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다공성 고분자 기재; 및상기 다공성 고분자 기재의 기공에 함입된 고분자 전해질을 포함하되,상기 고분자 전해질은, 술폰산기 함유 단량체, 양이온기를 가지는 4가 암모늄염의 전해질 단량체, 아크릴아미드계 가교제 및 개시제를 포함하는 용액을 상기 다공성 고분자 기재에 함침시킨 후 가교 중합하여 형성되고,상기 술폰산기 함유 단량체는 3-설포프로필메타크릴레이트 또는 3-설포프로필 아크릴레이트이며, 상기 양이온기를 가지는 4가 암모늄염의 전해질 단량체는 (3-아크릴아미도프로필)트리메틸암모늄클로라이드인 것을 특징으로 하는, 레독스 흐름전지용 바나듐 이온 저투과성 양쪽성 이온 교환막
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제1항에 있어서, 상기 다공성 고분자 기재는 공극 부피가 30~70%, 기공 사이즈가 0
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제1항에 있어서, 상기 아크릴아미드계 가교제는 N,N'-(1,2-디히드록시에틸렌)비스아크릴아미드, N,N'-메틸렌비스아크릴아미드, N,N'-메틸렌비스메타크릴아마이드 및 N,N'-비스아크릴로일피퍼라진으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 레독스 흐름전지용 바나듐 이온 저투과성 양쪽성 이온 교환막
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제1항에 있어서, 상기 개시제는 광 개시제 또는 열 개시제이며, 상기 광 개시제는 2-히드록시-2-메틸프로피오페논(2-Hydroxy-2-methylpropiophenone), 시바 가이기(Ciba Geigy)사의 Doracure 시리즈 또는 Irgacure 시리즈이며, 상기 열 개시제는 N,N'-아조비스이소부티로니트릴(AIBN) 또는 벤조일퍼옥사이드(BPO)인 것을 특징으로 하는 레독스 흐름전지용 바나듐 이온 저투과성 양쪽성 이온 교환막
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(a) 술폰산기 함유 단량체, 양이온기를 가지는 4가 암모늄염의 전해질 단량체, 아크릴아미드계 가교제 및 개시제를 포함하는 용액에 다공성 고분자 기재를 함침시키는 단계; 및(b) 상기 단계 (a)에서 얻어지는 용액이 함침된 다공성 고분자 기재에 열을 가하거나 광(light)을 조사하여 다공성 고분자 기재 내에 가교 중합된 고분자 전해질을 형성시키는 단계를 포함하되,상기 술폰산기 함유 단량체는 3-설포프로필메타크릴레이트 또는 3-설포프로필 아크릴레이트이며, 상기 양이온기를 가지는 4가 암모늄염의 전해질 단량체는 (3-아크릴아미도프로필)트리메틸암모늄클로라이드인 것을 특징으로 하는, 제1항, 제2항, 제8항 및 제9항 중 어느 한 항에 기재된 레독스 흐름전지용 바나듐 이온 저투과성 양쪽성 이온 교환막의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 단계 (a)에 제공되는 고분자 기재는 술폰친수화되거나 계면활성제를 이용해 친수화된 것을 특징으로 하는 레독스 흐름전지용 바나듐 이온 저투과성 양쪽성 이온 교환막의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 단계 (b)는 상기 용액이 함침된 다공성 고분자 기재의 일측면 및 타측면에 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET; polyethylelenterephthalate) 필름을 적층한 상태에서 수행되는 것을 특징으로 하는 레독스 흐름전지용 바나듐 이온 저투과성 양쪽성 이온 교환막의 제조방법
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애노드(anode);캐소드(cathode);상기 애노드 및 상기 캐소드 사이에 배치되는 제1항, 제2항, 제8항 및 제9항 중 어느 한 항에 기재된 양쪽성 이온교환막;상기 애노드에 공급되는 전해질 용액을 포함하는 애노드 전해질 공급부; 및상기 캐소드에 공급되는 전해질 용액을 포함하는 캐소드 전해질 공급부를 포함하는 레독스 흐름전지
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제13항에 있어서, 상기 캐소드 전해질은 (VO2)2SO4, VO(SO4) 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 레독스 흐름전지
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제13항에 있어서, 상기 애노드 전해질은 VSO4, V2(SO4)3 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 레독스 흐름전지
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