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BET가 1200 내지 1700m2/g로 제어된 카바이드 유도 탄소를 제조하는 방법으로서,카바이드 화합물을 진공 상태에서 열처리하여 하여, 카바이드 화합물을 이루는 입자가 고밀도의 응집체로 응집된 진공 처리된 카바이드 화합물을 제조하는 단계; 및상기 진공 처리된 카바이드 화합물을 할로겐족 원소 함유 기체와 열화학 반응시켜 상기 진공 처리된 카바이드 화합물 내의 탄소를 제외한 나머지 원소를 추출하는 단계를 포함하며,상기 진공 처리된 카바이드 화합물이 고밀도의 응집체로 응집된 상태로 상기 열화학 반응이 수행됨으로써 카바이드 유도 탄소의 BET가 제어되는 것을 특징으로하는 카바이드 유도 탄소 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 카바이드 화합물은 탄소와 주기율표의 3족, 4족, 5족 또는 6족 원소 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 원소와의 화합물인 것을 특징으로 하는 카바이드 유도 탄소 제조방법
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청구항 2에 있어서,상기 카바이드 화합물은 SiC, BxCy, TiC, ZrCx, AlxCy, CaxCy, TixTayC, MoxWyC, TiNxCy, ZrNxCy, SiC4, TiAlC 및 Mo2C로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 카바이드 화합물인 것을 특징으로 하는 카바이드 유도 탄소 제조방법(x와 y는 화학양론비에 따라 정해짐)
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청구항 3에 있어서,상기 카바이드 화합물은 TiC인 것을 특징으로 하는 카바이드 유도 탄소 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 진공 상태에서 열처리 반응 온도는 1100 내지 1900℃인 것을 특징으로 하는 카바이드 유도 탄소 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 진공 상태에서 열처리 반응 시간은 3 내지 7시간인 것을 특징으로 하는 카바이드 유도 탄소 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 할로겐족 원소 함유 기체는 Cl2, TiCl4 또는 F2로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 카바이드 유도 탄소 제조방법
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청구항 7에 있어서,상기 할로겐족 원소 함유 기체는 Cl2인 것을 특징으로 하는 카바이드 유도 탄소 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 열화학 반응 온도는 200 내지 1200℃인 것을 특징으로 하는 카바이드 유도 탄소 제조방법
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청구항 9에 있어서,상기 열화학 반응 시간은 3 내지 5시간인 것을 특징으로 하는 카바이드 유도 탄소 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 열화학 반응 후 H2, Ar, N2 및 NH3로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 가스로 어닐링하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 카바이드 유도 탄소 제조방법
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청구항 11에 있어서,상기 어닐링 단계는 1 내지 3시간 동안 이루어지는 것을 특징으로 하는 카바이드 유도 탄소 제조방법
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카바이드 화합물을 진공 상태에서 열처리하여 하여 카바이드 화합물을 이루는 입자가 고밀도의 응집체로 응집된 진공 처리된 카바이드 화합물을 할로겐족 원소 함유 기체와 열화학 반응시켜 상기 진공 처리된 카바이드 화합물 내의 탄소를 제외한 나머지 원소를 추출함으로써 제조되어,상기 진공 처리된 카바이드 화합물이 고밀도의 응집체로 응집된 상태로 상기 열화학 반응이 수행됨으로써 BET가 1200 내지 1700m2/g로 제어된 것을 특징으로 하는 카바이드 유도 탄소
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청구항 13에 있어서,상기 카바이드 화합물은 탄소와 주기율표의 3족, 4족, 5족 또는 6족 원소 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 원소와의 화합물인 것을 특징으로 하는 카바이드 유도 탄소
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15
청구항 14에 있어서,상기 카바이드 화합물은 SiC, BxCy, TiC, ZrCx, AlxCy, CaxCy, TixTayC, MoxWyC, TiNxCy, ZrNxCy, SiC4, TiAlC 및 Mo2C로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 카바이드 화합물인 것을 특징으로 하는 카바이드 유도 탄소(x와 y는 화학양론비에 따라 정해짐)
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청구항 13에 있어서,상기 할로겐족 원소 함유 기체는 Cl2, TiCl4 또는 F2로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 카바이드 유도 탄소
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청구항 13에 있어서,XRD 분석 결과 20 내지 30° 사이에 위치한 피크의 XRD 강도가 6000 내지 8000인 것을 특징으로 하는 카바이드 유도 탄소
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카바이드 화합물을 진공 상태에서 열처리하여 카바이드 화합물을 이루는 입자가 고밀도의 응집체로 응집된 진공 처리된 카바이드 화합물을 할로겐족 원소 함유 기체와 열화학 반응 후 H2, Ar, N2 또는 NH3 가스로 어닐링 시켜 상기 진공 처리된 카바이드 화합물 내의 탄소를 제외한 나머지 원소를 추출함으로써 제조되어,상기 진공 처리된 카바이드 화합물이 고밀도의 응집체로 응집된 상태로 상기 열화학 반응이 수행됨으로써 BET가 1200 내지 1700m2/g로 제어된 것을 특징으로 하는 카바이드 유도 탄소
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청구항 19에 있어서,상기 카바이드 화합물은 탄소와 주기율표의 3족, 4족, 5족 또는 6족 원소 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 원소와의 화합물인 것을 특징으로 하는 카바이드 유도 탄소
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청구항 20에 있어서,상기 카바이드 화합물은 SiC, BxCy, TiC, ZrCx, AlxCy, CaxCy, TixTayC, MoxWyC, TiNxCy, ZrNxCy, SiC4, TiAlC 및 Mo2C로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 카바이드 화합물인 것을 특징으로 하는 카바이드 유도 탄소(x와 y는 화학양론비에 따라 정해짐)
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청구항 19에 있어서,상기 할로겐족 원소 함유 기체는 Cl2, TiCl4 또는 F2로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 카바이드 유도 탄소
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삭제
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청구항 19에 있어서,XRD 분석 결과 20 내지 30° 사이에 위치한 피크의 XRD 강도가 6000 내지 8000인 것을 특징으로 하는 카바이드 유도 탄소
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청구항 13 내지 16, 청구항 18 내지 22 및 청구항 24 중 어느 한 항에 따른 카바이드 유도 탄소를 포함하는 리튬 전지 음극재
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청구항 13 내지 16, 청구항 18 내지 22 및 청구항 24 중 어느 한 항에 따른 카바이드 유도 탄소를 포함하는 리튬공기전지 전극
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청구항 13 내지 16, 청구항 18 내지 22 및 청구항 24 중 어느 한 항에 따른 카바이드 유도 탄소를 포함하는 수퍼커패시터 전극
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청구항 13 내지 16, 청구항 18 내지 22 및 청구항 24 중 어느 한 항에 따른 카바이드 유도 탄소를 포함하는 플로우형 커패시터 전극
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