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3차원 탄소구조체의 합성방법 및 이에 의하여 합성된 3차원 탄소구조체

  • 기술번호 : KST2015153601
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 3차원 탄소구조체의 합성방법 및 이에 의하여 합성된 3차원 탄소구조체에 관한 것으로서, 상세하게는 본 발명은 2차원 구조인 그라핀에 1차원 구조인 탄소나노와이어 구조가 결합된 3차원 구조체를 간단한 공정을 통해 다양한 형태로 합성할 수 있는 방법 및 이에 의하여 합성된 구조체에 대한 것이다. 본 발명에 의하여 구현된 다양한 형태의 3차원 탄소구조체는 이차전지, 수퍼캐패시터, 촉매지지체, 전극소재 등의 성능 향상에 기여할 수 있다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) C01B 31/02 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC C01B 32/194(2013.01) C01B 32/194(2013.01) C01B 32/194(2013.01) C01B 32/194(2013.01) C01B 32/194(2013.01)
출원번호/일자 1020130132356 (2013.11.01)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1470830-0000 (2014.12.03)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20141217) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.11.01)
심사청구항수 30

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정남조 대한민국 대전 유성구
2 황교식 대한민국 제주 제주
3 김찬수 대한민국 서울 서초구
4 좌은진 대한민국 제주특별자치도 제주
5 박종수 대한민국 대전 서구
6 김동국 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 윤병국 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***길, **, *층 (대치동, 삼호빌딩)(지성국제특허법률사무소)
2 이영규 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***길, **, *층 (대치동, 삼호빌딩)(지성국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2013-0997450-80
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2014.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2014-0123770-10
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.07.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.08.08 수리 (Accepted) 9-1-2014-0067797-92
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.09.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0645809-47
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.11.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1120370-69
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-1120369-12
9 등록결정서
Decision to grant		 2014.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0804192-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
i) 지지체 표면에 금속 촉매층을 코팅하는 단계; ⅱ) 상기 금속 촉매층 상에 그라핀을 형성하는 단계; ⅲ) 상기 그라핀 표면에 탄소나노와이어를 형성하는 단계; 및ⅳ) 상기 그라핀과 탄소나노와이어로 이루어진 3차원 탄소구조체를 지지체로부터 분리하는 단계;를 포함하며, 상기 ⅲ) 단계에서, 탄소나노와이어 형성을 위한 별도의 금속 촉매가 사용되지 않는 것을 특징으로 하는 3차원 탄소구조체의 합성방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 i) 단계에서, 상기 지지체가 세라믹 계열의 사파이어, 실리콘 웨이퍼, 또는 퀄츠로 이루어지며, 2차원 또는 3차원 형태인 것을 특징으로 하는 3차원 탄소구조체의 합성방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 i) 단계에서, 상기 지지체에 코팅되는 금속 촉매층의 두께가 10 ~ 500nm인 것을 특징으로 하는 3차원 탄소구조체의 합성방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 ⅱ) 단계에서, 그라핀 형성을 위한 탄소 소스로서 메탄 또는 에탄올이 사용되는 것을 특징으로 하는 3차원 탄소구조체의 합성방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 ⅱ) 단계에서, 그라핀 형성을 위한 합성온도가 850 ~ 950℃이며, 압력은 2 ~ 760Torr인 것을 특징으로 하는 3차원 탄소구조체의 합성방법
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서, 상기 ⅲ) 단계에서, 형성되는 탄소나노와이어의 형태가 탄소나노튜브인 것을 특징으로 하는 3차원 탄소구조체의 합성방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 ⅲ) 단계에서, 탄소나노와이어 형성을 위한 탄소 소스로서 페로씬(FeC10H10), 니켈로씬(NiC10H10) 또는 코발로씬(CoC10H10)의 금속-탄소 화합물이 사용되는 것을 특징으로 하는 3차원 탄소구조체의 합성방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 탄소나노와이어 형성을 위한 탄소 소스로서, 0
10 10
제1항에 있어서, 상기 ⅲ) 단계에서, 탄소나노와이어 형성을 위한 합성온도가 650 ~ 850℃인 것을 특징으로 하는 3차원 탄소구조체의 합성방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 ⅲ) 단계에서, 탄소나노와이어의 형성을 위한 합성시간이 10분 ~ 4시간인 것을 특징으로 하는 3차원 탄소구조체의 합성방법
12 12
제1항에 있어서, 상기 ⅳ) 단계에서, 산처리를 통해 금속 촉매층이 제거되면서 3차원 탄소구조체와 지지체가 분리되는 것을 특징으로 하는 3차원 탄소구조체의 합성방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 산처리시, 산의 농도가 1~10 vol% 인 것을 특징으로 하는 3차원 탄소구조체의 합성방법
14 14
제1항 내지 제 5항 및 제7항 내지 제13항 중 어느 한 항의 방법에 의하여 합성된 3차원 탄소구조체
15 15
i) 지지체 표면에 금속 촉매층을 코팅하는 단계; ⅱ) 상기 금속 촉매층 상에 그라핀을 형성하는 단계; ⅲ) 상기 그라핀 표면에 산화금속 나노입자를 코팅하는 단계; ⅳ) 상기 산화금속 나노입자가 코팅된 그라핀 표면에 탄소나노와이어를 형성하는 단계; 및ⅴ) 상기 그라핀과 탄소나노와이어로 이루어진 3차원 탄소구조체를 지지체로부터 분리하는 단계;를 포함하는 3차원 탄소구조체의 합성방법
16 16
제15항에 있어서, 상기 지지체가 세라믹 계열의 사파이어, 실리콘 웨이퍼, 또는 퀄츠로 이루어지며, 2차원 또는 3차원 형태인 것을 특징으로 하는 3차원 탄소구조체의 합성방법
17 17
제15항에 있어서, 상기 지지체에 코팅되는 금속 촉매층의 두께가 10 ~ 500nm인 것을 특징으로 하는 3차원 탄소구조체의 합성방법
18 18
제15항에 있어서, 상기 ⅱ) 단계에서, 그라핀 형성을 위한 탄소 소스로서 메탄 또는 에탄올이 사용되는 것을 특징으로 하는 3차원 탄소구조체의 합성방법
19 19
제15항에 있어서, 상기 ⅱ) 단계에서, 그라핀 형성을 위한 합성온도가 850 ~ 950℃이며, 압력은 2 ~ 760Torr인 것을 특징으로 하는 3차원 탄소구조체의 합성방법
20 20
제15항에 있어서, 상기 ⅲ) 단계에서, 상기 산화금속 나노입자가 산화니켈, 산화주석, 산화구리, 산화철 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 3차원 탄소구조체의 합성방법
21 21
제15항에 있어서, 상기 산화금속 나노입자의 크기가 1~100 nm 인 것을 특징으로 하는 3차원 탄소구조체의 합성방법
22 22
제15항에 있어서, 상기 ⅳ) 단계에서, 산화금속 입자가 코팅된 그라핀 표면에 형성되는 탄소나노와이어가 탄소나노튜브, 탄소나노섬유 또는 탄소나노케이블인 것을 특징으로 하는 3차원 탄소구조체의 합성방법
23 23
제15항에 있어서, 상기 ⅳ) 단계에서, 탄소나노와이어 형성을 위한 탄소 소스로서 탄화수소 화합물이 사용되는 것을 특징으로 하는 3차원 탄소구조체의 합성방법
24 24
제23항에 있어서, 상기 탄화수소 화합물의 농도가 0
25 25
제15항에 있어서, 상기 ⅳ) 단계에서, 탄소나노와이어 형성을 위한 합성온도가 650 ~ 850℃인 것을 특징으로 하는 3차원 탄소구조체의 합성방법
26 26
제15항에 있어서, 상기 ⅳ) 단계에서, 탄소나노와이어의 형성을 위한 합성시간이 1분 ~ 2시간인 것을 특징으로 하는 3차원 탄소구조체의 합성방법
27 27
제15항에 있어서, 상기 ⅳ) 단계에서, 산화금속의 환원을 촉진하기 위하여, 수소 가스가 추가로 공급되는 것을 특징으로 하는 3차원 탄소구조체의 합성방법
28 28
제27항에 있어서, 상기 수소 가스의 농도가 1~10 vol%인 것을 특징으로 하는 3차원 탄소구조체의 합성방법
29 29
제15항에 있어서, 상기 ⅴ) 단계에서, 산처리를 통해 금속 촉매층이 제거되면서 3차원 탄소구조체와 지지체가 분리되는 것을 특징으로 하는 3차원 탄소구조체의 합성방법
30 30
제29항에 있어서, 상기 산처리시, 산의 농도가 1~10 vol% 인 것을 특징으로 하는 3차원 탄소구조체의 합성방법
31 31
제15항 내지 제 30항 중 어느 한 항의 방법에 의하여 합성된 3차원 탄소구조체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.