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태양전지의 광흡수층으로서의 CI(G)S박막 제조 방법에 있어서, (i) Substrate를 준비하는 단계; (ii) 전구체인 CI(G)S계 화합물을 제조하는 단계; (iii) 상기 Substrate 상에 상기 전구체인 CI(G)S계 화합물을 코팅하여 CI(G)S계 전구체 박막을 형성하는 단계; (iv) 상기 Substrate 상에 형성된 CI(G)S계 전구체 박막을 건조하는 단계;(v) 상기 건조된 CI(G)S계 전구체 박막을 열처리를 통해 셀렌화하여 CI(G)S 박막을 형성하는 단계; (vi) 상기 형성된 CI(G)S 박막을 나트륨(Na) 0
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청구항 1에 있어서, 상기 (iii) 단계에서, 스핀코팅(Spin coating), 딥코팅(Dip coating), 스프레이코팅(Spray coating), 닥터블레이드코팅(Dr
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청구항 1에 있어서, 상기 (iii) 단계에서, E-beam 증착법(Electron beam evaporation), 전자빔 이온 플레이팅(Electron Beam Ion plating), 스퍼터링(Suppertering), 스퍼터링 이온 플레이팅 시스템(Suppertering Ion plating System), 레이저 분자빔 증착법(Laser Molecular Beam Epitaxy), 펄스 레이저 증착법 (Pulsed Laser Deposition), 저항 가열식 증착법(Thermal evaporation), 이온 어시스트 증착법(Ion-Assist Deposition) 중 적어도 어느 하나의 방법으로 증착하여 코팅하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 CI(G)S박막 제조 방법
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청구항 1 내지 3 중 어느 하나의 방법으로 제조되고, 나트륨(Na)의 함량이 0
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태양전지 제조 방법에 있어서,(1) 기판을 준비하는 단계; (2) 후면전극층을 증착하는 단계; (3) 상기 청구항 1 내지 3 중 어느 하나의 방법으로 제조된 CI(G)S박막을 광흡수층으로 증착하고, 상기 광흡수층 상에 버퍼층을 형성시키는 단계; (4) 투명전도층을 증착하는 단계; (5) 반사방지막을 전면전극층이 형성되는 영역을 제외한 부분에 증착하는 단계; 및(6) 상기 반사방지막이 형성되지 않은 부분에 전면전극층을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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청구항 8에 있어서, 상기 기판은 유리 기판, 세라믹 기판, 스테인레스 스틸(stainless steel) 기판, 폴리머(polymer) 기판, 금속 기판 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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청구항 9에 있어서, 상기 후면전극층은 Mo, Ni, Cu 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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11
청구항 10에 있어서, 상기 투명전도층은 ZnO 인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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청구항 11에 있어서, 상기 투명전도층은 하부막인 ZnO 위에 상부막인 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어진 2중 구조로 증착하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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13
청구항 12에 있어서, 상기 반사방지막은 MgF2 인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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청구항 13에 있어서, 상기 전면전극층은 Al, Ag, Ni, M 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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태양전지에 있어서, 기판, 상기 기판 상의 후면전극층, 상기 후면전극층 상에 광흡수층으로 사용된 청구항 7의 CI(G)S박막,상기 광흡수층 상의 버퍼층, 상기 버퍼층 상의 투명전도층, 상기 투명전도층 상의 반사 방지막과 상기 반사방지막이 형성되지 않은 부분의 전면전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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