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저저항 금속층을 가지는 후면전극과 이를 이용한 태양전지 및 이들을 제조하는 방법

  • 기술번호 : KST2015153566
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 후면전극이 다중층으로 구성된 CIGS 박막 태양전지에 관한 것으로, 태양전지의 기판(100)위에 형성되는 후면전극(200)에 있어서, 태양전지 후면전극의 제조방법에 있어서, (i) 태양전지의 기판(100) 위에 저저항 금속으로 저저항 금속층(210)을 형성시키는 단계(s1000), (ii) 상기 저저항 금속층(210) 위에 몰리브덴(Mo)층(220)을 형성시키는 단계(s2000) 를 포함하는 것을 특징으로 하여 태양전지의 광전변환효율을 높이는 효과가 있는 것임.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0224 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020130063854 (2013.06.04)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1480394-0000 (2015.01.02)
공개번호/일자 10-2014-0142771 (2014.12.15) 문서열기
공고번호/일자 (20150112) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.06.04)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 어영주 대한민국 대전 유성구
2 조준식 대한민국 대전 유성구
3 박주형 대한민국 대전 유성구
4 윤경훈 대한민국 대전 유성구
5 안세진 대한민국 대전 유성구
6 곽지혜 대한민국 대전 서구
7 윤재호 대한민국 대전 중구
8 조아라 대한민국 서울 관악구
9 신기식 대한민국 대전 유성구
10 안승규 대한민국 대전 유성구
11 유진수 대한민국 서울 노원구
12 박상현 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한상수 대한민국 서울시 서초구 효령로**길 ** *층 (브릿지웰빌딩)(에이치앤피국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0495586-49
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0392302-44
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.08.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0747895-76
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.08.07 수리 (Accepted) 1-1-2014-0747888-56
6 등록결정서
Decision to grant		 2014.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0897590-21
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
태양전지 후면전극의 제조방법에 있어서, (i) 태양전지의 기판(100) 위에 몰리브덴(Mo)보다 저항이 낮은 저저항 금속으로 저저항 금속층(210)을 형성시키는 단계(s1000);(ii) 상기 몰리브덴(Mo)보다 저항이 낮은 저저항 금속으로 형성된 저저항 금속층(210) 위에 몰리브덴(Mo)층(220)을 형성시키는 단계(s2000);를 포함하며,상기 (i) 태양전지의 기판(100) 위에 몰리브덴(Mo)보다 저항이 낮은 저저항 금속으로 저저항 금속층(210)을 형성시키는 단계(s1000)에서의 상기 저저항 금속은 은(Ag), 또는 아연(Zn)으로 구성되고, 상기 저저항 금속층(210)의 두께는 100nm~10μm이며,상기 (ii) 몰리브덴(Mo)보다 저항이 낮은 저저항 금속으로 형성된 저저항 금속층(210) 위에 몰리브덴(Mo)층(220)을 형성시키는 단계(s2000)에서, 상기 몰리브덴(Mo)층은 상기 저저항 금속층에 비해 얇은 두께를 갖도록 90nm~5μm로 형성되고,상기 몰리브덴(Mo)층(220)은 나트륨(Na)이 도핑된 몰리브덴 하부층(221)과, 몰리브덴으로만 구성된 몰리브덴 상부층(222)으로 구성시키는 것을 특징으로 하는 몰리브덴(Mo)보다 저항이 낮은 저저항 금속층을 가지는 후면전극의 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 (i) 태양전지의 기판(100) 위에 몰리브덴(Mo)보다 저항이 낮은 저저항 금속으로 저저항 금속층(210)을 형성시키는 단계(s1000)의 상기 저저항 금속층(210)은 스퍼터링, 음극아크증착, 증기증착, 전자빔증착, 화학기상증착, 원자층증착, 전기화학적증착, 분사코팅, 닥터블레이드코팅, 스크린 프린트, 잉크젯 코팅, 열증착법, 전자선증착법, 전착법, 도금법스퍼터링, 열증착법, 전자선증착법, 전착법, 도금법 중에서 적어도 어느 하나의 방법을 이용하여 증착시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 몰리브덴(Mo)보다 저항이 낮은 저저항 금속층을 가지는 후면전극의 제조방법
4 4
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5 5
제 1항에 있어서, 상기 (ii) 몰리브덴(Mo)보다 저항이 낮은 저저항 금속으로 형성된 저저항 금속층(210) 위에 몰리브덴(Mo)층(220)을 형성시키는 단계(s2000)의 상기 몰리브덴(Mo)층(220)은 스퍼터링, 음극아크증착, 증기증착, 전자빔증착, 화학기상증착, 원자층증착, 전기화학적증착, 분사코팅, 닥터블레이드코팅, 스크린 프린트, 잉크젯 코팅, 열증착법, 전자선증착법, 전착법, 도금법스퍼터링, 열증착법, 전자선증착법, 전착법, 도금법 중에서 적어도 어느 하나의 방법을 이용하여 증착시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 몰리브덴(Mo)보다 저항이 낮은 저저항 금속층을 가지는 후면전극의 제조방법
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태양전지의 제조방법에 있어서,(i) 기판(100)을 준비하는 단계(s100);(ii) 상기 기판 위에 후면전극층(200)을 형성하는 단계(s200);(iii) 후면전극층(200) 위에 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 포함하여 구성되는 CIGS 광흡수층(300)을 형성하는 단계(s300);(iv) 상기 광흡수층(300) 위에 CdS, ZnS, InOH 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 버퍼층(400)을 형성하는 단계(s400);(v) 상기 버퍼층(400) 위에 산화아연, 산화갈륨, 산화알루미늄, 산화인듐, 산화납, 산화구리, 산화티탄, 산화주석, 산화철, 이산화주석, 인듐주석산화물 및 이들 중 2 이상의 물질의 산화물 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 투명전도층(500)을 형성하는 단계(s500);를 포함하는 것에 있어서, 상기 (ii) 상기 기판 위에 후면전극층(200)을 형성하는 단계(s200)는 제 1항 , 제 3항 및 제 5항 중 어느 한 항의 방법을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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태양전지의 기판(100)위에 형성되는 후면전극(200)에 있어서, 상기 후면전극(200)은 저항이 몰리브덴(Mo) 보다 낮은 저저항 금속으로 이루어지는 저저항금속층(210)과 몰리브덴층(220)의 다중층으로 구성되며,상기 저저항 금속층(210)의 상기 저저항 금속은 은(Ag), 또는 아연(Zn)으로 을 포함하고,상기 저저항 금속층(210)은 그 두께가 100nm~10μm이며,상기 몰리브덴층(220)은 상기 저저항 금속층에 비해 얇은 두께를 가지도록 90nm~5nm로 형성되는 것을 특징으로 하는 몰리브덴(Mo)보다 저항이 낮은 저저항 금속층을 가지는 태양전지의 후면전극
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태양전지에 있어서,기판(100)과, 상기 기판(100) 위에 형성된 후면전극층(200)과, 상기 후면전극층(200) 위에 형성되는 광흡수층(300)과, 상기 광흡수층(300) 위에 형성되는 버퍼층(400)과, 상기 버퍼층(400) 위에 형성되는 투명전도층(500)을 포함하는 것에 있어서, 상기 후면전극층(200)은 제 9항의 후면전극으로 형성되며;상기 광흡수층(300)은 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 포함하여 구성되는 CIGS 광흡수층인 것을 특징으로 하는 태양전지
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