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실리콘카바이드 표면에 알루미나 나노와이어를 직접 합성하는 방법 및 이에 의하여 합성된 실리콘카바이드-알루미나 구조체

  • 기술번호 : KST2015153595
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘카바이드 표면에 알루미나 나노와이어를 합성하는 방법 및 이에 의하여 합성된 실리콘카바이드-알루미나 구조체에 관한 것으로서, 구체적으로 본 발명은 실리콘카바이드 표면에서 기상 소스들을 반응시켜 알루미나 나노와이어 구조를 직접적으로 합성하는 방법에 대한 것이다. 본 발명의 실리콘카바이드-알루미나 구조체는 표면 기능화 및 하이브리드화를 통하여 다양한 분야에 응용이 가능하며, 특히 DPF(Diesel particulate filter), VOC 처리, SF 가스 처리, CO2 재생(recycling), 개질 반응 등에서 촉매체로 활용될 수 있다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC C01F 11/18(2013.01)
출원번호/일자 1020130144791 (2013.11.26)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1483965-0000 (2015.01.13)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150121) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.11.26)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정남조 대한민국 대전광역시 유성구
2 여정구 대한민국 대전광역시 유성구
3 송광섭 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 윤병국 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***길, **, *층 (대치동, 삼호빌딩)(지성국제특허법률사무소)
2 이영규 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***길, **, *층 (대치동, 삼호빌딩)(지성국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-1079400-54
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2014.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2014-0123770-10
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.08.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2014-0073220-67
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0712858-24
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.12.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1245872-19
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-1245873-65
9 등록결정서
Decision to grant
2014.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0896332-91
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
i) 실리콘카바이드, 알루미늄, 산화금속을 분말상태로 균일하게 혼합하여 분말 혼합물을 준비하는 단계; ⅱ) 상기 분말 혼합물을 반응장치에 넣은 후, 상기 반응장치 내에 수소를 공급하면서 진공 분위기를 조성하는 단계; 및 ⅲ) 상기 진공 분위기의 반응장치를 가열하여 실리콘카바이드 입자 표면에 알루미나 나노와이어를 합성하는 단계;를 포함하며, 상기 반응장치 내에 수소를 공급하면서 진공 분위기를 조성하는 단계에서, 반응장치 내 이송가스로 0
2 2
제1항에 있어서, 상기 알루미늄의 입자 크기는 500nm ~ 5㎛ 인 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 표면에 알루미나 나노와이어를 직접 합성하는 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 산화금속의 입자 크기는 50 ~ 200nm 인 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 표면에 알루미나 나노와이어를 직접 합성하는 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 산화금속은 ZnO, NiO, MgO, SnO2, GeO2, Bi2O3, Ga2O3, Fe2O3 중 적어도 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 표면에 알루미나 나노와이어를 직접 합성하는 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 반응장치 내에 수소를 공급하면서 진공 분위기를 조성하는 단계에서, 반응장치 내 진공도는 1 X 10-1 ~ 2 Torr 인 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 표면에 알루미나 나노와이어를 직접 합성하는 방법
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 방법에 의해 합성된 실리콘카바이드-알루미나 나노와이어로서, 알루미나 나노와이어의 지름은 5 ~ 100nm 이고, 길이는 1 ~ 100㎛ 인 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드-알루미나 나노와이어
9 9
i) 실리콘카바이드 표면에 알루미늄과 산화금속의 분말 혼합물을 코팅하는 단계; ⅱ) 상기 표면에 알루미늄과 산화금속의 분말 혼합물이 코팅된 실리콘카바이드를 반응장치에 넣은 후, 상기 반응장치 내에 수소를 공급하면서 진공 분위기를 조성하는 단계; 및 ⅲ) 상기 진공 분위기의 반응장치를 가열하여 실리콘카바이드 표면에 알루미나 나노와이어를 합성하는 단계;를 포함하며, 상기 반응장치 내에 수소를 공급하면서 진공 분위기를 조성하는 단계에서, 반응장치 내 이송가스로 0
10 10
제9항에 있어서, 상기 실리콘카바이드는 평판(plate)의 2차원 구조이거나, 튜브(tube), 구(sphere), 폼(foam), 매쉬(mesh) 또는 허니컴(honey comb)의 3차원 구조 중 적어도 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 표면에 알루미나 나노와이어를 직접 합성하는 방법
11 11
제9항에 있어서, 상기 알루미늄의 입자 크기는 500nm ~ 5㎛ 인 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 표면에 알루미나 나노와이어를 직접 합성하는 방법
12 12
제9항에 있어서, 상기 산화금속의 입자 크기는 50 ~ 200nm 인 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 표면에 알루미나 나노와이어를 직접 합성하는 방법
13 13
제9항에 있어서, 상기 분말 혼합물의 코팅 두께가 1~50㎛ 인 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 표면에 알루미나 나노와이어를 직접 합성하는 방법
14 14
제9항에 있어서, 상기 산화금속은 ZnO, NiO, MgO, SnO2, GeO2, Bi2O3, Ga2O3, Fe2O3 중 적어도 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 표면에 알루미나 나노와이어를 직접 합성하는 방법
15 15
제9항에 있어서, 상기 반응장치 내에 수소를 공급하면서 진공 분위기를 조성하는 단계에서, 반응장치 내 진공도는 1 X 10-1 ~ 2 Torr 인 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 표면에 알루미나 나노와이어를 직접 합성하는 방법
16 16
삭제
17 17
삭제
18 18
제9항 내지 제15항 중 어느 한 항의 방법에 의해 합성된 실리콘카바이드-알루미나 나노와이어로서, 알루미나 나노와이어의 지름은 5 ~ 100nm 이고, 길이는 1 ~ 100㎛ 인 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드-알루미나 나노와이어
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.