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i) 수산화인회석을 반응장치의 내부에 도입하는 단계;ⅱ) 상기 반응장치의 내부에 비활성 이송가스를 공급하여 내부 분위기를 조성하는 단계;ⅲ) 상기 반응장치의 온도를 흑연층 형성온도까지 올리는 단계;ⅳ) 상기 반응장치의 내부에 반응가스를 공급하여 결정성 흑연층을 생성하기 위한 흑연 조각(graphite fragments)으로 작용하는 방향족 탄화수소 기체분자들(gaseous aromatic hydrocarbon molecules)을 생성하는 단계; 및 ⅴ) 이송가스 분위기 하에서 상기 반응장치를 상온까지 냉각시키는 단계;를 포함하는 수산화인회석 표면의 흑연층 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 수산화인회석은 분말(powder), 평판(plate), 튜브(tube), 구(sphere), 폼(foam), 매쉬(mesh) 또는 허니컴(honey comb) 형태인 것을 특징으로 하는 수산화인회석 표면의 흑연층 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 ⅲ) 단계의 흑연층 형성온도가 500~1000 ℃인 것을 특징으로 하는 수산화인회석 표면의 흑연층 형성방법
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제1항에 있어서,상기 ⅳ) 단계에서 공급되는 반응가스가 탄소 소스(source) 반응가스로서, 아세틸렌, 에틸렌, 에탄, 프로판, 메탄 중 어느 하나 이상을 포함하는 기상의 지방족(aliphatic) 탄화수소 분자, 또는 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트린, 파이렌 중 어느 하나 이상을 포함하는 기상의 방향족(aromatic) 탄화수소 분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 수산화인회석 표면의 흑연층 형성방법
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제4항에 있어서, 상기 탄소 소스 반응가스가 수산화인회석 표면과 반응하여 흑연층을 형성하는 것을 특징으로 하는 수산화인회석 표면의 흑연층 형성방법
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제4항에 있어서, 상기 탄소 소스 반응가스가 비활성 이송가스 내 0
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제1항에 있어서, 상기 ⅳ) 단계의 반응가스 공급시간이 1분 ~ 1시간인 것을 특징으로 하는 수산화인회석 표면의 흑연층 형성방법
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i) 수산화인회석과 방향족(aromatic) 탄화수소 분자를 반응장치의 내부에 도입하는 단계;ⅱ) 상기 반응장치의 내부에 비활성 이송가스를 공급하여 내부 분위기를 조성한 후 밀폐하는 단계;ⅲ) 상기 밀폐된 반응장치의 온도를 흑연층 형성온도까지 올리는 단계; ⅳ) 상기 승온된 반응장치 내에서 결정성 흑연층을 생성하기 위한 흑연 조각(graphite fragments)으로 작용하는 방향족 탄화수소 기체분자들(gaseous aromatic hydrocarbon molecules)이 생성되어 수산화인회석 표면과 반응하는 단계; 및 ⅴ) 밀폐된 분위기 하에서 상기 반응장치를 상온까지 냉각시키는 단계;를 포함하는 수산화인회석 표면의 흑연층 형성방법
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제10항에 있어서, 상기 수산화인회석은 분말(powder), 평판(plate), 튜브(tube), 구(sphere), 폼(foam), 매쉬(mesh) 또는 허니컴(honey comb) 형태인 것을 특징으로 하는 수산화인회석 표면의 흑연층 형성방법
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제10항에 있어서, 상기 반응장치 내부에 도입되는 방향족(aromatic) 탄화수소 분자가 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트린, 파이렌 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 수산화인회석 표면의 흑연층 형성방법
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제10항에 있어서, 상기 반응장치 내부에 도입되는 방향족(aromatic) 탄화수소 분자가 상기 ⅳ) 단계에서 탄소 소스(source) 반응가스로 작용하여 수산화인회석 표면과 반응하여 흑연층을 형성하는 것을 특징으로 하는 수산화인회석 표면에 흑연층의 형성방법
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제10항에 있어서, 상기 ⅲ) 단계의 흑연층 형성온도가 200~800 ℃인 것을 특징으로 하는 수산화인회석 표면의 흑연층 형성방법
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제10항에 있어서, 상기 ⅳ) 단계의 반응장치 내 반응가스 함량이 비활성 이송가스 내 0
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제10항에 있어서, 상기 ⅳ) 단계의 반응시간이 1분 ~ 1시간인 것을 특징으로 하는 수산화인회석 표면의 흑연층 형성방법
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