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실리콘 구립체 기반 태양전지 제조방법 및 이에 의하여 제조된 태양전지

  • 기술번호 : KST2015153853
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실리콘 구립체 기반 태양전지 제조방법 및 이에 의하여 제조된 태양전지가 제공된다. 본 발명에 따른 실리콘 구립체 기반 태양전지 제조방법은 소정 간격으로 이격된 복수 개의 개방 홈이 구비된 절연기판의 상기 홈에 제 1형 불순불이 도핑된 실리콘 구립체를 안착시키는 단계; 상기 실리콘 구립체상에 진성 실리콘층을 증착시키는 단계; 상기 진성 실리콘층 상에 제 2형 불순물이 도핑된 실리콘층을 증착시키는 단계; 및 상기 실리콘 구립체가 안착된 방향에 대향하는 기판상에 후면 전극층을 증착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 실리콘 구립체 기반 태양전지는 실리콘 구립체를 절연 지지기판의 개방 홈에 먼저 안착하고, 태양전지 제조공정을 진행하는 방식을 취한다. 이 경우, 실리콘 구립체에 대한 태양전지 공정을 진행한 후, 이를 기판 홈에 안착시키고, 다시 후면전극과의 컨택을 위한 마모공정이 수행되는 종래 기술에 비하여 획기적인 생산성 향상 효과를 발생시킬 수 있다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01)
출원번호/일자 1020100094860 (2010.09.30)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1316943-0000 (2013.10.02)
공개번호/일자 10-2012-0033376 (2012.04.09) 문서열기
공고번호/일자 (20131018) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.04.17)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정철 대한민국 대전광역시 유성구
2 송진수 대한민국 대전광역시 유성구
3 김성범 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***, *층(삼성동,고운빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0630059-75
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0700233-99
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2012.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0302781-31
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.05.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.06.05 수리 (Accepted) 9-1-2013-0041902-68
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0608139-18
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.09.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0807435-49
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0807434-04
10 등록결정서
Decision to grant		 2013.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0663966-84
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소정 간격으로 이격된 복수 개의 개방 홈이 구비된 절연기판의 상기 개방 홈에 제 1형 불순불이 도핑된 실리콘 구립체를 안착시키는 단계;상기 실리콘 구립체상에 진성 실리콘층을 증착시키는 단계;상기 진성 실리콘층 상에 제 2형 불순물이 도핑된 실리콘층을 증착시키는 단계; 및상기 실리콘 구립체가 안착된 방향에 대향하는 기판상에 후면 전극층을 증착시키는 단계를 포함하며, 상기 개방 홈을 통하여 상기 실리콘 구립체는 상기 기판의 대향 방향으로 돌출되는 것을 특징으로 하는, 실리콘 구립체 기반 태양전지 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 돌출된 실리콘 구립체는 상기 후면 전극층과 접촉하는 것을 특징으로 하는, 실리콘 구립체 기반 태양전지 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 방법은 상기 후면 전극층 증착 후, 상기 실리콘 구립체 주변에 구비되며, 조사되는 빛을 상기 실리콘 구립체 방향으로 반사시키기 위한 전면 반사컵을 상기 기판 위에 구비시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 실리콘 구립체 기반 태양전지 제조방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 방법은 상기 제 2형 불순물이 도핑된 실리콘층 상에 투명 전극층을 적층시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 실리콘 구립체 기반 태양전지 제조방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 투명 전극층 적층은 상기 전면 반사컵 구비 단계 이전에 수행되는 것을 특징으로 하는, 실리콘 구립체 기반 태양전지 제조방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 제 1형 불순물은 n형 불순물, 제 2형 불순물은 p형 불순물인 것을 특징으로 하는, 실리콘 구립체 기반 태양전지 제조방법
8 8
제 1항에 있어서, 상기 제 1형 불순물 도핑 실리콘층 및 제 2형 불순물 도핑 실리콘층은 PECVD에 의하여 증착되는 것을 특징으로 하는, 실리콘 구립체 기반 태양전지 제조방법
9 9
제 6항에 있어서, 상기 전면 반사컵은 인접하는 전도성 구립체의 투명 전극층을 전기적으로 연결시키는 것을 특징으로 하는, 실리콘 구립체 기반 태양전지 제조방법
10 10
삭제
11 11
복수 개의 개방 홈이 구비된 절연 기판; 상기 개방 홈에 안착되며, 제 1형 불순물이 도핑된 실리콘 구립체; 상기 개방 홈에 대향하는 기판에 적층된 후면 전극층; 및 상기 실리콘 구립체 주위에 구비되며, 조사되는 빛을 상기 실리콘 구립체로 반사시키는 위한 전면 반사컵을 포함하며, 여기에서 상기 실리콘 구립체는 개방 홈 안착 후 순차적으로 적층된 진성 실리콘층; 제 2형 불순물 도핑 실리콘층; 및 투명전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는, 실리콘 구립체 기반 태양전지
12 12
제 11항에 있어서, 상기 개방 홈을 통하여 상기 실리콘 구립체는 상기 기판의 대향 방향으로 돌출되는 것을 특징으로 하는, 실리콘 구립체 기반 태양전지
13 13
제 11항에 있어서, 상기 개방 홈을 통하여 상기 기판의 대향 방향으로 돌출된 실리콘 구립체는 상기 후면 전극층과 접촉하는 것을 특징으로 하는, 실리콘 구립체 기반 태양전지
14 14
제 11항에 있어서, 상기 후면전극은 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는, 실리콘 구립체 기반 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.