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질소산화물가스(NOX)검출용반도체검지물질과그제조방법및이를이용한가스센서

  • 기술번호 : KST2015153781
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질소 산화물 가스 검출용 반도체 검지물질과 및 이를 이용한 가스센서 및 그 제조방법에 관한 것으로 각종 연소기, 보일러 및 자동차등에서 발생하는 유해가스인 질소산화물(NOX)의 검지 및 농도계측용으로 사용할 수 있게 한 것이다.입도크기 3미크론(㎛)이하의 WO3에 촉매활성제로 TiO2을 1~10%, Ru(혹은 Au)를 0.5~5.0%씩 각각 첨가한 것을 특징으로 하는 질소 산화물가스 검출용 반도체 검질 물질 [Ru(혹은 Au)-TiO2-WO3]이며 이 제조방법은 센서의 모물질로 사용하기 위해 고순도의 산화텅스텐 분말을 체(sieve) 및 침강분리를 하여서 3미크론(㎛)이하의 미세한 물질만을 수집하고, 활성 촉매 첨가제로는 TiO2를 10wt%이내로 혼합하여, 이것을 볼밀에 넣고 3시간이상 분쇄 혼합한 후, 시료를 공기분위기의 600℃~900℃에서, 3시간이내로 열처리 하는 공정과 이 분말에 귀금속 중량비가 0.5~5.0%되도록 Ru(Au)Cl4와 터어빈올을 10%이내의 유기 바인더를 사용하여 1시간이상 핸드밀로 혼합분쇄하여 점액성물질인 센서검지물질(폐이스트)을 제조한다.
Int. CL G01N 27/407 (2006.01.01)
CPC G01N 27/4074(2013.01) G01N 27/4074(2013.01)
출원번호/일자 1019960038869 (1996.09.09)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-0167852-0000 (1998.09.30)
공개번호/일자 10-1998-0020390 (1998.06.25) 문서열기
공고번호/일자 (19990501) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.09.09)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한상도 대한민국 대전광역시 유성구
2 이대식 대한민국 대전광역시 유성구
3 명광식 대한민국 대전광역시 유성구
4 박기배 대한민국 대전광역시 유성구
5 손영목 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김경식 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로 ***, *층 (서초동, 모인터빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구소 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.09.09 수리 (Accepted) 1-1-1996-0136333-39
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.09.09 수리 (Accepted) 1-1-1996-0136332-94
3 특허출원서
Patent Application		 1996.09.09 수리 (Accepted) 1-1-1996-0136331-48
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1996.11.26 수리 (Accepted) 1-1-1996-0136334-85
5 등록사정서
Decision to grant		 1998.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1996-0055345-47
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.11 수리 (Accepted) 4-1-1999-0032983-31
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.12 수리 (Accepted) 4-1-1999-0045776-91
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.17 수리 (Accepted) 4-1-1999-0048039-85
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.29 수리 (Accepted) 4-1-1999-0076759-30
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.05.25 수리 (Accepted) 4-1-2000-0069673-86
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2001-0004982-67
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2002-0076226-24
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.12.22 수리 (Accepted) 4-1-2004-5107350-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

입도크기 3미크론(㎛)이하의 WO3에 촉매활성제로 TiO2을 1~10%, Ru(혹은 Au)를 0

2 2

센서의 모물질로 사용하기 위해 고순도의 산화텅스텐분말을 체(sieve) 및 침강분리를 하여서 3미크론(㎛)이하의 미세한 물질만을 수집하고, 활성 촉매첨가제로서는 TiO2를 10wt%이내로 혼합하여, 이것을 볼밀에 넣고 3시간이상 분쇄 혼합한 후, 시료를 공기분위기의 600℃~900℃에서, 3시간이내로 열처리하는 공정과 이 분말에 귀금속 중량비가 0

3 3

전면에 0

4 4

Au전극(3)과 Pt저항 히터선(1)이 형성된 알루미나기판(2)에 제1항에서 제조된 반도체검지물질을 프린팅하고 건조, 열처리한 후막형센서임을 특징으로 하는 질소산화물 가스 검출용 반도체 검지물질을 이용한 가스센서

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.