized zirconia, YSZ), 스칸디아 안정화 지르코니아(Scandia-stabilized zirconia, ScSZ), 희토류로 안정화된 비스무트 산화물(Stabilized Bismuth oxide), 사마륨 주입된 세리아(samarium-doped ceria, SDC), 란타늄 주입된 세리아 (lanthanum-doped ceria, LDC) 및 가돌리늄 주입된 세리아(gadolinium-doped ceria, GDC)로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상인 것을 특징으로 하는 이중상 산소분리막
5 5
제 2 항에 있어서, 상기 페롭스카이트 구조 산화물은 LaGaO3 인 것을 특징으로 하는 이중상 산소분리막
6 6
제 3 항에 있어서, 상기 페롭스카이트 구조 산화물은 란타늄 스트론튬 코발타이트(Lanthanum strontium cobaltite, LSC), 란타늄 스트론튬 페라이트(Lanthanum strontium ferrite, LSF), 란타늄 스트론튬 망가나이트(Lanthanum strontium Manganite, LSM), 란타늄 스트론튬 크로마이트(Lanthanum strontium chromite, LSCr), 칼슘 티타네이트 페라이트(Calcium Titanate Ferrite, CTF, CaTiFeO3), 바륨 스트론튬 코발트 페라이트(Barium Strontium Cobalt Ferrite, BSCF), 스트론튬 티타네이트 페라이트(Strontium Titanate Ferrite, STF) 및 란타늄 스트론튬 코발트 페라이트(Lanthanum strontium cobalt ferrite, LSCF)로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상인 것을 특징으로 하는 이중상 산소분리막
7 7
제 3 항에 있어서, 상기 스피넬 구조 산화물은 망간 페라이트(MnFe2O4), 니켈 페라이트(NiFe2O4) 및 코발트 페라이트(CoFe2O4)로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상인 것을 특징으로 하는 이중상 산소분리막
8 8
(a) 산소이온 전도체 분말을 제조하는 단계; (b) 전자전도성 또는 혼합전도성 전도체를 탄소섬유 표면에 코팅하는 단계; (c) 상기 산소이온 전도체 분말과 상기 표면이 코팅된 탄소섬유를 혼합하는 단계; 및(d) 상기 혼합물을 소결하는 단계를 포함하는 이중상 산소분리막 제조방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 (a) 단계는 산소이온 전도체의 원료가 되는 금속 산화물 분말을 기계적으로 혼합한 후 열처리 반응에 의해 제조하는 것을 특징으로 하는 이중상 산소분리막 제조방법
10 10
제 8 항에 있어서, 상기 (a) 단계는 산소이온 전도체의 원료가 되는 금속 나이트레이트 또는 금속 클로라이드를 물에 용해한 후, 킬레이트제로 킬레이트 시켜 전구체 용액을 제조하는 단계; 및 상기 전구체 용액의 침전반응 또는 용액 내 유기물의 열분해 반응에 의해 제조하는 것을 특징으로 하는 이중상 산소분리막 제조방법
11 11
제 8 항에 있어서, 상기 (a) 단계는 산소이온 전도체의 원료가 되는 금속 나이트레이트 또는 금속 클로라이드를 중합 가능한 유기용매와 혼합하여 전구체 용액을 제조하는 단계; 및 상기 전구체 용액의 열분해 반응에 의해 제조하는 것을 특징으로 하는 이중상 산소분리막 제조방법
12 12
제 8 항에 있어서, 상기 (b) 단계는 전자전도성 또는 혼합전도성 전도체의 원료가 되는 금속 나이트레이트 또는 금속 클로라이드를 중합 가능한 유기용매와 혼합하여 전구체 용액을 제조하는 단계; 탄소섬유 또는 표면이 무기산으로 산화된 탄소섬유를 상기 전구체 용액에 분산시키는 단계; 및 분산 후 상기 전구체 용액의 열분해 반응에 의해 전자전도성 또는 혼합전도성 전도체를 탄소섬유 표면에 코팅하는 것을 특징으로 하는 이중상 산소분리막 제조방법
13 13
제 8 항에 있어서, 상기 (b) 단계는 전자전도성 또는 혼합전도성 전도체의 원료가 되는 금속 나이트레이트 또는 금속 클로라이드를 물에 용해한 후, 킬레이트제로 킬레이트 시켜 전구체 용액을 제조하는 단계; 탄소섬유 또는 표면이 무기산으로 산화된 탄소섬유를 상기 전구체 용액에 분산시키는 단계; 및 분산 후 상기 전구체 용액 내의 유기물 열분해 반응에 의해 전자전도성 또는 혼합전도성 전도체를 탄소섬유 표면에 코팅하는 것을 특징으로 하는 이중상 산소분리막 제조방법
14 14
제 8 항에 있어서, 상기 (b) 단계는 전자전도성 또는 혼합전도성 전도체의 원료가 되는 금속 나이트레이트 또는 금속 클로라이드를 물에 용해한 후, 킬레이트제로 킬레이트 시켜 전구체 용액을 제조하는 단계; 탄소섬유 또는 표면이 무기산으로 산화된 탄소섬유를 상기 전구체 용액에 분산 시키는 단계; 분산 후 60~100℃ 에서 전자전도성 또는 혼합전도성 전도체를 탄소섬유 표면에 코팅하는 것을 특징으로 하는 이중상 산소분리막 제조방법
15 15
제 10 항, 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서, 상기 킬레이트제는 구연산, EDTA, 아세트산 및 글리신으로 이루어진 군에서 선택된 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 이중상 산소분리막 제조방법
16 16
제 11 항 또는 제 12 항에 있어서, 중합 가능한 유기용매는 에틸렌 글리콜, 폴리올 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 이중상 산소분리막 제조방법
17 17
제 12 항, 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서, 상기 무기산은 황산, 염산 및 질산으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 이중상 산소분리막 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국에너지기술연구원 주요사업 (연구원 자체사업) 고투과 산소분리막 및 컴팩트 모듈화 기술 개발