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i) 실리콘카바이드, 알루미늄, 산화금속을 분말상태로 균일하게 혼합하여 분말 혼합물을 준비하는 단계; ⅱ) 상기 분말 혼합물을 반응장치에 넣은 후, 상기 반응장치 내에 수소를 공급하면서 진공 분위기를 조성하는 단계; 및 ⅲ) 상기 진공 분위기의 반응장치를 가열하여 실리콘카바이드 입자 표면에 알루미나 나노와이어를 합성하는 단계;를 포함하며, 상기 반응장치 내에 수소를 공급하면서 진공 분위기를 조성하는 단계에서, 반응장치 내 이송가스로 0
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제1항에 있어서, 상기 알루미늄의 입자 크기는 500nm ~ 5㎛ 인 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 표면에 알루미나 나노와이어를 직접 합성하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 산화금속의 입자 크기는 50 ~ 200nm 인 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 표면에 알루미나 나노와이어를 직접 합성하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 산화금속은 ZnO, NiO, MgO, SnO2, GeO2, Bi2O3, Ga2O3, Fe2O3 중 적어도 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 표면에 알루미나 나노와이어를 직접 합성하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 반응장치 내에 수소를 공급하면서 진공 분위기를 조성하는 단계에서, 반응장치 내 진공도는 1 X 10-1 ~ 2 Torr 인 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 표면에 알루미나 나노와이어를 직접 합성하는 방법
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 방법에 의해 합성된 실리콘카바이드-알루미나 나노와이어로서, 알루미나 나노와이어의 지름은 5 ~ 100nm 이고, 길이는 1 ~ 100㎛ 인 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드-알루미나 나노와이어
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i) 실리콘카바이드 표면에 알루미늄과 산화금속의 분말 혼합물을 코팅하는 단계; ⅱ) 상기 표면에 알루미늄과 산화금속의 분말 혼합물이 코팅된 실리콘카바이드를 반응장치에 넣은 후, 상기 반응장치 내에 수소를 공급하면서 진공 분위기를 조성하는 단계; 및 ⅲ) 상기 진공 분위기의 반응장치를 가열하여 실리콘카바이드 표면에 알루미나 나노와이어를 합성하는 단계;를 포함하며, 상기 반응장치 내에 수소를 공급하면서 진공 분위기를 조성하는 단계에서, 반응장치 내 이송가스로 0
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제9항에 있어서, 상기 실리콘카바이드는 평판(plate)의 2차원 구조이거나, 튜브(tube), 구(sphere), 폼(foam), 매쉬(mesh) 또는 허니컴(honey comb)의 3차원 구조 중 적어도 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 표면에 알루미나 나노와이어를 직접 합성하는 방법
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제9항에 있어서, 상기 알루미늄의 입자 크기는 500nm ~ 5㎛ 인 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 표면에 알루미나 나노와이어를 직접 합성하는 방법
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제9항에 있어서, 상기 산화금속의 입자 크기는 50 ~ 200nm 인 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 표면에 알루미나 나노와이어를 직접 합성하는 방법
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제9항에 있어서, 상기 분말 혼합물의 코팅 두께가 1~50㎛ 인 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 표면에 알루미나 나노와이어를 직접 합성하는 방법
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제9항에 있어서, 상기 산화금속은 ZnO, NiO, MgO, SnO2, GeO2, Bi2O3, Ga2O3, Fe2O3 중 적어도 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 표면에 알루미나 나노와이어를 직접 합성하는 방법
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제9항에 있어서, 상기 반응장치 내에 수소를 공급하면서 진공 분위기를 조성하는 단계에서, 반응장치 내 진공도는 1 X 10-1 ~ 2 Torr 인 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 표면에 알루미나 나노와이어를 직접 합성하는 방법
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제9항 내지 제15항 중 어느 한 항의 방법에 의해 합성된 실리콘카바이드-알루미나 나노와이어로서, 알루미나 나노와이어의 지름은 5 ~ 100nm 이고, 길이는 1 ~ 100㎛ 인 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드-알루미나 나노와이어
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